极紫外掩模制造法、提供监控宏的方法及光学邻近校正法技术

本发明专利技术涉及EUV掩模制造方法、提供监控宏的方法及光学邻近校正方法。在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的EUV掩模的方法包括：考虑由EUV曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与第一监控宏基本相同；输入通过OPC获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于MTO设计数据的掩模相关信息命令文本中的至少一个的掩模数据；以及基于掩模数据对掩模基板执行EUV曝光(写入)。

Extreme Ultraviolet Mask Manufacturing Method, Method of Providing Monitoring Macro and Optical Proximity Correction Method

The invention relates to an EUV mask manufacturing method, a monitoring macro method and an optical proximity correction method. The methods for manufacturing EUV masks for extreme ultraviolet (EUV) exposure processes on mask substrates include: constructing a first monitoring macro considering the effects of slits used in EUV exposure processes; performing optical proximity correction (OPC) using multiple second monitoring macros, each of which is essentially the same as the first monitoring macro; and inputting a mask stream (MTO) device acquired through OPC. Counting data; preparing at least one mask data including data format conversion, mask process correction (MPC) and mask-related information command text for MTO design data; and performing EUV exposure (writing) on mask substrate based on mask data.

【技术实现步骤摘要】
极紫外掩模制造法、提供监控宏的方法及光学邻近校正法
实施方式涉及用于光刻的极紫外(EUV)掩模和相关方法。
技术介绍
半导体器件制造工艺期间的光刻工艺是通过将光照射到涂覆在基板上的光敏膜上而形成电路图案的技术。可以使用深紫外(DUV)光源作为光源。此外，正在研究使用诸如EUV射线、电子束、X射线和离子束的光源的工艺，并且正在开发EUV射线和电子束曝光工艺。
技术实现思路
实施方式涉及一种在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的EUV掩模的方法，该方法包括：考虑由EUV曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏(monitoringmacro)；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与第一监控宏基本相同；输入通过OPC获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于MTO设计数据的掩模相关信息命令文本(job-deck)中的至少一个的掩模数据；以及基于掩模数据对掩模基板执行EUV曝光(写入)。实施方式还涉及一种提供监控宏的方法，该方法包括：通过对样本宏执行第一模拟而生成第一模拟模型，样本宏包括彼此间隔开地布置的多个图案阵列，每个图案阵列包括多个图案；通过对样本宏执行与第一模拟不同的第二模拟而生成第二模拟模型；将第一模拟模型和第二模拟模型相互比较；以及通过选择样本宏的所述多个图案中的至少一些而构建监控宏。实施方式还涉及一种光学邻近校正(OPC)方法，该方法包括：考虑由极紫外(EUV)曝光工艺中使用的狭缝引起的像差(aberration)，构建第一监控宏；生成包括多个第二监控宏的EUV掩模设计布局的OPC模型，其中所述多个第二监控宏的每个与第一监控宏基本相同；以及校正OPC模型。附图说明通过参照附图详细描述示例实施方式，特征对本领域技术人员将变得明显，附图中：图1示出监控宏以间隔布置的一示例实施方式的布局图；图2示出根据一示例实施方式的提供监控宏的方法的流程图；图3A和3B示出根据一示例实施方式的提供监控宏的方法的布局图；图4A和4B示出根据一示例实施方式的提供监控宏的方法的效果的曲线图；图5A示出使用极紫外(EUV)掩模的曝光工艺中的阴影的剖视图；图5B示出入射于EUV掩模的光的概念图，以描述EUV曝光工艺中发生像差的原因；图6示出根据一示例实施方式的光学邻近校正(OPC)方法的流程图；图7A至7D示出根据一示例实施方式的OPC方法的布局图；图8和9示出根据一示例实施方式的EUV掩模制造方法的流程图；以及图10示出根据一示例实施方式的半导体器件制造方法的流程图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述示例实施方式。这里，同样的附图标记将表示同样的元件，并且为了简洁，将省略其多余的描述。图1是一示例实施方式的样本宏1的布局图，图2是示出根据一示例实施方式的提供监控宏的方法的流程图。在图1中，布局图显示了样本宏1。根据一示例实施方式，样本宏1可以包括用于构建监控宏的图案。样本宏1可以对应于一个全曝光(fullshot)。在一示例实施方式中，监控宏可以在用于其中发生像差的EUV曝光工艺的狭缝的延伸方向上以间隔布置。根据示例实施方式，监控宏100可以包括例如线宽和间距(line-and-space)型监控图案、接触型监控图案等。样本宏1可以包括以第一距离D1间隔开的图案阵列10，第一距离D1是相邻图案阵列10之间在第一方向X上的距离。多个图案阵列10的每个可以包括标准单元11和光刻宏13。与样本宏1的布局的平面平行同时彼此交叉的方向将被称为第一方向X和第二方向Y。第一方向X和第二方向Y可以彼此垂直。参照图1和2，根据一示例实施方式，第一模拟可以是用于获得由转印样本宏1的曝光工艺转印的图案的临界尺寸的模拟。在图2中的操作P1中，可以对样本宏1执行第一模拟以生成第一模拟模型。供参考，这里，临界尺寸可以表示透明部分的图案临界尺寸。透明部分可以是EUV掩模的其中反射光的部分，并且可以对应于反射层210(见图5A中的掩模剖面)的通过吸收层230(见图5A)暴露的部分。全曝光区域可以对应于可由一次扫描转印的整个掩模图案。通常，极紫外(EUV)曝光工艺可以以缩小投影(例如，约4:1缩小投影)的方式执行。掩模图案可以减小至约1/4的尺寸并转印到半导体基板，因而全曝光区域可以对应于整个掩模图案的尺寸的约1/4。这里，1/4可以是长度缩小比率，并且可以对应于约1/16的面积缩小比率。这里，曝光设备的拍摄方法可以分为连续拍摄的扫描方法和逐步方式拍摄的步进方法。通常，EUV曝光工艺可以以扫描方式进行，因此，EUV曝光设备通常可以被称为扫描仪。此外，在EUV曝光设备中，可以使用将光限制到掩模的局部区域的狭缝来执行扫描。狭缝可以是在执行EUV曝光工艺的设备中用于限制光使得可向EUV掩模均匀地照射光的单元。光可以通过狭缝限制并照射到EUV掩模的局部区域，并且可以通过在与期望的扫描方向相反的方向上移动EUV掩模而连续地照射光。这样，通过在掩模的整个区域上扫描而在测试基板上照射光的区域可以是与全曝光区域对应的区域。在一些实施方式中，全曝光区域可以具有例如约26mm的水平尺寸和例如约33mm的竖直尺寸。如上所述，全曝光可以通过经由狭缝进行扫描来进行。因此，与狭缝的尺寸对应的部分可以对应于全曝光区域的一部分。根据一示例实施方式，如下所述，监控宏可以通过选择样本宏1的图案当中满足预定标准的图案来构建。样本宏1可以包括多个图案阵列10。根据一示例实施方式，样本宏1可以包括例如几个到几百个图案阵列10。根据一示例实施方式，图案阵列10可以基本上彼此相同。在另外的示例实施方式中，图案阵列10可以彼此不同。根据一示例实施方式，图案阵列10可以在第一方向X上彼此间隔开预定距离。根据一示例实施方式，图案阵列10可以彼此间隔开并以相等的间隔布置。因此，第一方向X上的相邻图案阵列10之间的距离可以是均匀的。根据一示例实施方式，第一距离D1(其是第一方向X上的相邻图案阵列10之间的距离)可以为例如约500μm。例如，第一距离D1可以小于或大于约500μm，并且可以根据设计选择为合适的值。图案阵列10可以在第二方向Y上延伸。如上所述，根据一示例实施方式，多个图案阵列10的每个可以包括标准单元11和光刻宏13中的至少一个。根据一示例实施方式，多个图案阵列10的每个可以包括标准单元11和光刻宏13。根据一示例实施方式，标准单元11可以在第二方向Y上布置于图案阵列10的一端。在另外的示例实施方式中，每个图案阵列10可以包括例如两个或更多个标准单元11和/或两个或更多个光刻宏13。根据一示例实施方式，标准单元11可以包括例如一个或更多个晶体管作为用于加速集成电路设计的预设计逻辑元件。根据一示例实施方式，标准单元11可以用于设计具有数字逻辑功能的专用集成电路(ASIC)。标准单元11可以在作为半导体设计方法之一的标准单元方法中使用。标准单元方法可以是通过组合准备好的标准功能块等根据用户要求进行设计和制造的方法，并且可以使用计算机辅助设计(CAD)系统自动设计。根据一示例实施方式，标准单元11可以是逻辑门级的小单元。根据另外的实施方式，标准单元11可以是诸如中央处理单元(CPU)或各种外围器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的极紫外掩模的方法，所述方法包括：考虑由所述极紫外曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与所述第一监控宏基本相同；输入通过所述光学邻近校正获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备掩模数据，所述准备掩模数据包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于掩模流片设计数据的掩模相关信息命令文本的增强中的至少一个；以及基于所述掩模数据对所述掩模基板执行极紫外曝光。

【技术特征摘要】
2017.11.28 KR 10-2017-01609981.一种在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的极紫外掩模的方法，所述方法包括：考虑由所述极紫外曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与所述第一监控宏基本相同；输入通过所述光学邻近校正获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备掩模数据，所述准备掩模数据包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于掩模流片设计数据的掩模相关信息命令文本的增强中的至少一个；以及基于所述掩模数据对所述掩模基板执行极紫外曝光。2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述掩模流片设计数据中，所述多个第二监控宏布置在与所述极紫外掩模的划片槽对应的区域上。3.如权利要求2所述的方法，其中所述多个第二监控宏在一个方向上彼此间隔开并且以相等的间隔布置。4.如权利要求3所述的方法，其中所述一个方向是所述极紫外曝光工艺中使用的所述狭缝的大体延伸方向。5.一种提供监控宏的方法，所述方法包括：通过对样本宏执行第一模拟而生成第一模拟模型，所述样本宏包括彼此间隔开地布置的多个图案阵列，每个图案阵列包括多个图案；通过对所述样本宏执行与所述第一模拟不同的第二模拟而生成第二模拟模型；将所述第一模拟模型和所述第二模拟模型相互比较；以及通过选择所述样本宏的所述多个图案中的至少一些而构建监控宏。6.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述多个图案阵列每个包括光刻宏和标准单元中的至少一个。7.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述多个图案阵列基本上彼此相同。8.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述监控宏包括线宽和间距图案以及接触图案中的至少一种。9.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述多个图案阵列在一个方向上彼此间隔开并以相等的间隔布置。10.如权利要求9所述的提供监控宏的方法，其中所述一个方向是极紫外(EUV)曝光工艺中使用的狭缝大体延伸的方向。11.如权利要求5所述的提供监控宏的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔云爀，郑鲁永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR