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本发明涉及EUV掩模制造方法、提供监控宏的方法及光学邻近校正方法。在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的EUV掩模的方法包括：考虑由EUV曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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