一种量子点膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及量子点膜技术领域，尤其涉及一种具有水氧阻隔层的量子点膜。为了提高量子点膜的耐高温高湿性能和抗氧化性能，本发明专利技术提供一种量子点膜。所述量子点膜包括量子点层，水氧阻隔层，PET阻隔层，和保护层；所述水氧阻隔层包括上水氧阻隔层和下水氧阻隔层；所述PET阻隔层包括上PET阻隔层和下PET阻隔层；所述保护层包括上保护层和下保护层；所述量子点膜依次包括上保护层、上PET阻隔层、上水氧阻隔层、量子点层、下水氧阻隔层、下PET阻隔层和下保护层；所述量子点层包括胶粘剂、硅胶微粒和扩散粒子，所述硅胶微粒中包含量子点颗粒。该量子点膜具有较好的耐高温高湿性能和抗氧化性能，从而能够提高显示器的使用寿命。

Quantum dot film and preparation method thereof

The invention relates to the field of quantum dot film technology, in particular to a quantum dot film with a water oxygen barrier layer. In order to improve the high temperature resistance, high humidity performance and oxidation resistance of the quantum dot film, the invention provides a quantum dot film. The quantum dots film including quantum dot layer, water oxygen barrier layer, PET layer, and a protective layer; the water oxygen barrier layer comprises a water oxygen barrier layer and water oxygen barrier; the PET barrier layer includes PET barrier layer and PET barrier layer; the protective layer comprises a protective layer and under the protective layer; the quantum dots film includes upper protective layer, PET barrier layer, water oxygen barrier layer and quantum dot layer, water oxygen barrier, PET barrier layer and protective layer; the quantum dot layer includes adhesive, silica gel particles and particle diffusion, the silica particles in the package quantum dots containing particles. The quantum dot film has better resistance to high temperature, humidity and oxidation resistance, thus improving the service life of the display.

【技术实现步骤摘要】
一种量子点膜及其制备方法
本专利技术涉及量子点膜
，尤其涉及一种具有水氧阻隔层的量子点膜及其制备方法。
技术介绍
如今移动电子设备上使用的LED都是以设备背面的一组发光二极管作为光源，或者采用蓝光LED和稀土荧光粉相配合以达到显示不同色彩的效果。传统LED背光液晶的色域只有70％NTSC，色彩表现力一般。量子点膜技术是在传统组件中采用量子点替代了荧光粉，数万亿个在薄膜保护下的量子点将会取代LED本身的背光模块把大约三分之二由背光源发出的蓝色光转化为红光和绿光。与传统LED发出的白光相比，有更多的红、绿、蓝色光透过滤色片，因而显示更加明亮，色彩更丰富。量子点膜可以实现全色域，提高色域到100％NTSC以上。但是，量子点膜耐高温高湿和抗氧化性较差，会降低显示器的使用寿命。提高耐高温高湿和抗氧化性能是制备量子点膜的一大重点。
技术实现思路
为了提高量子点膜的耐高温高湿性能和抗氧化性能，本专利技术提供一种量子点膜及其制备方法。该量子点膜具有较好的耐高温高湿性能和抗氧化性能，从而能够提高显示器的使用寿命。本专利技术通过制备一种高阻隔性的水氧阻隔层用于量子点膜，以提高量子点膜的水氧阻隔率及使用寿命，减少量子点衰减，减小背光模组的亮度与色域的衰减。为了解决上述技术问题，本专利技术提供下述技术方案：本专利技术提供一种量子点膜，所述量子点膜包括量子点层，水氧阻隔层，PET阻隔层，和保护层；所述水氧阻隔层包括上水氧阻隔层和下水氧阻隔层；所述PET阻隔层包括上PET阻隔层和下PET阻隔层；所述保护层包括上保护层和下保护层；所述量子点膜依次包括上保护层、上PET阻隔层、上水氧阻隔层、量子点层、下水氧阻隔层、下PET阻隔层和下保护层；所述量子点层包括胶粘剂、硅胶微粒和扩散粒子，所述硅胶微粒中包含量子点颗粒。量子点颗粒简称量子点。进一步的，所述硅胶微粒和扩散粒子分散在量子点层的胶黏剂中。进一步的，所述硅胶微粒具有微孔，所述微孔内吸附有量子点颗粒。进一步的，所述PET阻隔层主要由PET组成。进一步的，本专利技术提供的量子点膜呈上下对称结构，中间一层结构为量子点层。上水氧阻隔层和下水氧阻隔层统称为上下水氧阻隔层，上水氧阻隔层或下水氧阻隔层可简称为水氧阻隔层。上PET阻隔层和下PET阻隔层统称为上下PET阻隔层。上PET阻隔层或下PET阻隔层可简称为PET阻隔层。上保护层和下保护层统称为上下保护层。上保护层或下保护层可简称为保护层。进一步的，在所述的量子点膜中，所述量子点层包括下述组份：胶粘剂(与称为胶黏剂)68-79％，硅胶微粒10-15％，扩散粒子10-15％，光引发剂1-2％；所述量子点颗粒的含量为所述硅胶微粒的5-10％；所述百分含量为重量百分含量。进一步的，所述量子点层的厚度为100-200μm，一个水氧阻隔层的厚度为10-20nm，一个PET阻隔层的厚度为50-150μm，一个保护层的厚度为5-20μm。进一步的，所述一个PET阻隔层的厚度为100μm。进一步的，所述量子点层的厚度为100-150μm。进一步的，所述一个保护层的厚度为15μm。进一步的，所述量子点颗粒的含量为所述硅胶微粒的5-8％。进一步的，所述PET阻隔层为透明PET基材。进一步的，所述PET阻隔层选自现有PET基材。进一步的，在所述的量子点膜中，所述保护层的材料包括下述组份：胶黏剂80-85％，抗粘连粒子15-20％；所述百分含量为重量百分含量。进一步的，在所述的量子点膜中，所述保护层中的胶黏剂选自聚氨酯丙烯酸酯胶水、环氧丙烯酸酯胶水或聚酯丙烯酸酯胶水中的一种。进一步的，所述保护层中的胶黏剂采用UV固化树脂。进一步的，所述抗粘连粒子选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子、聚酯粒子、聚碳酸酯粒子、聚苯乙烯粒子、或二氧化硅粒子中的一种或至少两种的组合。进一步的，所述抗粘连粒子的粒径为5-12μm。所述量子点颗粒的材料选自半导体材料中的一种或几种的组合。所述硅胶微粒上的微孔的孔径为5-20nm，量子点吸附或包裹在微孔中。进一步的，在所述的量子点膜中，在量子点层中，所述胶黏剂选自聚氨酯丙烯酸酯胶水、环氧丙烯酸酯胶水或聚酯丙烯酸酯胶水中的一种；进一步的，所述扩散粒子选自聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚酯粒子、聚碳酸酯粒子、或二氧化硅粒子中的一种或至少两种的组合。进一步的，所述扩散粒子为聚甲基丙烯酸甲酯粒子和二氧化硅粒子的组合，其中，聚甲基丙烯酸甲酯粒子和二氧化硅粒子的质量比为6:1-8:1。进一步的，所述扩散粒子为聚酯粒子和二氧化硅粒子的组合，其中，聚酯粒子和二氧化硅粒子的质量比为6:1。进一步的，所述扩散粒子为聚碳酸酯粒子和二氧化硅粒子的组合，其中，聚碳酸酯粒子和二氧化硅粒子的质量比为4:1-6:1。进一步的，所述扩散粒子为聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚酯粒子和二氧化硅粒子的组合，其中，聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚酯粒子和二氧化硅粒子的质量比为2:2:1。进一步的，所述扩散粒子为聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚碳酸酯粒子和二氧化硅粒子的组合，其中，聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚碳酸酯粒子和二氧化硅粒子的质量比为2:2:1。进一步的，所述扩散粒子为聚甲基丙烯酸甲酯粒子和聚酯粒子的组合，其中，聚甲基丙烯酸甲酯粒子和聚酯粒子的质量比为1:1。进一步的，在所述的量子点膜中，所述硅胶微粒的粒径为1-20μm，扩散粒子的粒径为1-35μm。进一步的，所述硅胶微粒的粒径为1-20μm，扩散粒子的粒径为1-20μm。进一步的，所述量子点层中的胶黏剂选用UV固化的丙烯酸树脂。进一步的，在所述的量子点膜中，所述水氧阻隔层为硅氧化物薄膜，所述硅氧化物薄膜由原子层沉积方式制备而成，所述硅氧化物薄膜的厚度为10-20nm。本专利技术采用原子层沉积(ALD)的方式沉积硅氧化物薄膜。硅氧化物薄膜通常使用PECVD和PVD的方式沉积。ALD方式沉积的硅氧化物薄膜均匀度更好，性能更优异。进一步的，在所述的量子点膜中，所述量子点层包括下述组份：胶粘剂74-78％，硅胶微粒10-12％，扩散粒子10-12％，光引发剂2％；所述量子点颗粒的含量为所述硅胶微粒的5-8％；所述硅胶微粒的粒径为10-20μm，扩散粒子的粒径为10-20μm；所述百分含量为重量百分含量。进一步的，在所述的量子点膜中，所述PET阻隔层为透明PET。进一步的，所述保护层涂布于透明PET的一个表面。本专利技术还提供所述的量子点膜中的水氧阻隔层的制备方法，该方法包括下述步骤：(1)采用PET阻隔层作为基底；(2)采用氯硅烷或氨基硅烷作为前驱体，以O3为反应源，沉积温度为50-220℃，在PET阻隔层上沉积硅氧化物薄膜。硅氧化物薄膜即水氧阻隔层。PET阻隔层与水氧阻隔层合称为水氧阻隔膜。进一步的，在上述步骤(2)中，沉积温度高反应更快，但由于基材PET的熔点在250-260℃，选择较低温度更有利于基材的稳定性。沉积温度优选50-180℃。进一步的，沉积温度为100℃。氯硅烷的化学式为HnSiCl4-n。其中，n选自0、1、2、或3。氨基硅烷的化学式为H2NCH2CH2CH2Si(OC2H5)3。形成硅氧化物的机理主要是在基材PET的表面分解留下一个-SiH3基团，-SiH3基团被O3分子氧化为-Si(OH)3基团，再脱水缩合成为硅氧化物薄膜。本专利技术还提供所述的量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点膜，其特征在于，所述量子点膜包括量子点层，水氧阻隔层，PET阻隔层，和保护层；所述水氧阻隔层包括上水氧阻隔层和下水氧阻隔层；所述PET阻隔层包括上PET阻隔层和下PET阻隔层；所述保护层包括上保护层和下保护层；所述量子点膜依次包括上保护层、上PET阻隔层、上水氧阻隔层、量子点层、下水氧阻隔层、下PET阻隔层和下保护层；所述量子点层包括胶粘剂、硅胶微粒和扩散粒子，所述硅胶微粒中包含量子点颗粒。

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜，其特征在于，所述量子点膜包括量子点层，水氧阻隔层，PET阻隔层，和保护层；所述水氧阻隔层包括上水氧阻隔层和下水氧阻隔层；所述PET阻隔层包括上PET阻隔层和下PET阻隔层；所述保护层包括上保护层和下保护层；所述量子点膜依次包括上保护层、上PET阻隔层、上水氧阻隔层、量子点层、下水氧阻隔层、下PET阻隔层和下保护层；所述量子点层包括胶粘剂、硅胶微粒和扩散粒子，所述硅胶微粒中包含量子点颗粒。2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点层包括下述组份：胶粘剂68-79％，硅胶微粒10-15％，扩散粒子10-15％，光引发剂1-2％；所述量子点颗粒的含量为所述硅胶微粒的5-10％；所述百分含量为重量百分含量。3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述保护层的材料包括下述组份：胶黏剂80-85％，抗粘连粒子15-20％；所述百分含量为重量百分含量。4.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，在量子点层中，所述胶黏剂选自聚氨酯丙烯酸酯胶水、环氧丙烯酸酯胶水或聚酯丙烯酸酯胶水中的一种；所述扩散粒子选自聚甲基丙烯酸甲酯粒子、聚酯粒子、聚碳酸酯粒子、或二氧化硅粒子中的一种或至少两种的组合。5.根据权利要求4所述的量子点层，其特征在于，所述硅胶微粒的粒径为1-20μm，扩散粒子的粒径为1-35μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：金亚东，张克然，谷文翠，
申请(专利权)人：宁波长阳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33