【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工艺以及进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。随着CMOS器件的不断缩小来自制造和设计方面的挑战促使三维设计如鳍式场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，所述鳍式场效应晶体管在沟道控制以及降低浅沟道效应等方面具有更加优越的性能；平面栅极结构设置于所述沟道上方，而在鳍式场效应晶体管中所述栅极结构环绕所述鳍部设置，因此，能够从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能更加突出。然而，现有技术制备的鳍式场效应晶体管的性能仍较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底内具有第一源漏掺杂区；在所述第一区基...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底内具有第一源漏掺杂区；在所述第一区基底和第一源漏掺杂区上形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二区的基底内形成第二源漏掺杂区；形成所述第二源漏掺杂区之后，去除第一保护层；去除第一保护层之后，在所述基底、第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区上形成介质层；去除部分所述介质层，直至暴露出第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的顶部表面，在所述介质层内形成接触孔。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底内具有第一源漏掺杂区；在所述第一区基底和第一源漏掺杂区上形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二区的基底内形成第二源漏掺杂区；形成所述第二源漏掺杂区之后，去除第一保护层；去除第一保护层之后，在所述基底、第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区上形成介质层；去除部分所述介质层，直至暴露出第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的顶部表面，在所述介质层内形成接触孔。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为：3纳米～5纳米。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二源漏掺杂区沿垂直于第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区连线方向上的尺寸为：100纳米～120纳米。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区基底上还具有第一栅极结构，所述第一栅极结构两侧的基底内具有所述第一源漏掺杂区；所述第二区基底上还具有第二栅极结构，所述第二栅极结构两侧的基底内具有所述第二源漏掺杂区。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层还覆盖第二栅极结构的侧壁；所述第一保护层的形成步骤包括：在所述基底和第一源漏掺杂区上、第一栅极结构的侧壁和顶部表面、以及第二栅极结构的侧壁和顶部表面形成第一保护膜；去除第二区基底和第二栅极结构顶部表面的第一保护膜，形成所述第一保护层。6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的形成步骤包括：在所述第一栅极结构两侧的基底内形成第一外延层；在所述第一区基底和第一外延层上、第一栅极结构的侧壁和顶部表面、以及第二栅极结构的侧壁形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二栅极结构两侧的基底内形成第二外延层；在所述第二区基底和第二外延层上、以及第二栅极结构的侧壁和顶部表面形成第一光刻胶；以所述第一光刻胶为掩膜，采用第一离子注入工艺，在所述第一外延层内掺入第一掺杂离子，形成第一源漏掺杂区；形成所述第一源漏掺杂区之后，去除第一光刻胶；去除所述第一光刻胶之后，在所述第一区基底和第一源漏掺杂区上...
【专利技术属性】
技术研发人员：张焕云，吴健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路新技术研发上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。