聚合物、补偿膜、光学膜和显示装置制造方法及图纸

公开聚合物、补偿膜、光学膜、和显示装置。所述聚合物包括由化学式1表示的第一结构单元，其中化学式1中的L

【技术实现步骤摘要】
聚合物、补偿膜、光学膜和显示装置对相关申请的交叉引用本申请要求2015年12月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0186668的优先权、以及由其产生的所有权益，其内容通过参考全部引入本文中。
公开聚合物、补偿膜、光学膜、和显示装置。
技术介绍
平板显示器可分类为自身发射光的发光显示装置和需要独立的光源的非发射型显示装置，其中采用补偿膜或光学膜以改善其图像品质。在可改善现有的补偿和光学膜的性质的新型聚合物方面仍然存在需要。
技术实现思路
一个实施方式提供可应用于补偿膜的新型聚合物。另一实施方式提供包括所述聚合物的补偿膜。又一实施方式提供包括所述补偿膜的光学膜。还一实施方式提供包括所述补偿膜的显示装置。根据一个实施方式，提供聚合物，其包括由化学式1表示的第一结构单元。化学式1在化学式1中，L1为单键、O、C(＝O)、C(＝O)O、或C(＝O)NRa，R1-R5和Ra独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和n1为1-5。所述第一结构单元可由化学式1-1表示。化学式1-1在化学式1-1中，R1-R5独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和n1为1-5。所述聚合物可进一步包括由化学式2表示的第二结构单元。化学式2在化学式2中，L2为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团、由化学式A表示的基团、或其组合，化学式A在化学式A中，L3为单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团、O、C(＝O)、C(＝O)O、SiRbRc、S、SO2、或其组合，R6、R7、Rb和Rc独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合。所述第二结构单元可由化学式2-1到2-10之一表示。在化学式2-1到2-10中，R6-R12和R14-R19独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，R13为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团或其组合。所述第一结构单元和所述第二结构单元的摩尔比可为约1:99-约99:1。所述第一结构单元和所述第二结构单元的摩尔比可为约1:99-约50:50。根据另一实施方式，提供补偿膜，其包括具有由化学式1表示的第一结构单元的第一聚合物。化学式1在化学式1中，L1为单键、O、C(＝O)、C(＝O)O、或C(＝O)NRa,R1-R5和Ra独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和n1为1-5。所述第一结构单元可由化学式1-1表示。化学式1-1在化学式1-1中，R1-R5独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和n1为1-5。所述第一聚合物可进一步包括由化学式2表示的第二结构单元。化学式2在化学式2中，L2为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团、由化学式A表示的基团、或其组合，化学式A其中，在化学式A中，L3为单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团、O、C(＝O)、C(＝O)O、SiRbRc、S、SO2、或其组合，和R6、R7、Rb和Rc独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合。所述第二结构单元可由化学式2-1到2-10之一表示。在化学式2-1到2-10中，R6-R12和R14-R19独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和R13为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团或其组合。所述第一聚合物可以约1:99-约99:1的摩尔比包括所述第一结构单元和所述第二结构单元。所述第一聚合物可以约1:99-约50:50的摩尔比包括所述第一结构单元和所述第二结构单元。所述补偿膜可进一步包括不同于所述第一聚合物的第二聚合物。所述补偿膜可为单轴或双轴伸长的。所述补偿膜可被伸长约1.1倍-约5.0倍。所述补偿膜的在550纳米波长处的面内延迟可为约10纳米-约300纳米。所述补偿膜的在450纳米波长、550纳米波长、和650纳米波长处的延迟值可满足关系方程1到5之一。关系方程1R(450nm)≥R(550nm)>R(650nm)关系方程2R(450nm)>R(550nm)≥R(650nm)关系方程3R(450nm)＝R(550nm)＝R(650nm)关系方程4R(450nm)≤R(550nm)<R(650nm)关系方程5R(450nm)<R(550nm)≤R(650nm)在关系方程1到5中，R(450nm)为在450纳米波长处的面内延迟或厚度方向延迟，R(550nm)为在550纳米波长处的面内延迟或厚度方向延迟，和R(650nm)为在650纳米波长处的面内延迟或厚度方向延迟。所述第一聚合物可以约10:90-约20:80的摩尔比包括所述第一结构单元和所述第二结构单元，和所述补偿膜的在450纳米波长、550纳米波长、和650纳米波长处的延迟值可满足关系方程1到3之一。本文档来自技高网...

【技术保护点】
聚合物，其包括由化学式1表示的第一结构单元：化学式1

【技术特征摘要】
2015.12.24 KR 10-2015-01866681.聚合物，其包括由化学式1表示的第一结构单元：化学式1其中，在化学式1中，L1为单键、O、C(＝O)、C(＝O)O、或C(＝O)NRa，R1-R5和Ra独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和n1为1-5。2.如权利要求1所述的聚合物，其中所述第一结构单元由化学式1-1表示：化学式1-1其中，在化学式1-1中，R1-R5独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和n1为1-5。3.如权利要求1所述的聚合物，其中所述聚合物进一步包括由化学式2表示的第二结构单元：化学式2其中，在化学式2中，L2为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团、由化学式A表示的基团、或其组合，化学式A其中，在化学式A中，L3为单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团、O、C(＝O)、C(＝O)O、SiRbRc、S、SO2、或其组合，和R6、R7、Rb、和Rc独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合。4.如权利要求3所述的聚合物，其中所述第二结构单元由化学式2-1到2-10之一表示：其中，在化学式2-1到2-10中，R6-R12和R14-R19独立地为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C3-C20杂环基团、取代或未取代的甲硅烷基、羟基、卤素、硝基、或其组合，和R13为取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C6-C20亚芳基、取代或未取代的C3-C20二价杂环基团或其组合。5.如权利要求3所述的聚合物，其中所述第一结构单元和所述第二结构单元的摩尔比为1:99-99:1。6.如权利要求3所述的聚合物，其中所述第一结构单元和所述第二结构单元的摩尔比为1:99-50:50。7.补偿膜，其包括如权利要求1-6任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻雅司，D安德罗索夫，金畅基，崔玹硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR