使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法技术

一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法，包括提供测试光掩模，该测试光掩模具有特征四边形，依照尺寸与长宽比的变化而不同。对该特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案。使用具有衬线图案的每一个该测试光掩模，在晶片上形成多个测试图案。测量与统计分析该多个测试图案的至少一个几何参数，以决定出一特定衬线图案给每一个该测试光掩模的该角落。建立光学邻近效应修正模型，包括每一个该测试光掩模在该角落的该特定衬线图案。接收一数据库布局图案。使用光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案。执行光学邻近效应修正流程，以对该第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案。根据第二数据库布局图案产生光掩模。

【技术实现步骤摘要】
使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法
本专利技术涉及一种半导体制造技术，且特别是关于使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法。光学邻近效应修正(opticalproximitycorrection)，也下也简称为OPC。
技术介绍
半导体元件的结构的形成一般需要光刻与蚀刻的程序来达成，其中光刻技术需要具有图案的光掩模，利用光源将图案转移到晶片上的结构层，来形成蚀刻掩模。再以蚀刻掩模，对结构层蚀刻而完成所要的结构。随着半导体集成电路的尺寸的日渐缩小的趋势，其中的半导体元件的尺寸也对应缩小。相对应的需求，要产生其所包含的微小结构的光掩模，其图案也要缩小。然而基于光学绕射的效应，当从光掩模的图案被转到晶片上时会变形，其中例如直角形状的角落无可避免会被弧形化，而趋向圆形角落。为了微小结构能构更准确地在晶片上完成，其理想的光掩模图案会利用OPC的机制进修正，其中理想光掩模图案会被转移到晶片，且对晶片上的图案的关键尺寸进行测量，而得到对光掩模图案所需要的修正。然而当光掩模的图案是二维分布时，测量关键尺寸会有较大误差。这种误差会影响OPC模型的建立，导致最后即使通过OPC对实际用于生产的光掩模的图案做修正，其OPC模型也存在有不可忽略的误差。因此，如何建立较佳的OPC模型是技术研发中所需要考虑的课题其一，以期能对光掩模图案做更准确的修正效果。
技术实现思路
本专利技术是关于使用OPC模型产生光掩模的方法，利用对对OPC模型的改良，可以有较大的测量准确度，使得光掩模的图案，通过OPC模型会有较佳的准确度。依据本专利技术一实施例，一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法，包括提供测试光掩模，所述测试光掩模具有特征四边形，依照尺寸与长宽比的变化而不同。对所述特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案。使用具有所述衬线图案的每一个所述测试光掩模，在晶片上形成多个测试图案。测量与统计分析所述多个测试图案的至少一个几何参数，以决定出一特定衬线图案给每一个所述测试光掩模的所述角落。建立光学邻近效应修正模型，包括每一个所述测试光掩模在所述角落的所述特定衬线图案。接收一数据库布局图案。使用所述光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案。执行光学邻近效应修正流程，以对所述第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案。根据所述第二数据库布局图案产生光掩模。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案的变化是对应所述特征四边形的所述尺寸与所述长宽比而变化。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案至少一层的结构。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案是单层。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案是双层。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述述特征四边形是正方形或是长方形，所述衬线图案包含直角弯折结构，与所述角落密合。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述衬线图案的变化包括综合线宽与线长的多种不同变化。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述特征四边形包含不同的多个长方形。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述多个长方形的每一个的所述每一个角落，加入多种不同的所述衬线图案。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述特征四边形包含不同形状的正方形。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述多个正方形的每一个的所述每一个角落，加入多种不同的所述衬线图案。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，在所述提供测试光掩模步骤中，所述测试光掩模的所述特征四边形的数量是多个，以二维方式分布。依据本专利技术一实施例，对于所述的方法，所述至少一个几何参数包括所述特征四边形在预定位置的横截宽度。附图说明包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1为本专利技术一实施例，未修正光掩模图案布局示意图；图2为本专利技术一实施例，依照图1的光掩模在晶片上形成的测试图案示意图；图3为本专利技术一实施例，对测试图案测量的几何参数示意图；图4为本专利技术一实施例，修正后光掩模图案布局示意图；图5为本专利技术一实施例，依照图4修正后的光掩模在晶片上形成的测试图案示意图；图6为本专利技术一实施例，对测试图案测量的几何参数示意图；图7为本专利技术一实施例，对光掩模图案的角落修正的示意图；图8为本专利技术一实施例，对光掩模图案的角落修正的示意图；图9A到图9D为本专利技术一实施例，对光掩模图案的角落修正的示意图；以及图10为本专利技术一实施例，使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法的流程示意图。附图标号说明90:光掩模92:晶片94:测试光掩模96:晶片100:光掩模图案102:掩模图案104:几何参数106:几何参数110:光掩模图案112、112a、112b、112c、112d:衬线图案114、114a、114b、114c、114d:掩模图案S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24、S26:步骤具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。本专利技术是关于OPC对光掩模修正的技术，进而可以获得对光掩模图案有较准确的修正。有利于在元件尺寸缩小化的要求下，其中的细微结构更准确被制造。以下举一些实施例来说明本专利技术，但是本专利技术不限制于所举的实施例。基于提升光掩模图案品质的需求，本专利技术在提出技术改良之前，对光掩模图案以及以转移到晶片上的图案的机制进行实际探讨。图1为依据本专利技术一实施例，未修正光掩模图案布局示意图。参阅图1，图中仅取光掩模90的一个区域的光掩模图案100来说明。就一般而言，光掩模90上的多个光掩模图案100是二维方式分布。理想的光掩模图案100例如包括矩形或是长方形的结合图案，其在四个角落是直角的角落。在制造的光刻过程中，例如这光掩模90的光掩模图案100会利用光学方式照射到晶片上的光致抗蚀剂层，再经过显影的过程，会在晶片上的形成蚀刻掩模，而完成将光掩模90的光掩模图案100转移到晶片上的转移过程。然而光源通过光掩模图案100时会产生绕射现象，其中以具有尖角的角落的绕射效应更为明显。这导致在晶片上的光致抗蚀剂层的成像图案会变形。图2为依据本专利技术一实施例，依照图1的光掩模在晶片上形成的测试图案示意图。参阅图2，光掩模图案100转移到晶片92上的光致抗蚀剂层，通过显影后所得到掩模图案102的角落会圆弧化。如果基于OPC流程的需要而要实际测量此掩模图案102的几何参数，例如宽度或是长度，来于实际光掩模图案100比较时，其对掩模图案102会产生误差，进而会影响OPC模型的准确度。图3为依据本专利技术一实施例，对测试图案测量的几何参数示意图。参阅图3，在OPC模型的建立过程中，如前述，测试用的光掩模图案100会在圆上形成测试用的掩模图案102。而对掩模图案102的几何参数104，例如是宽度、长度、或是在预定位置的宽度等，进行实际测量。经过本专利技术的研究发现，如果对于多个掩模图案102，分布成二维的架构下，其对几何参数104的测量相对于单个的掩模图案102的测量，会有较大误差。而对于实际设计的图案一般都涉及二维分布的架构，因此测量误差会影响OPC模型的准确度。本专利技术至少针对测量准确度的问题进行深度研本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法，其特征在于，包括:提供测试光掩模，所述测试光掩模具有特征四边形，依照尺寸与长宽比的变化而不同；对所述特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案；使用具有所述衬线图案的每一个所述测试光掩模，在晶片上形成多个测试图案；测量与统计分析所述多个测试图案的至少一个几何参数，以决定出一特定衬线图案给每一个所述测试光掩模的所述角落；建立光学邻近效应修正模型，包括每一个所述测试光掩模在所述角落的所述特定衬线图案；接收一数据库布局图案；使用所述光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案；执行光学邻近效应修正流程，以对所述第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案；以及根据所述第二数据库布局图案产生光掩模。

【技术特征摘要】
1.一种使用光学邻近效应修正模型产生光掩模的方法，其特征在于，包括:提供测试光掩模，所述测试光掩模具有特征四边形，依照尺寸与长宽比的变化而不同；对所述特征四边形的每一个角落加入多种不同的衬线图案；使用具有所述衬线图案的每一个所述测试光掩模，在晶片上形成多个测试图案；测量与统计分析所述多个测试图案的至少一个几何参数，以决定出一特定衬线图案给每一个所述测试光掩模的所述角落；建立光学邻近效应修正模型，包括每一个所述测试光掩模在所述角落的所述特定衬线图案；接收一数据库布局图案；使用所述光学邻近效应修正模型产生第一数据库布局图案；执行光学邻近效应修正流程，以对所述第一数据库布局图案最佳化成第二数据库布局图案；以及根据所述第二数据库布局图案产生光掩模。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬线图案的变化是对应所述特征四边形的所述尺寸与所述长宽比而变化。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬线图案至少一层的结构。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬线图案是单层。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佳君，杜佳峰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71