掩模制造方法技术

一种掩模制造方法，包括通过调整多个参数，以校正光学邻近校正(OPC)模型，参数包括第一参数和第二参数，其中第一参数代表由电子束光刻机台引起的长程效应，并且第二参数代表半导体结构的几何特征或制造半导体结构的制程，电子束光刻机台用于制造掩模，掩模被使用以制造半导体结构、产生装置布局、计算出装置布局的第一网栅(grid)图案密度图、至少基于校正后的光学邻近校正模型和装置布局的第一网栅图案密度图，产生长程校正图、以及至少基于所产生的长程校正图和校正后的光学邻近校正模型，执行光学邻近校正以产生校正后的掩模布局。

Mask Manufacturing Method

A mask manufacturing method includes adjusting multiple parameters to correct the optical proximity correction (OPC) model. The parameters include the first and second parameters, in which the first parameter represents the long-range effect caused by the electron beam lithography machine, and the second parameter represents the geometric characteristics of the semiconductor structure or the manufacturing process of the semiconductor structure. The electron beam lithography machine is used to manufacture the mask. Masks are used to produce semiconductor structures, generate device layouts, calculate the first grid pattern density of device layouts, generate long-range correction maps based at least on the corrected optical proximity correction model and the first grid pattern density map of device layout, and perform optical proximity correction based at least on the generated long-range correction map and the corrected optical proximity correction model. Correction produces a corrected mask layout.

【技术实现步骤摘要】
掩模制造方法
本公开涉及一种掩模制造方法，特别是使用了光学邻近校正来校正掩模的掩模制造方法。
技术介绍
当集成电路(IC)技术不断进行至更小的特征尺寸时，集成电路设计更加面临挑战。设计电路的效能在制程期间中(包括在制造掩模的过程中)受到各种电路图案的成像的严重影响。因此，掩模和最终晶圆结果需要被校正。
技术实现思路
本公开实施例提供一种掩模制造方法。掩模制造方法包括通过调整多个参数，以校正光学邻近校正(OPC)模型，参数包括第一参数和第二参数，其中第一参数代表由电子束光刻机台引起的长程效应，并且第二参数代表半导体结构的几何特征或制造半导体结构的制程，电子束光刻机台用于制造掩模，掩模被使用以制造半导体结构；产生装置布局；计算出装置布局的第一网栅(grid)图案密度图；至少基于校正后的光学邻近校正模型和装置布局的第一网栅图案密度图，产生长程校正图；以及至少基于所产生的长程校正图和校正后的光学邻近校正模型，执行光学邻近校正以产生校正后的掩模布局。在一个实施例中，此方法还包括至少基于校正后的掩模布局，产生分割的掩模布局或电子束射图。本公开实施例提供一种掩模制造方法。掩模制造方法包括通过调整多个参数，以校正光学邻近校正模型，参数包括第一参数和第二参数，其中第一参数代表由电子束光刻机台引起的长程效应，并且第二参数代表半导体结构的几何特征或制造半导体结构的制程，电子束光刻机台用于制造掩模，掩模被使用以制造半导体结构；产生装置布局；计算出装置布局的第一网栅图案密度图；以及至少基于所产生的第一网栅图案密度图和校正后的光学邻近校正模型，执行光学邻近校正以产生校正后的掩模布局。在一个实施例中，此方法还包括至少基于校正后的掩模布局，产生分割的掩模布局或电子束射图。本公开实施例提供一种掩模制造方法，掩模制造方法包括取得代表长程效应的第一参数的既定值，其中长程效应是由用于制造掩模的电子束光刻机台所引起的效应；至少基于代表长程效应的第一参数的既定值，校正光学邻近校正(OPC)模型；产生装置布局；计算出装置布局的第一网栅图案密度图；至少基于装置布局的第一网栅图案密度图和所得到的代表长程效应的第一参数的既定值，产生长程校正图；以及至少基于所产生的长程校正图和校正后的光学邻近校正模型，执行光学邻近校正以产生校正后的掩模布局。附图说明本公开的观点从后续实施例以及附图可以更佳理解。须知示意图是为范例，并且不同特征并无示意于此。不同特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。图1和图2是为根据本公开实施例的用于制造集成电路(IC)的方法的流程图。图3A和图3B是为根据本公开实施例的在图1和图2的方法中的不同站点中使用布局图案形成布局图案或结构的示例。图4是为根据本公开实施例的用于制造集成电路(IC)的另一种方法的流程图。图5和图6是为根据本公开实施例的用于制造集成电路(IC)的又另一种方法的流程图。图7是为根据本公开实施例的用于制造集成电路的系统的示意图。其中，附图标记说明如下：1000～方法100-140～操作200-290～操作300-330～操作311～矩形312～结构2000～方法100-125～操作305-330～操作3000方法～100-140～操作200-290～操作300-330～操作700～系统710～电脑或电脑系统711～显示器712～处理器713～存储器714～输入/输出界面715～网络界面716～存储装置717～操作系统718～程序或应用719～数据720～掩模和集成电路制程机台730～测试机台740～无线或有线网络具体实施方式本公开提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。举例来说，若是本公开书叙述了一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。另外，以下公开书不同范例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。为了方便起见，本公开以特定的顺序描述了一些所公开的方法、装置以及系统的操作，但是应理解这种描述方式包括重新布置，除非后续的特定描述中需要特定的顺序。举例来说，顺序描述的操作在某些情况下可以重新排列或同时执行。术语“模拟”、“优化”、“调整”、“创建”，“制造”、“制作”、“编造”、“形成”、“比较”、“产生”，“选择”、“确定”、“计算”，“测量”等等被用于描述所公开的方法、装置或系统的操作。这些术语是可被执行的实际操作的高度抽象概念，例如通过一或多个电脑执行，这些电脑连接到网络或从网络断开，并且具有用于接收使用者/设计者的输入及/或命令的使用者界面和数据通信界面或网络界面，以便与半导体制程机台交换数据，半导体制程机台包括光刻机台和电子束直写，但不限于此，和半导体测试(或测量特性、测量或计量)机台，包括扫描式电子显微镜，但不限于此。对应于这些术语的实际操作可以根据具体实施方式而变化，并且所属领域中技术人员可以容易地识别。本公开的技术/操作/步骤中的一些或全部可以通过软件被全部或部分地执行，此软件包括存储在电脑可读取媒体上的电脑可执行指令。举例来说，这种软件可包括适当的电子设计自动化(“EDA”)软件工具。这种软件可以在一或多个电脑或电脑系统上执行。为了明确表示，本公开仅描述了基于软件的实现的某些事项。其他为所属领域中技术人员所知的细节被省略。举例来说，应理解本公开的技术不限于任何特定的电脑语言、电脑程序或电脑。举例来说，本公开的技术可以使用任何商业上可得的电脑来实现，该电脑执行使用任何商业可得语言或其他合适的语言所编写的程序。本公开的任何方法可以在硬件(例如处理器、暂态和非暂态存储器装置以及各种电路)中被替代地(部分地或完全地)执行。由于一些电子设计自动化过程的复杂性和许多电路的大尺寸设计，各种电子设计自动化工具被配置在能够同时执行多个处理线程或多个处理器的计算系统上操作。电脑网络的部件和操作具有主机或主电脑和一或多个远程或服务电脑。从本公开的任何方法所产生的任何数据(例如：中间或最终测试图案，测试图案值、参数或控制数据)可以使用各种不同的数据结构或格式存储在电脑可读取(暂态或非暂态)存储媒体(例如：实体电脑可读取媒体，例如一或多个CD，挥发性存储器部件(例如DRAM或SRAM)，或非易失性存储器部件(例如硬盘))上。这些数据可以使用本地电脑或通过网络(例如，通过服务器电脑)被创建、更新或存储，并且可以在电脑、半导体制程机台以及半导体测试机台之间交换这些数据。在一些实施例中，掩模是图案化基板，用以在光刻制程中图案化涂布在半导体晶圆上的光刻胶。在以下的描述中，掩模、光学遮罩以及倍缩掩模被交换使用。尽管在一些实施例中只有描述一个掩模，但是所属领域中技术人员应理解根据本公开的设计原理可以制造更多的掩模，使得可以使用多个掩模来制造各种半导体层以构成集成电路。在一些实施例中，掩模布局、掩模数据或电子束射图是电子文件或数据类型，其可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模制造方法，包括：通过调整多个参数，以校正一光学邻近校正(OPC)模型，上述参数包括一第一参数和一第二参数，其中上述第一参数代表由一电子束光刻机台引起的长程效应，并且上述第二参数代表一半导体结构的一几何特征或制造上述半导体结构的一制程，上述电子束光刻机台用于制造一掩模，上述掩模被使用以制造上述半导体结构；产生一装置布局；计算出上述装置布局的一第一网栅(grid)图案密度图；至少基于校正后的上述光学邻近校正模型和上述装置布局的上述第一网栅图案密度图，产生一长程校正图；以及至少基于所产生的上述长程校正图和校正后的上述光学邻近校正模型，执行一光学邻近校正以产生一校正后的掩模布局。

【技术特征摘要】
2017.11.15 US 62/586,697;2018.09.27 US 16/144,8821.一种掩模制造方法，包括：通过调整多个参数，以校正一光学邻近校正(OPC)模型，上述参数包括一第一参数和一第二参数，其中上述第一参数代表由一电子束光刻机台引起的长程效应，并且上述第二参数代表一半...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄旭霆，罗世翔，刘如淦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71