一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置，所述检测方法包括步骤：根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。本发明专利技术对经过预处理薄膜晶体管进行多次电性实测，然后根据多次电性实测的参数来得可以用于模拟检测薄膜晶体管器件的电性的模拟模型，通过大量测试得到的这个模拟模型可以用于之后对薄膜晶体管的关键点的模拟测试，这样，若想要了解薄膜晶体管的性能，就可以通过代入预设的工作参数即可，节省了时间和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置。
技术介绍
在显示产品的设计过程中，对于薄膜晶体管检测和制造，最为关心的不是整条曲线的拟合程度，而是曲线上一些非常重要的点，这里称为关键点；在薄膜晶体管检测和制造的时候，曲线上的其他点可以在仿真结果和测试结果之间可以有所偏差；但是，关键点对应的这些点要尽可能准确。现薄膜晶体管检测和制造时，对产品的检验与生产质量把控需要对大量产品进行实测，耗时多、成本高。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置，以节省时间和成本。为实现上述目的，本专利技术提供了一种薄膜晶体管的检测方法，包括步骤：根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：根据预设的所述关键点参数作为测试参数，对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果记为Y。可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：根据所述预设的关键点参数作为计算参数，将所述计算参数代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型，计算得到对应的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果记为Y’。可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X1，持续一预设的时间段t1，其中，所述时间段t1＝0s，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y1；根据所述驱动电压X1为计算参数，将所述驱动电压X1代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y1’；对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X2，持续一预设的时间段t2，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y2；根据所述驱动电压X2与所述时间段t2为计算参数，将所述驱动电压X2与所述时间段t2代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y2’；对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压Xn，持续一预设的时间段tn，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Yn；直至所有实测时间段都检测完成；根据所述驱动电压Xn与所述时间段tn为计算参数，将所述驱动电压Xn与所述时间段tn代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Yn’。可选的，预设的所述模型为：dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ；其中，A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；μ为模型参数。可选的，所述μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)，其中，B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；Vds是漏极与源极间的电压；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间。可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：根据(所述驱动电压X1，所述时间段t1,所述第一电性结果Y1)、(所述驱动电压X2，所述时间段t2,所述第一电性结果Y2)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第一电性结果Yn)多组数据，显示出实测的第一类曲线；根据(所述驱动电压X1，所述时间段t1,所述第二电性结果Y1’)、(所述驱动电压X2，所述时间段t2,所述第二电性结果Y2’)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线；将所述第一类曲线和所述第二类曲线进行拟合。可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：将所述第一类曲线和所述第二类曲线拟合后，对比所述第一电性结果Y1与第二电性结果Y1’、第一电性结果Y2与第二电性结果Y2’以及第一电性结果Yn与第二电性结果Yn’；如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值在预设的范围内，那么预设的所述模型可用于对薄膜晶体管进行模拟电性测试；如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值超出预设的范围，那么调整预设的所述模型参数μ，并重新进行实测和模拟，然后对所述第一电性结果与所述第二电性结果。本专利技术还公开了一种薄膜晶体管的检测方法，包括步骤：根据预设的所述关键点参数作为测试参数，对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果记为Y；根据所述预设的关键点参数X作为计算参数，将所述关键点参数X代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型；预设的所述模型为dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ，计算得到对应的所述薄膜晶体管的第二电性结果记为Y’；其中，μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)，μ为待确定的模型参数；A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；Vds是漏极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间；对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X1，持续一预设的时间段t1，其中，所述时间段t1＝0s，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y1；根据所述驱动电压X1为计算参数，将所述驱动电压X1代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y1’；对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X2，持续一预设的时间段t2，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y2；根据所述驱动电压X2与所述时间段t2为计算参数，将所述驱动电压X2与所述时间段t2代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y2’；对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压Xn，持续一预设的时间段tn，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Yn；直至所有实测时间段都检测完成；根据所述驱动电压Xn与所述时间段tn为计算参数，将所述驱动电压Xn与所述时间段tn代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Yn’；根据(所述驱动电压X1，所述时间段t1,所述第一电性结果Y1)、(所述驱动电压X2，所述时间段t2,所述第一电性结果Y2)以及(所述驱动电压Xn本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：根据预设的所述关键点参数作为测试参数，对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果记为Y。3.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：根据所述预设的关键点参数作为计算参数，将所述计算参数代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型，计算得到对应的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果记为Y’。4.如权利要求3所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X1，持续一预设的时间段t1，其中，所述时间段t1＝0s，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y1；根据所述驱动电压X1为计算参数，将所述驱动电压X1代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y1’；对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X2，持续一预设的时间段t2，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y2；根据所述驱动电压X2与所述时间段t2为计算参数，将所述驱动电压X2与所述时间段t2代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y2’；对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压Xn，持续一预设的时间段tn，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Yn；直至所有实测时间段都检测完成；根据所述驱动电压Xn与所述时间段tn为计算参数，将所述驱动电压Xn与所述时间段tn代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Yn’。5.如权利要求4所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，预设的所述模型为：dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ；其中，A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；μ为待确定的模型参数。6.如权利要求5所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，所述μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)；其中，B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；Vds是漏极与源极间的电压；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间。7.如权利要求6所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：根据(所述驱动电压X1，所述时间段t1,所述第一电性结果Y1)、(所述驱动电压X2，所述时间段t2,所述第一电性结果Y2)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第一电性结果Yn)多组数据，显示出实测的第一类曲线；根据(所述驱动电压X1，所述时间段t1,所述第二电性结果Y1’)、(所述驱动电压X2，所述时间段t2,所述第二电性结果Y2’)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线；将所述第一类曲线和所述第二类曲线进行拟合。8.如权利要求7所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：将所述第一类曲线和所述第二类曲线拟合后，对比所述第一电性结果Y1与第二电性结果Y1’、第一电性结果Y2与第二电性结果Y2’以及第一电性结果Yn与第二电性结果Yn’；如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值在预设的范围内，那么预设的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩宗，莫琼花，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44