光学邻近修正和光掩模制造技术

本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明专利技术的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。

Optical proximity correction and photomask

Examples of techniques for performing optical proximity correction and for forming photomasks are provided. In some instances, the receiving layout includes the shape to be formed on the mask. A plurality of target lithographic contours for shapes are determined. The multiple target lithographic contours include the first target contours for the first set of process conditions and the second target contours for the second set of process conditions that are different from the first target contours. The lithography simulation of the layout is performed to generate the first simulated contour under the first set of process conditions and the second simulated contour under the second set of process conditions. The layout modification is determined based on the edge placement errors between the first simulated contour and the first target contour, and between the second simulated contour and the second target contour. The embodiments of the present invention also relate to optical proximity correction and photomask.

【技术实现步骤摘要】
光学邻近修正和光掩模
本专利技术的实施例涉及光学邻近修正和光掩模。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，这种按比例缩小也伴随着包含这些IC的器件的设计和制造的复杂性增加。制造业的平行进步使得越来越复杂的设计能够以精确和可靠的方式制造。例如，一些进步补偿了在光刻极限附近发生的光学效应和处理缺陷。在许多实例中，使用一组光刻掩模在半导体衬底上限定和形成IC部件。掩模具有由透射和/或反射区域形成的图案。在光刻曝光期间，诸如紫外光的辐射在撞击衬底上的光刻胶涂层之前穿过掩模或从掩模反射。掩模将图案转移到光刻胶上，然后选择性地去除光刻胶以显示图案。然后衬底经历处理步骤，该处理步骤利用剩余光刻胶的形状以在衬底上产生电路部件。当处理步骤完成时，施加另一光刻胶并且使用下一掩模曝光衬底。通过这种方式，部件被分层以产生最终电路。然而，形成在衬底上的图案可以与掩模的图案不同。例如，包括衍射、散射和干涉的光学效应可能影响辐射落在工件上的位置。同样地，掩模、光刻系统和/或工件的特性可以确定光刻胶的哪些部分被暴露。诸如光刻胶显影、蚀刻、沉积、注入等处理步骤的可变性也可能影响最终图案的形状。如果不加以考虑，这些影响可能会导致变化，例如圆角、散射误差、缩颈、桥接和不完整的部件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种制造光掩模的方法，包括：接收布局，所述布局包括要在光掩模上形成的形状；确定用于所述形状的多个目标光刻轮廓，其中，所述多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标光刻轮廓和用于第二组工艺条件的与所述第一目标光刻轮廓不同的第二目标光刻轮廓；执行所述布局的光刻模拟以在所述第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在所述第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓；在所述第一模拟轮廓和所述第一目标光刻轮廓之间确定第一边缘放置误差，并且在所述第二模拟轮廓和所述第二目标光刻轮廓之间确定第二边缘放置误差；基于所述第一边缘放置误差和所述第二边缘放置误差确定对所述布局的修改；以及提供具有所述修改的所述布局以用于制造所述光掩模。本专利技术的另一实施例提供了一种制造光掩模的方法，包括：接收用于制造掩模的布局；确定对应于多组工艺条件的多个目标轮廓，其中，所述多个目标轮廓的第一轮廓不同于所述多个目标轮廓的第二轮廓；对于所述布局的多个潜在修改中的每一个：模拟在所述多组工艺条件下的相应潜在修改的光刻工艺以产生多个模拟轮廓；基于所述多个模拟轮廓和所述多个目标轮廓确定边缘放置误差；并且基于所述边缘放置误差将成本与相应的潜在修改相关联；以及提供所述布局和具有最低相关成本的所述多个潜在修改的修改以用于制造所述掩模。本专利技术的又一实施例提供了一种制造光掩模的方法，包括：接收布局，所述布局包括与要在工件上形成的部件相对应的形状；通过以下步骤确定对所述布局执行的补偿工艺：确定与工艺窗口内的工艺条件对应的所述形状的多个目标轮廓，其中，所述多个目标轮廓的第一轮廓不同于所述多个目标轮廓的第二轮廓；在所述工艺窗口内的所述工艺条件下模拟对所述布局的多个潜在修改以产生模拟轮廓；和基于将所述模拟轮廓与所述多个目标轮廓进行比较，评估所述多个潜在修改的成本；以及提供所述布局和具有最低成本的所述多个潜在修改的修改，以制造用于在所述工件上形成部件的光掩模。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据本专利技术的各个实施例的光刻系统的框图。图2A和图2B是根据本专利技术的各个实施例的限定用于制造集成电路的掩模的方法的流程图。图3是根据本专利技术的各个实施例的用于制造经历制造方法的集成电路的布局的部分的图。图4是根据本专利技术的各个实施例的工艺窗口内的工艺条件的图。图5A至图7C是根据本专利技术的各个实施例的方法的过程期间的模拟环境的图。图8是根据本专利技术的各个实施例的制造光刻掩模的方法的流程图。图9和图10是根据本专利技术的各个实施例制造的掩模的部分的截面图。图11是根据本专利技术的各个实施例制造的掩模的部分的俯视图。图12是根据本专利技术的各个实施例的光刻环境的框图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参照标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。此外，在随后的本专利技术中的另一部件上、连接到和/或耦合到另一部件的部件的形成可以包括其中部件以直接接触的方式形成的实施例，并且还可以包括其中可以形成附加部件插入部件之间的实施例，使得部件可以不直接接触。此外，空间相对术语，例如，“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之上”、“上方”、“之下”、“下方”、“向上”、“向下”、“顶部”、“底部”等以及其衍生物(例如，“水平地”，“向下地”，“向上地”等)用于使本专利技术的一个部件与另一个部件的关系变得容易。空间相对术语旨在覆盖包括部件的器件的不同取向。随着部件尺寸的缩小，掩模部件与在工件上形成的部件之间的差异对器件性能产生更大的影响。在简单线的实例中，各种效果可能倾向于使线端变圆而不是产生清晰的角并且可能倾向于产生不规则宽度的线。这些影响可以来自照明源、掩模、光刻系统、制造工艺(例如，显影、蚀刻、沉积等)和/或其他来源。当然，这些只是集成电路形成中出现的部件差异及其原因的一些实例。其他厚度变化、放置变化和不规则可以单独或组合发生。随着部件的尺寸缩小，这些变化的影响可能会恶化，因为变化保持相同或变大，并且因此缺陷相对于部件增长。为了对此进行补偿，本专利技术的许多实例接收指定要在掩模上并且进而在工件上形成的形状的布局。使用各种修正工艺来修改布局形状，使得当基于布局形成掩模时，工件上的部件按预期打印。在一些这样的实例中，这包括使用布局中的形状和对布局和/或光刻系统的潜在修改来模拟光刻工艺，以确定工件上的所得部件。可以将模拟结果与光刻目标进行比较，并且可以通过所得部件与目标的接近程度来评估每个潜在修改。可以基于其结果来选择修改并将其应用于布局。因为工艺条件可能不可避免地在工件中和工件之间变化，所以可以在多于一组的工艺条件下进行模拟。在一些这样的实例中，这通过为特定的多组工艺条件选择特定的光刻目标来完成。具体地，可以基于其他工艺条件下的模拟结果来确定一些目标。模拟目标可以被配置为优化工艺条件的均匀性的修改而不是符合理想部件。以这种方式和其他方式，一些实施例减少了条件的可变性，改善了对比度，改善了部件保真度，并为光刻工艺提供了其他优点。然而，应理解，没有特定优点是任何特定实施例都需要的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造光掩模的方法，包括：接收布局，所述布局包括要在光掩模上形成的形状；确定用于所述形状的多个目标光刻轮廓，其中，所述多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标光刻轮廓和用于第二组工艺条件的与所述第一目标光刻轮廓不同的第二目标光刻轮廓；执行所述布局的光刻模拟以在所述第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在所述第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓；在所述第一模拟轮廓和所述第一目标光刻轮廓之间确定第一边缘放置误差，并且在所述第二模拟轮廓和所述第二目标光刻轮廓之间确定第二边缘放置误差；基于所述第一边缘放置误差和所述第二边缘放置误差确定对所述布局的修改；以及提供具有所述修改的所述布局以用于制造所述光掩模。

【技术特征摘要】
2017.11.14 US 62/585,914;2018.08.07 US 16/057,2771.一种制造光掩模的方法，包括：接收布局，所述布局包括要在光掩模上形成的形状；确定用于所述形状的多个目标光刻轮廓，其中，所述多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标光刻轮廓和用于第二组工艺条件的与所述第一目标光刻轮廓不同的第二目标光刻轮廓；执行所述布局的光刻模拟以在所述第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在所述第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓；在所述第一模拟轮廓和所述第一目标光刻轮廓之间确定第一边缘放置误差，并且在所述第二模拟轮廓和所述第二目标光刻轮廓之间确定第二边缘放置误差；基于所述第一边缘放置误差和所述第二边缘放置误差确定对所述布局的修改；以及提供具有所述修改的所述布局以用于制造所述光掩模。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述第一组工艺条件对应于最佳工艺条件；并且所述第二组工艺条件包括与最佳值不同的工艺条件。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二目标光刻轮廓基于在与所述第二组工艺条件不同的第三组工艺条件下的所述布局的模拟。4.根据权利要求3所述的方法，其中：所述第二组工艺条件包括与最佳值不同的工艺条件；并且所述第三组工艺条件包括所述最佳值。5.根据权利要求3所述的方法，其中：所述多个目标光刻轮廓还包括用于第四组工艺条件的第三目标光刻轮廓；执行所述布局的光刻模拟还在所述第四组工艺条件下产生第三模拟轮廓；并且所述第三组工艺条件包括作为所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑东祐，谢艮轩，张世明，李志杰，周硕彦，刘如淦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71