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包括多级感测的存储器单元制造技术
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下载包括多级感测的存储器单元的技术资料
文档序号:22103413
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半导体装置的实施例可以包括用于将多级存储器的存储器单元的模拟电压电平转换为多比特数字值,并且基于多比特数字值来确定存储器单元的单比特值的技术。一些实施例还可以包括用于跟踪对存储器单元的存取的时间历史超过10秒的持续时间,并且基于多比特数字值...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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