包括多级感测的存储器单元制造技术

半导体装置的实施例可以包括用于将多级存储器的存储器单元的模拟电压电平转换为多比特数字值，并且基于多比特数字值来确定存储器单元的单比特值的技术。一些实施例还可以包括用于跟踪对存储器单元的存取的时间历史超过10秒的持续时间，并且基于多比特数字值和时间历史来确定存储器单元的单比特值的技术。公开并要求保护其他实施例。

Memory unit including multilevel sensing

【技术实现步骤摘要】
包括多级感测的存储器单元
实施例一般涉及存储器系统。更具体地，实施例涉及包括多级感测的存储器单元。
技术介绍
多级非易失性存储器每单元存储多于一位。每单元具有四(4)个可能电压电平的多级NAND存储器每个单元可以表示两(2)位数据。每个单元具有八(8)个电压电平的NAND存储器可以称为三电平单元(TLC)存储器，并且每个单元可以表示三(3)位数据。每个单元具有十六(16)个电压电平的NAND存储器可以称为四电平单元(QLC)存储器，并且每个单元可以表示四(4)位数据。附图说明通过阅读以下说明书和所附权利要求并参考以下附图，本领域技术人员将清楚实施例的各种优点，其中：图1是根据实施例的电子处理系统的示例的框图；图2是根据实施例的半导体装置的示例的框图；图3A至图3C是根据实施例的确定存储器值的方法的示例的流程图；图4是根据实施例的电子处理系统的另一示例的框图；图5是根据实施例的半导体装置的另一示例的框图；图6A至图6C是根据实施例的确定存储器值的方法的另一示例的流程图；图7是根据实施例的存储器装置的示例的框图；图8是根据实施例的确定电压漂移信息的方法的示例的流程图；以及图9是根据实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子处理系统，包括：处理器；通信地耦合到所述处理器的多级存储器；模数转换器，其通信地耦合到所述多级存储器，用于将所述多级存储器的存储器单元的模拟电压电平转换为相对应的多比特数字值；以及逻辑，其通信地耦合到所述多级存储器和所述模数转换器，用于基于所述多比特数字值来确定所述存储器单元的单比特值。

【技术特征摘要】
2018.03.05 US 15/911,3501.一种电子处理系统，包括：处理器；通信地耦合到所述处理器的多级存储器；模数转换器，其通信地耦合到所述多级存储器，用于将所述多级存储器的存储器单元的模拟电压电平转换为相对应的多比特数字值；以及逻辑，其通信地耦合到所述多级存储器和所述模数转换器，用于基于所述多比特数字值来确定所述存储器单元的单比特值。2.如权利要求1所述的系统，其中，所述逻辑还用于：应用错误校正以基于所述多比特数字值来确定所述存储器单元的值。3.如权利要求1所述的系统，其中，所述逻辑还用于：跟踪对所述存储器单元的存取的历史。4.如权利要求3所述的系统，其中，所述逻辑还用于：跟踪对所述存储器单元的存取的时间历史超过10秒的持续时间。5.如权利要求4所述的系统，其中，所述逻辑还用于：基于所述多比特数字值和对所述存储器单元的存取的所述时间历史来确定所述存储器单元的单比特值。6.如权利要求1至5中任一项所述的系统，其中，所述多级存储器包括相变存储器。7.如权利要求6所述的系统，其中，所述相变存储器包括三维交叉点存储器。8.一种半导体装置，包括：一个或多个基板；以及逻辑，其耦合到所述一个或多个基板，其中，所述逻辑至少部分地实现在可配置逻辑和固定功能硬件逻辑中的一个或多个中，所述逻辑耦合到所述一个或多个基板用于：将多级存储器的存储器单元的模拟电压电平转换为多比特数字值，以及基于所述多比特数字值来确定所述存储器单元的单比特值。9.如权利要求8所述的装置，其中，所述逻辑还用于：应用错误校正以基于所述多比特数字值来确定所述存储器单元的值。10.如权利要求8所述的装置，其中，所述逻辑还用于：跟踪对所述存储器单元的存取的历史。11.如权利要求10所述的装置，其中，所述逻辑还用于：跟踪对所述存储器单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·奎尔巴赫，C·康纳，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US