量子点光刻胶、彩膜基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:12383213 阅读:117 留言:0更新日期:2015-11-25 14:37
本发明专利技术公开了一种量子点光刻胶、彩膜基板及显示装置,属于显示技术领域。所述量子点光刻胶包括:光扩散体和量子点,所述光扩散体用于折射光线。本发明专利技术解决了背光源发出的光线的利用率较低的问题,提高了对背光源发出的光线的利用率,增强了显示装置的显示效果,本发明专利技术用于显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,特别涉及一种量子点光刻胶、彩膜基板及显示装置
技术介绍
随着显示技术的发展,显示装置在人们的生产和生活中得到了广泛的应用。显示装置包括阵列基板、彩膜基板、填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶以及背光源。示例的,彩膜基板可以包括衬底基板,该衬底基板上形成有的彩色滤色层,形成有彩色滤色层的衬底基板上形成有量子点光刻胶,其中,该量子点光刻胶包括三种量子点,分别为红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点,且该三种量子点在受到白色光线照射后,分别能够激发出红色、绿色和蓝色的光。在该显示装置显示图像时,由背光源发出的白色光线可以照射在量子点上,量子点能够激发出红色、绿色或蓝色的光,使得该显示装置显示图像。由于相关技术中,量子点之间存在间隙,当背光源发出的白色光线照射在量子点之间的间隙时,该光线未经过量子点就射出该显示装置,造成了背光源发出的光线的浪费,因此,背光源发出的光线的利用率较低。
技术实现思路
为了解决背光源发出的光线的利用率较低的问题,本专利技术提供了一种量子点光刻胶、彩膜基板及显示装置。所述技术方案如下:第一方面,提供了一种量子点光刻胶,所述量子点光刻胶包括:光扩散体和量子点,所述光扩散体用于折射光线。可选的,所述量子点光刻胶还包括:粘合剂、单体、光引发剂、可溶解光刻胶的溶剂和活性添加剂,其中,所述光扩散体的质量百分比为5%?30%,所述量子点的质量百分比为5%?40 %,所述粘合剂的质量百分比为5 %?40 %,所述单体的质量百分比为I %?15 %,所述光引发剂的质量百分比为0.5%?5%,所述可溶解光刻胶的溶剂的质量百分比为20%?70%,所述活性添加剂的质量百分比为1%?3%。可选的,所述光扩散体的质量百分比为10%,所述量子点的质量百分比为10%,所述粘合剂的质量百分比为30%,所述单体的质量百分比为5%,所述光引发剂的质量百分比为2%,所述可溶解光刻胶的溶剂的质量百分比为40%,所述活性添加剂的质量百分比为3%。 可选的,所述粘合剂为丙烯酸树脂,所述单体为丙烯酸类单体,所述光引发剂为二苯甲酮类光引发剂,所述可溶解光刻胶的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯溶剂,所述活性添加剂为流平剂。可选的,所述光扩散体均勾的分布在所述量子点光刻胶上。可选的,所述光扩散体为有机光扩散体。可选的,所述光扩散体为聚苯乙烯小球、二氧化硅小球或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA微球。可选的,所述量子点光刻胶的厚度为I?3微米。第二方面,提供了一种彩膜基板,所述彩膜基板包括:衬底基板,所述衬底基板上形成有彩色滤色层,形成有所述彩色滤色层的衬底基板上形成有量子点光刻胶层,所述量子点光刻胶层由第一方面所述的量子点光刻胶形成。第三方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括如第二方面所述的彩膜基板。本专利技术提供了一种量子点光刻胶、彩膜基板及显示装置,量子点光刻胶包括光扩散体和量子点,且光扩散体用于折射光线,因此,当该量子点光刻胶用于显示装置中的彩膜基板中时,光扩散体能够将该显示装置中的背光源发出的光线折射至量子点上,使得照射在量子点上的光线增多,从而提高了对背光源发出的光线的利用率,增强了显示装置的显示效果。应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本专利技术。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1-1是本专利技术实施例提供的一种量子点光刻胶的结构示意图;图1-2是现有技术提供的一种量子点光刻胶的结构示意图;图1-3为图1-2所示的量子点光刻胶对应的光谱图;图1-4是本专利技术实施例提供的另一种量子点光刻胶的结构示意图;图1-5为图1-4所示的量子点光刻胶对应的光谱图;图2是本专利技术实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图;图3是本专利技术实施例提供的另一种彩膜基板结构示意图;图4是本专利技术实施例提供的又一种彩膜基板的结构示意图。通过上述附图,已示出本专利技术明确的实施例,后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本专利技术构思的范围,而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本专利技术的概念。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。如图1-1所示,本专利技术实施例提供了一种量子点光刻胶0,该量子点光刻胶O可以包括:光扩散体01和量子点02,该光扩散体01可以用于折射光线。综上所述,由于本专利技术实施例提供的量子点光刻胶包括光扩散体和量子点,且光扩散体用于折射光线,因此,当该量子点光刻胶用于显示装置中的彩膜基板中时,光扩散体能够将该显示装置中的背光源发出的光线折射至量子点上,使得照射在量子点上的光线增多,从而提高了对背光源发出的光线的利用率,增强了显示装置的显示效果。可选的,该量子点光刻胶O还可以包括粘合剂(图1-1中未示出)、单体(图1-1中未示出)、光引发剂(图1-1中未示出)、可溶解光刻胶的溶剂(图1-1中未示出)和活性添加剂(图1-1中未示出)。在该量子点光刻胶O中,光扩散体01的质量百分比可以为5%?30 %,量子点02的质量百分比可以为5 %?40 %,粘合剂的质量百分比可以为5 %?40%,单体的质量百分比可以为1%?15%,光引发剂的质量百分比可以为0.5%?5%,可溶解光刻胶的溶剂的质量百分比可以为20%?70%,活性添加剂的质量百分比可以为I %?3 %。不例的,量子点02可以由硫化锦(简称:(MS)、砸化锦(简称:CdSe)、碲化锦(简称:CdTe)、硫化锌(简称:ZnS)、砸化锌(简称:ZnSe)、碲化锌(简称:ZnTe)、硫化汞(简称:HgS)、碲化萊(简称:HgTe)、氮化镓(简称:GaN)、砷化镓(简称:GaAs)、磷化铟(简称:InP)、砷化铟(简称:InAs)中的一种或多种组成,且组成该量子点各个元素的混合类型可以为均一混合类型、梯度混合类型、核壳类型或联合类型。示例的,在该量子点光刻胶O中,光扩散体01的质量百分比可以为10%?20%。在量子点光刻胶O中光扩散体01的质量百分比为10%?20%时,量子点光刻胶O对光线的利用率较高,且量子点光刻胶O的曝光性能较好,在对该量子点光刻胶O进行曝光时,不会出现曝光不完全和量子点光刻胶残留的现象,优选的,在量子点光刻胶O中,光扩散体01的质量百分比可以为10%。具体的,该光扩散体01的质量百分比可以为10%,该量子点02的质量百分比可以为10%,该粘合剂的质量百分比可以为30%,该单体的质量百分比可以为5%,该光引发剂的质量百分比可以为3%,该可溶解光刻胶的溶当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点光刻胶,其特征在于,所述量子点光刻胶包括:光扩散体和量子点,所述光扩散体用于折射光线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:齐永莲周婷婷张斌谷新徐传祥
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1