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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述第一区基底内具有第一源漏掺杂区；在所述第一区基底和第一源漏掺杂区上形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二区的基底内形成第二源漏掺杂区；形成所述第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司授权不得商用。