【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置本专利申请要求于2017年12月28日提交的第62/611,193号美国临时专利申请以及于2018年2月21日提交的第10-2018-0020585号韩国专利申请的优先权和权益，它们的全部内容通过引用而包含于此。
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
半导体装置的较高的集成度可能是期望的，以满足消费者对优良的性能以及低廉的价格的需求。对于半导体装置，由于它们的集成度会是决定产品价格的重要因素，因此会特别期望提高集成度。对于二维或平面半导体装置，由于它们的集成度主要由单位存储单元占据的面积决定，因此集成度受精细图案形成技术的水平的影响很大。然而，用于提高图案精细度的极其昂贵的工艺设备会对提高二维或平面半导体装置的集成度设定实际的限制。为了克服这种限制，最近已经提出了包括三维布置的存储单元的三维半导体存储装置。
技术实现思路
专利技术构思的一些实施例提供了一种被构造为具有提高的集成密度的三维半导体存储装置。根据专利技术构思的一些实施例，半导体存储装置可以包括基底。半导体存储装置可以包括堆叠件，该堆叠件包括竖直地堆叠在基底上的多个层。所述多个层中的每一个层可以包括...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：基底；堆叠件，包括竖直地堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每一个层包括：半导体图案，在第一方向上延伸；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二导电线和第三导电线，在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸，以穿透堆叠件，其中，半导体图案包括：第一半导体图案和第二半导体图案，在所述多个层中的第一层中在第一方向上彼此相邻并彼此间隔开；以及位于所述多个层中的第二层中的第三半导体图案，在第三方向上与第一半导体图案竖直地叠置；以及栅极绝缘层，其中，栅极绝缘层位于第二导电线与第一半导...
【技术特征摘要】
2018.02.21 KR 10-2018-0020585;2017.12.28 US 62/6111.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：基底；堆叠件，包括竖直地堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每一个层包括：半导体图案，在第一方向上延伸；以及第一导电线，连接到半导体图案中的至少一个半导体图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第二导电线和第三导电线，在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸，以穿透堆叠件，其中，半导体图案包括：第一半导体图案和第二半导体图案，在所述多个层中的第一层中在第一方向上彼此相邻并彼此间隔开；以及位于所述多个层中的第二层中的第三半导体图案，在第三方向上与第一半导体图案竖直地叠置；以及栅极绝缘层，其中，栅极绝缘层位于第二导电线与第一半导体图案之间以及第二导电线与第三半导体图案之间，并且其中，第三导电线位于第一半导体图案与第二半导体图案之间，并且共同地连接到第一半导体图案和第二半导体图案。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，半导体图案中的每一个半导体图案包括第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域，其中，第一杂质区域和第三杂质区域包括第一导电类型，其中，第二杂质区域包括与第一导电类型不同的第二导电类型，其中，第一导电线连接到第一杂质区域，并且其中，第二导电线与第二杂质区域相邻。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，半导体图案中的每一个半导体图案还包括第四杂质区域，其中，第四杂质区域包括第二导电类型，并且其中，第三导电线连接到第四杂质区域。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，第一导电线位于第一半导体图案的顶表面上，并且其中，包括第一半导体图案的存储单元包括无电容器的存储单元。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，第二导电线包括在第三方向上延伸的第一子导电线和第二子导电线，其中，第一半导体图案和第三半导体图案中的每一个包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁，其中，第一子导电线与第一侧壁相邻，并且其中，第二子导电线与第二侧壁相邻。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，半导体图案还包括第四半导体图案，第四半导体图案在第一层中在第二方向上与第一半导体图案相邻并与第一半导体图案间隔开，其中，半导体存储装置还包括屏蔽线，屏蔽线在第三方向上延伸以穿透位于第一半导体图案和第四半导体图案之间的堆叠件。7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，第一半导体图案和第三半导体图案穿透第二导电线。8.一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：基底；堆叠件，包括竖直地堆叠在基底上的多个层，所述多个层中的每一个层包括：第一半导体结构和第二半导体结构，在第一方向上彼此相邻并彼此间隔开；以及第一导电线，在第一方向上延伸以连接到第一半导体结构和第二半导体结构；第二导电线，在与第一方向垂直的第二方向上竖直地延伸以穿透堆叠件，并且在第一方向上彼此间隔开，第二导电线中的第一条第二导电线和第二条第二导电线分别与第一半导体结构和第二半导体结构相邻；第一栅极绝缘层，位于第一半导体结构与第二导电线中的第一条第二导电线之间；第二栅极绝缘层，位于第二半导体结构与第二导电线中的第二条第二导电线之间；第三导电线，在第二方向上竖直地延伸并且在第一方向上彼此间隔开，第三导电线中的第一条第三导电线和第二条第三导电线分别连接到第一半导体结构的第一端和第二半导体结构的第一端；以及屏蔽线，在第二方向上竖直地延伸以穿透位于第二导电线中的第一条第二导电线与第二条第二导电线之间的堆叠件。9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，第一半导体结构和第二半导体结构中的每一个包括第一杂质区域、第二杂质区域和第三杂质区域，其中，第一杂质区域和第三杂质区域包括第一导电类型，第二杂质区域包括与第一导电类型不同的第二导电类型，其中，第一导电线连接到第一杂质区域，并且其中，第二导电线与第二杂质区域相邻。10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，第一半导体结构和第二半导体结构中的每一个还包括轻掺杂区域，轻掺杂区域位于第一杂质区域与第二杂质区域之间以及位于第二杂质区域与第三杂质区域之间，其中，轻掺杂区域包括第一导电类型，并且其中，轻掺杂区域的杂质浓度比第一杂质区域和第三杂质区域的杂质浓度低。11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，第一半导体结构和第二半导体结构中的每一个还包括与第一端相邻的第四杂质区域，其中，第四杂质区域包括第二导电类型，并且其中，第三导电线连接到第四杂质...
【专利技术属性】
技术研发人员：金熙中，李基硕，金俊秀，韩成熙，金奉秀，黄有商，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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