量子点彩膜基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，提供一种量子点彩膜基板及其制作方法、显示装置，在量子点彩膜基板的制作方法中，由于在后序针对不同区域采用半曝光技术，这样前面工序中通过依次涂覆绿光量子点薄膜、红光量子点薄膜这样一道黄光制程即最终实现彩膜制备，相比现有工艺省去了一道黄光制程，简化了制作工艺，节约了制作成本；而且，应用到显示装置中，蓝色背光经绿色子像素区域的绿光量子点薄膜层全部转换成绿光，蓝色背光经红色子像素区域的绿光量子点薄膜层转换成绿光，再经红光量子点薄膜层转换成红光，蓝色背光的利用率达到100％。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种量子点彩膜基板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、预备基板，所述基板上具有间隔设置的红色子像素区域、绿色子像素区域以及蓝色子像素区域；S2、于所述基板上沉积绿光量子点薄膜层，所述绿光量子点薄膜层覆盖整个所述基板；S3、于所述绿光量子点薄膜层上沉积红光量子点薄膜层；S4、于所述红光量子点薄膜层上沉积光阻薄膜层；S5、对所述光阻薄膜层进行曝光，其中，与所述蓝色子像素区域正对的光阻薄膜层区域全部曝光，与相邻子像素区域之间间隔处对应的光阻薄膜区域全部曝光，与所述绿色子像素区域正对的光阻薄膜层区域半曝光，与所述红色子像素区域正对的光阻薄膜层区域不曝光；S6、对S5步骤中曝光后的光阻薄膜层区域进行显影，图案化光阻薄膜层，将与所述蓝色子像素区域正对的光阻薄膜层区域去除，将与相邻子像素区域之间间隔处正对的光阻薄膜层区域去除，形成光阻掩膜层；S7、利用S6步骤中形成的光阻掩膜层对量子点薄膜进行刻蚀，去除无光阻掩膜层保护的与蓝光子像素区域正对的区域处的红光量子点薄膜层及绿光量子点薄膜层；去除无光阻掩膜层保护的与相邻子像素区域之间间隔处正对的区域处的红光量子点薄膜层及绿光量子点薄膜层；剥离与所述绿色子像素区域正对的光阻掩膜层，并去除与所述绿色子像素区域正对的区域处的红光量子点薄膜层，最后剥离与所述红色子像素区域正对的区域处的光阻掩膜层，形成所述的量子点彩膜基板。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44