衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具备：具有第1处理组件；第2处理组件；第1排气箱；第1供给箱；第2排气箱，其与第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对第2处理容器内进行排气的第2排气系统；第2供给箱，其在第2排气箱的与相邻于第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向第2处理容器内供给处理气体的第2供给系统，其中，第1排气箱配置在位于第1处理组件背面的与第2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，第2排气箱配置在位于第2处理组件背面的与第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部。

Substrate Processing Unit, Manufacturing Method of Semiconductor Device and Recording Media

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质本申请是申请日为2016年06月30日、国际申请号为PCT/JP2016/069486、国家申请号为201680085181.X、专利技术名称为“衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
在半导体器件(元器件)的制造工序中的衬底处理中，例如，使用一并处理多张衬底的立式衬底处理装置。维护衬底处理装置时，需要在衬底处理装置周边确保维护区域，为了确保维护区域，有时衬底处理装置的占地面积大(例如，专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-283356号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述情况而作出的，其目的在于提供能够在确保维护区域的同时减少占地面积的技术。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个方式，提供下述技术，具备：第1处理组件，具有处理衬底的第1处理容器；第2处理组件，其具有与上述第1处理容器相邻地配置的处理上述衬底的第2处理容器；第1排气箱，其与上述第1处理组件背面相邻地配置，并收纳有对上述第1处理容器内进行排气的第1排气系统；第1供给箱，其在上述第1排气箱的与相邻于上述第1处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向上述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统；第2排气箱，其与上述第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对上述第2处理容器内进行排气的第2排气系统；及第2供给箱，其在上述第2排气箱的与相邻于上述第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向上述第2处理容器内供给处理气体的第2供给系统，其中，上述第1排气箱配置于上述第1处理组件背面的与上述第2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，上述第2排气箱配置于上述第2处理组件背面的与上述第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部。专利技术的效果根据本专利技术，能够在确保维护区域的同时减少占地面积。附图说明[图1]为概略性地示出本专利技术的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的俯视图。[图2]为概略性地示出本专利技术的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的纵剖面图。[图3]为概略性地示出本专利技术的实施方式中优选使用的衬底处理装置的一例的纵剖面图。[图4]为概略性地示出本专利技术的实施方式中优选使用的处理炉的一例的纵剖面图。[图5]为概略性地示出本专利技术的实施方式中优选使用的处理组件的一例的横剖面图。具体实施方式本申请还涉及下述项：项1：衬底处理装置，其具备：第1处理组件，其具有处理衬底的第1处理容器；第2处理组件，其具有与所述第1处理容器相邻地配置的处理所述衬底的第2处理容器；第1排气箱，其与所述第1处理组件背面相邻地配置，并收纳有对所述第1处理容器内进行排气的第1排气系统；第1供给箱，其在所述第1排气箱的与相邻于所述第1处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向所述第1处理容器内供给处理气体的第1供给系统；第2排气箱，其与所述第2处理组件背面相邻地配置，并收纳有对所述第2处理容器内进行排气的第2排气系统；和第2供给箱，其在所述第2排气箱的与相邻于所述第2处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置，并收纳有向所述第2处理容器内供给处理气体的第2供给系统，其中，所述第1排气箱配置在位于所述第1处理组件背面的与所述第2处理组件侧相反的一侧的外侧角部，所述第2排气箱配置在位于所述第2处理组件背面的与所述第1处理组件侧相反的一侧的外侧角部。项2：在项1所述的衬底处理装置中，所述第1排气箱与所述第2排气箱隔着维护区域相对地配置，所述维护区域位于所述第1处理组件背面的所述第2处理组件侧和所述第2处理组件背面的所述第1处理组件侧，并且，所述第1供给箱与所述第2供给箱隔着所述维护区域相对地配置。项3：在项1所述的衬底处理装置中，所述第1处理组件还具有配置于所述第1处理容器的下方的第1搬送室，所述第1搬送室向所述第1处理容器内搬入衬底并向所述第1处理容器外搬出所述衬底，所述第2处理组件还具有与所述第1搬送室相邻的第2搬送室，所述第2搬送室向所述第2处理容器内搬入所述衬底并向所述第2处理容器外搬出所述衬底，所述第1排气箱与所述第1搬送室相邻地设置，所述第2排气箱与所述第2搬送室相邻地设置，所述第1排气箱配置在位于所述第1搬送室背面的与所述第2搬送室侧相反的一侧的外侧角部，所述第2排气箱配置在位于所述第2搬送室背面的与所述第1搬送室侧相反的一侧的外侧角部。项4：在项1所述的衬底处理装置中，所述第1排气箱与所述第2排气箱之间的距离大于所述第1供给箱与所述第2供给箱之间的距离。项5：在项2所述的衬底处理装置中，相比于所述第1排气箱，所述第2供给箱更向所述维护区域侧突出，相比于所述第1排气箱，所述第2供给箱更向所述维护区域侧突出。项6：在项5所述的衬底处理装置中，所述第1排气箱的维护口与所述第2排气箱的维护口以彼此相对的方式配置于所述维护区域侧，所述第1排气箱的维护口与所述第2供给箱的维护口以彼此相对的方式配置于所述维护区域侧。项7：在项3所述的衬底处理装置中，在所述第1搬送室的背面的所述第2搬送室侧设置有第1维护门，在所述第2搬送室的背面的所述第1搬送室侧设置有第2维护门。项8：在项7所述的衬底处理装置中，所述第1维护门构成为能够以所述第2搬送室侧为基轴而转动，所述第2维护门构成为能够以所述第1搬送室侧为基轴而转动。项9：在项8所述的衬底处理装置中，在所述第1排气箱的上方(说明书中记载还可限定正上面或正上方而不是仅上方)配置有位于所述第1供给系统的最下游的阀，在所述第2排气箱的上方(说明书中记载还可限定正上面或正上方而不是仅上方)配置有位于所述第2供给系统的最下游的阀。项10：在项9所述的衬底处理装置中，所述第1收纳容器内的构成与所述第2收纳容器内的构成相对于所述第1搬送室与所述第2搬送室的相邻面面对称地配置，所述第1搬送室内的构成与所述第2搬送室内的构成相对于所述第1搬送室与所述第2搬送室的相邻面面对称地配置。项11：在项10所述的衬底处理装置中，所述衬底处理装置还具备与所述第1搬送室的正面侧及所述第2搬送室的正面侧相邻的移载室，在所述移载室中，将所述衬底移载于所述第1搬送室内的第1衬底保持件及所述第2搬送室内的第2衬底保持件，所述第1维护门构成为能够在所述第1搬送室内的压力低于所述移载室内的压力、并且所述第1搬送室内的氧浓度为大气中的氧浓度以上时打开。项12：半导体器件的制造方法，其具有下述工序：第1处理工序，针对第1处理组件的第1处理容器内的衬底，从收纳于向所述第1处理容器内供给处理气体的第1供给箱的第1供给系统供给气体，同时利用收纳于第1排气箱的第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，对所述衬底进行处理，其中，所述第1排气箱与所述第1处理组件相邻地配置，且配置在位于所述第1处理组件背面的与相邻于所述第1处理组件的第2处理组件侧呈相反的一侧的外侧角部，所述第1供给箱在所述第1排气箱的与相邻于所述第1处理组件背面的一侧呈相反的一侧相邻地配置；经由移载室从所述第1处理容器向与所述第1处理容器相邻的第2处理容器搬送所述衬底的工序；和第2处理工序，针对所述第2处理组件的所述第2处理容器内的所述衬底，从收纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具备：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器；第2处理组件，其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置，具有衬底处理用的第2处理容器；第1设备系统，其与所述第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统，所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体；第2设备系统，其与所述第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体，其中，所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置，所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域。

【技术特征摘要】
1.衬底处理装置，其具备：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器；第2处理组件，其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置，具有衬底处理用的第2处理容器；第1设备系统，其与所述第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统，所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体；第2设备系统，其与所述第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体，其中，所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置，所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域。2.半导体器件的制造方法，包括使用衬底处理装置的第1处理工序和第2处理工序，所述衬底处理装置具备：第1设备系统，其与具有第1处理容器的第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统；第2设备系统，其与具有第2处理容器的第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，其中，所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置，所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域，所述第1处理工序中，从所述第1供给系统对所述第1处理容器内供给处理气体，从所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，在所述第1处理容器内对衬底进行处理，所述第2处理工序中，从所述第2供给系统对所述第2处理容器内供给处理气体，从所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，在所述第2处理容器内对衬底进行处理。3.计算机可读取记录介质，存储有使衬底处理装置执行第1处理步骤和第2处理步骤的程序，所述衬底处理装置具备：第1设备系统，其与具有第1处理容器的第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统；第2设备系统，其与具有第2处理容器的第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，其中，所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置，所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域，所述第1处理步骤中，从所述第1供给系统对所述第1处理容器内供给处理气体，从所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，在所述第1处理容器内对衬底进行处理，所述第2处理步骤中，从所述第2供给系统对所述第2处理容器内供给处理气体，从所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，在所述第2处理容器内对衬底进行处理。4.衬底处理装置，其具备：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器；第2处理组件，其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置，具有衬底处理用的第2处理容器；第1设备系统，其与所述第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统，所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体；第2设备系统，其与所述第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体，所述第1设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第2设备系统相反方向的外侧侧面设置，所述第2设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第1设备系统相反方向的外侧侧面设置，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域，所述第1供给系统和所述第2供给系统隔着所述维护区域相对地配置，并且所述第1排气系统和所述第2排气系统隔着所述维护区域相对地配置。5.半导体器件的制造方法，包括第1处理工序和第2处理工序，所述第1处理工序中，一边从第1供给系统对衬底处理装置的第1处理组件的第1处理容器内的衬底供给气体，一边从设于第1设备系统的第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，并对所述衬底进行处理，所述第1供给系统设于与所述第1处理组件的背面相邻配置的所述第1设备系统、并且向所述第1处理容器内供给处理气体，所述第2处理工序中，一边从第2供给系统对与所述第1处理组件的侧面侧相邻配置的、所述衬底处理装置的第2处理组件的第2处理容器内的衬底供给气体，一边从设于第2设备系统的第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，并对所述衬底进行处理，所述第2供给系统设于与所述第2处理组件的背面相邻配置的所述第2设备系统、并且向所述第2处理容器内供给处理气体，所述第1设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第2设备系统相反方向的外侧侧面设置，所述第2设备系统沿着所述衬底处理装置的、与所述第1设备系统相反方向的外侧侧面设置，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域，所述第1供给系统和所述第2供给系统隔着所述维护区域相对地配置，并且所述第1排气系统和所述第2排气系统隔着所述维护区域相对地配置。6.衬底处理装置，其具备：第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器；第2处理组件，其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置，具有衬底处理用的第2处理容器；第1设备系统，其与所述第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统，所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体；第2设备系统，其与所述第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体，其中，在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域，所述第1设备系统及所述第2设备系统的背面侧比正面侧更向所述维护区域突出地形成。7.半导体器件的制造方法，包括使用衬底处理装置的第1处理工序和第2处理工序，所述衬底处理装置具备：第1设备系统，其包含对第1处理组件的第1处理容器内进行排气的第1排气系统和向所述第1处理容器内供给处理气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村大义，野上孝志，谷山智志，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP