静态随机存取存储器及其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种静态随机存取存储器以及对其进行操作的方法。所述静态随机存取存储器包括：锁存单元，连接在第一节点和第二节点之间；第一传输晶体管，其第一端连接到第一位线，第二端连接到所述第一节点，第一栅极连接到第一字线，第二栅极连接到第二字线；以及第二传输晶体管，其第一端连接到所述第二节点，第二端连接到第二位线，第一栅极连接到第一字线，第二栅极连接到第二字线。所述传输晶体管具有电子导电或空穴导电两种工作模式，可以通过调节第一字线和第二字线的电平选择所述传输晶体管电子导电或空穴导电的工作模式，并且控制所述传输晶体管在相应工作模式中导通或断开的状态。所述传输晶体管导通时驱动能力可调，断开时泄漏电流很低，从而降低锁存单元保持数据时的功耗。

Static random access memory and operation method thereof

The invention discloses a static random access memory and a method for operating the same. The static random access memory includes: a latch unit is connected between the first node and a second node; the first transmission transistor, wherein the first end is connected to the first line, the second end is connected to the first node, the first gate is connected to the first word line, a second gate is connected to the second word line; and the second transmission transistor. The first end is connected to the second node, the second end is connected to a second bit line, a first gate is connected to the first word line, a second gate is connected to the second word line. The transfer transistor having a conductive or electron hole conduction mode of the two level can be adjusted by the first word line and a second word line of the transmission mode of the transistor conductive or hole conduction, and to control the transmission transistor on or off in the corresponding State guided mode. When the transmission transistor is switched on, the drive capability is adjustable, and the leakage current is very low when disconnecting, thereby reducing the power consumption of the latch unit when maintaining data.

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器及其操作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种静态随机存取存储器(SRAM)及其操作方法。
技术介绍
一直以来，半导体集成电路领域一直按照摩尔定律的规律不断发展。其中，随着技术的进步，SRAM中CMOS器件的特征尺寸已经从微米级缩小到了深亚微米级。然而，当器件缩小到纳米尺度之后，给SRAM带来了诸多严峻挑战，比如工艺复杂性提高、短沟特性退化、可靠性下降、泄露电流和功耗升高等。其中，器件中的短沟效应和各种泄露电流(及其导致的功耗)已经成为SRAM技术发展的重要障碍。通常，很难在SRAM存储器的设计中使容量、速度、面积和功耗等性能指标同时得到很好的优化并进而满足各种应用要求，功耗方面的性能限制，在某种程度上也使得SRAM中CMOS器件的进一步小型化变得越来越困难。同时，电池驱动的移动和可穿戴设备需求的增大等方面的发展也使得SRAM设计的功率需求变得越发重要。SRAM中数据的存储、读取和写入很大程度上依赖于SRAM中的晶体管的相对驱动能力。举例来讲，在传统6管SRAM结构中，整个单元具有对称性，其中两个PMOS上拉管和两个NMOS下拉管构成双稳态电路，用来锁存一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静态随机存取存储器，包括：锁存单元，连接在第一节点和第二节点之间；第一传输晶体管，其第一端连接到第一位线，第二端连接到所述第一节点，第一栅极连接到第一字线，第二栅极连接到第二字线；以及第二传输晶体管，其第一端连接到所述第二节点，第二端连接到第二位线，第一栅极连接到第一字线，第二栅极连接到第二字线。

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器，包括：锁存单元，连接在第一节点和第二节点之间；第一传输晶体管，其第一端连接到第一位线，第二端连接到所述第一节点，第一栅极连接到第一字线，第二栅极连接到第二字线；以及第二传输晶体管，其第一端连接到所述第二节点，第二端连接到第二位线，第一栅极连接到第一字线，第二栅极连接到第二字线。2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中，所述锁存单元包括：存储模块，包括第一存储晶体管和第二存储晶体管，所述第一存储晶体管的第一端连接到所述第一节点，控制端连接到所述第二节点，所述第二存储晶体管的第二端连接到所述第二节点，控制端连接到所述第一节点，所述第一存储晶体管的第二端和所述第二存储晶体管的第一端均接地。3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器，其中，所述锁存单元还包括：负载模块，包括第一负载晶体管和第二负载晶体管，所述第一负载晶体管的第一端连接到所述第一节点，控制端连接到所述第二节点，所述第二负载晶体管的第二端连接到所述第二节点，控制端连接到所述第一节点，所述第一负载晶体管的第二端和所述第二负载晶体管的第一端均接电源电压。4.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器，其中，所述锁存单元还包括：负载模块，包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的第一端连接到所述第一节点，所述第二电阻的第二端连接到所述第二节点，所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端均接电源电压。5.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中，所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的第一栅极分别用于选择第一传输晶体管和第二传输晶体管的工作模式，所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的第二栅极分别用于在通过第一栅极选择的工作模式中控制第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的导通和断开。6.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中，所述工作模式包括电子导电模式和空穴导电模式。7.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中，所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的沟道材料是以下中的至少一个：碳纳米管、本征硅、低掺杂硅、石墨烯。8.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中，所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的第一端和第二端的材料是禁带中央金属化合物。9.根据权利要求8所述的静态随机存取存储器，其中，所述禁带中央金属化合物是金属硅化物。10.根据权利要求1-9中的任一项所述的静态随机存取存储器，其中，所述第一传输晶体管的第一端是源极和漏极中的一个，所述第一传输晶体管的第二端是源极和漏极中的另一个；所述第二传输晶体管的第一端是源极和漏极中的一个，所述第二传输晶体管的第二端是源极和漏极中的另一个。11.根据权利要求2-4中的任一项所述的静态随机存取存储器，其中，所述第一存储晶体管的第一端是源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓彦，王骏成，杜刚，尹龙祥，康晋锋，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11