具有接点阵列的晶圆加热座制造技术

本发明专利技术提供一种晶圆加热座，包含一支撑柱连接于一盘体的底面，且该支撑柱握持有对应接触盘体的多个接触垫的一接点阵列，该接点阵列包括复数个接触柱。

Wafer Heating Base with Contact Array

【技术实现步骤摘要】
具有接点阵列的晶圆加热座
本专利技术是关于一种晶圆加热座，尤是一种具有接点阵列的晶圆加热座以及散热结构的晶圆加热座。
技术介绍
在传统半导体处理设备中，反应腔体内的晶圆加热座是用以支撑一晶圆于腔体中进行各种处理，如蚀刻。通常在处理晶圆的过程中，需要控制晶圆的温度。基于此目的，晶圆支撑装置被设计成具有温度控制机制的加热装置，其在各种处理的应用中精确地控制晶圆的温度。一般晶圆加热座包含由陶瓷或金属构成的一盘体及密封在盘体中的加热组件，如加热线圈。更具体地，晶圆加热座还可进一步包含温度传感器、控制器及其他电子组件等。加热在各种的晶圆处理中为重要的步骤，像是化学气相沉积(CVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、光学微影、蚀刻及清洁等。这是因为操作温度为控制化学反应的过程。反应气体与晶圆表面的物质产生化学反应而形成导电薄膜或绝缘层，而欲在整体晶圆上得到均匀厚度且高质量的薄膜，热控制为处理过程中的关键因素之一。一种已知的多区域加热的晶圆加热座，其包含具有多个电阻式加热组件的盘体，每一个加热组件由一控制器各别控制，使盘面的不同区域提供不同的加热程度。藉由适当地提供各加热组件的功率，遍布晶圆的温度可维持一致，有助于获得较佳的反应结果。此外，晶圆加热座的热也会沿着其结构向下传递，其可能影响处理腔中的温度梯度分布，导致不佳的反应结果。因此，有需要发展一种多区加热的晶圆加热座，并且也要一并克服热分布的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆加热座，包含：一盘体，具有用于支撑晶圆的一承载面及相对于该承载面的一底面，其中该底面提供有复数个接触垫；及一支撑柱，连接于该盘体的底面，且该支撑柱握持有对应接触该等接触垫的一接点阵列，该接点阵列包括复数个接触柱。在一具体实施例中，该盘体还被嵌入有一或多个加热组件及一或多个感应单元，每一个加热组件定义该盘体的一加热区域且每一个加热组件与至少三个接触垫电性连接。在一具体实施例中，该盘体中形成有复数个导通孔连接于该等加热组件和该等接触垫。在一具体实施例中，该支撑柱握持有用于固定该等接触柱的一基座。在一具体实施例中，该等接触柱的每一者包含一柱体和包覆于该柱体的一外套，其中该柱体可相对于该外套往复移动，该外套被容置于该基座中。在一具体实施例中，该柱体的顶端具有一接触帽，而该接触帽与该外套之间提供有一弹簧。在一具体实施例中，该接点阵列的接触柱对应地电性耦接至复数个金属棒，以传递与所述加热组件和感应单元有关的讯号。在一具体实施例中，该支撑柱与一散热器连接，该散热器从该支撑柱的一内部延伸至该支撑柱的一外部。在一具体实施例中，该散热器连接于该支撑柱的一底端，该散热器具有一上部及一下部，其中该上部延伸至该支撑柱中，该下部暴露于该支撑柱之外且该下部具有复数个冷却通道。在一具体实施例中，该散热器配置成与复数个金属棒接触以传递该等金属棒的热。在一具体实施例中，该接点阵列的接触柱数量为三十六个。在一具体实施例中，该散热器的一部分暴露于该处理腔的内部。在以下本专利技术的说明书以及藉由本专利技术原理所例示的图式当中，将更详细呈现本专利技术的这些与其他特色和优点。附图说明参照下列图式与说明，可更进一步理解本专利技术。非限制性与非穷举性实例系参照下列图式而描述。在图式中的构件并非必须为实际尺寸；重点在于说明结构及原理。图1显示本专利技术晶圆加热座的一透视图。图2为图1的剖面视图。图3单独显示本专利技术的接点阵列实施例。图4a显示接点阵列的一接触柱。图4b显示图4b的一剖面图。图5显示本专利技术散热器的一剖面图。图6显示本专利技术接点阵列与盘体底部的接触。图7显示盘体接触垫与接触柱的连接。图中标记说明：100晶圆加热座501上部110盘体502下部111底面503肩部120支撑柱504槽130散热器505环140金属棒601加热组件300接点阵列602导通孔301接触柱603金属棒302基座604下电极303隔绝壁605焊接接点400柱体606接触垫401外套402接触帽403弹簧404连接器具体实施方式以下将参考图式更完整说明本专利技术，并且藉由例示显示特定范例具体实施例。不过，本主张主题可具体实施于许多不同形式，因此所涵盖或申请主张主题的建构并不受限于本说明书所揭示的任何范例具体实施例；范例具体实施例仅为例示。同样，本专利技术在于提供合理宽阔的范畴给所申请或涵盖之主张主题。除此之外，例如主张主题可具体实施为方法、装置或系统。因此，具体实施例可采用例如硬件、软件、韧体或这些的任意组合(已知并非软件)之形式。本说明书内使用的词汇「在一实施例」并不必要参照相同具体实施例，且本说明书内使用的「在其他(一些/某些)实施例」并不必要参照不同的具体实施例。其目的在于例如主张的主题包括全部或部分范例具体实施例的组合。本专利技术提供一种晶圆加热座，适用于各种具备加热处理的处理腔体。特别是，本专利技术的晶圆加热座是一种具备多加热区域的加热座，即靠近晶圆中心与靠近外缘的加热温度可为不同，弥补热传导于晶圆中心和边缘之间的落差，达到均匀受热的效果。图1显示本专利技术的晶圆加热座100，其外观上大致上与已知加热座类似，即具有一盘体110和一支撑柱120。盘体110具有一承载面(未显示)用于承载待处理的晶圆。相对于所述承载面的是一底面111。支撑柱120连接于盘体110的底面111。本专利技术的支撑柱120的底部连接有一散热器130用于排出累积在加热座的额外热量。关于散热器130的细节将详述如后。在一实施例中，散热器130被配置成当加热座100被安装至一处理腔体(未显示)中，散热器130的一部分被暴露于腔体的空间中。意即，散热器130的部分是暴露于处理时的真空环境中。此外，散热器130的一部分可机械耦接至外部的驱动装置。或者，散热器130的一部分可暴露于腔体外的大气环境。图2显示图1的剖面视图。如图所示，支撑柱120为一空心柱体，散热器130具有一部分延伸至支撑柱120内。复数个金属棒140穿越散热器130并一路延伸至支撑柱120的顶端与一接点阵列(如图3)电性连接。散热器130被配置成具有复数个孔(未标号)用于引导金属棒140穿越且决定金属棒140的排列。盘体110嵌入有一或多个加热组件(未显示)，如相互独立的加热线圈。在多加热区域的应用中，盘体110可嵌入有至少有两个加热线圈，且分别涵盖不同的径向范围。盘体110还可嵌入有一或多个感应单元(未显示)，像是电阻式温度侦测器(RTD)，用于获得盘体110中不同位置的温度数据。所述加热组件和感应单元电性耦接至金属棒140以接收电力和提供电讯号。等离子体处理的应用中，盘体110还可嵌入作为下电极的一金属层(未显示)，其亦经由其中一金属棒电性耦接至射频电路的部分。这些安排将于图6说明。图3单独显示本专利技术接点阵列300的配置，没有显示支撑柱120的壁。接点阵列300包含复数个接触柱301。本实施例为三十六个，但更多或更少数量的接触柱也是可行的。这些接触柱301被固持在具有多个孔的一基座302中并形成特定的排列且彼此不接触。基座302的形状与支撑柱120匹配，如圆形。基座302可由不导电的陶瓷制成，如氮化铝(ALN)。如图所示，基座302的外侧接触一隔绝壁303的内侧而定位于支撑柱120顶端附近。隔绝壁303介于基座302与支撑柱120的壁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆加热座，其特征在于：包含，一盘体，具有用于支撑晶圆的一承载面及相对于该承载面的一底面，其中该底面提供有复数个接触垫；及一支撑柱，连接于该盘体的底面，且该支撑柱握持有对应接触该等接触垫的一接点阵列，该接点阵列包括复数个接触柱。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加热座，其特征在于：包含，一盘体，具有用于支撑晶圆的一承载面及相对于该承载面的一底面，其中该底面提供有复数个接触垫；及一支撑柱，连接于该盘体的底面，且该支撑柱握持有对应接触该等接触垫的一接点阵列，该接点阵列包括复数个接触柱。2.如权利要求1所述的晶圆加热座，其特征在于：其中该盘体还被嵌入有一或多个加热组件及一或多个感应单元，每一个加热组件定义该盘体的一加热区域且每一个加热组件与至少三个接触垫电性连接。3.如权利要求2所述的晶圆加热座，其特征在于：其中该盘体中形成有复数个导通孔连接于该等加热组件和该等接触垫。4.如权利要求1所述的晶圆加热座，其特征在于：其中该支撑柱握持有用于固定该等接触柱的一基座。5.如权利要求4所述的晶圆加热座，其特征在于：其中该等接触柱的每一者包含一柱体和包覆于该柱体的一外套，其中该柱体可相对于该外套往复移动，该外套被容置于该基座中。6.如权利要求5所述的晶圆加热座，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒见淳一，周仁，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21