晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，即使是非晶体等晶片，也能够不产生弯曲行进地进行分割。一种晶片的加工方法，沿着多条分割预定线对晶片(W)进行分割，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而沿着分割预定线形成分割起点用改质层(65a～65c)；以及对晶片赋予外力而以分割起点用改质层为起点将晶片沿着分割预定线分割。构成为当在晶片的背面(61)侧形成分割起点用改质层(65c)时，在分割起点用改质层的形成之前，按照第一输出以下的输出照射激光束而在背面附近形成作为改质层的对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层(66)之后，在与裂纹引导层同等的位置形成分割起点用改质层。

Processing method of wafer

Provides a wafer processing method, even amorphous wafers, can be segmented without bending. A wafer processing method, which divides wafers (W) along multiple dividing predetermined lines, includes the following steps: irradiating a laser beam with a transmittance wavelength to the wafer and forming a dividing starting point along the dividing predetermined line with a modification layer (65a-65c); and imposing external force on the wafer to divide the wafer along the dividing starting point with a modification layer as the starting point to divide the wafer along the dividing starting point. Cut the predefined line to segment. When a modified layer (65c) is formed on the back (61) side of the wafer, a crack guiding layer (66) guided by the direction of crack extension is formed near the back by irradiating the laser beam below the first output before the modified layer is formed at the split starting point, and then a modified layer is formed at the same position as the crack guiding layer.

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将晶片分割成各个芯片。
技术介绍
作为晶片的加工方法，提出了如下的方法：照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层，然后对晶片赋予外力而以改质层为起点将晶片分割成各个芯片(例如，参照专利文献1)。在专利文献1记载的加工方法中，沿着晶片的分割预定线形成改质层并且使裂纹在厚度方向上延伸，从而使裂纹在晶片的正面或背面上露出。并且，在裂纹侧的延伸侧对晶片进行按压，从而晶片被顺利地分割。专利文献1：日本特许第4402708号公报但是，特别是在晶片为玻璃等非晶体的情况下，有时裂纹并不是从改质层朝向晶片的正面或背面呈直线状延伸，在晶片的正面或背面侧露出的裂纹是弯曲行进的。因此，存在无法精度良好地对晶片进行分割的问题。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，即使是非晶体等的晶片，也能够不产生弯曲行进地将该晶片分割成芯片。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，对设定有交叉的多条分割预定线的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部，从晶片的一个面按照第一输出对与该分割预定线相对应的区域照射激光束，从而在晶片的内部形成分割起点用改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予外力而以该分割起点用改质层为起点将晶片沿着该分割预定线进行分割，该改质层形成步骤包含如下的子步骤：第一子步骤，在该分割起点用改质层的形成之前，按照该第一输出以下的输出照射激光束，在晶片的该一个面附近内部形成对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层；以及第二子步骤，在实施了该第一子步骤之后，将聚光点定位于与该裂纹引导层同等的位置或比该裂纹引导层靠与该一个面相反的另一个面侧的位置，按照该第一输出照射激光束，从而形成该分割起点用改质层，并且形成从该分割起点用改质层连通到该一个面的裂纹。根据该结构，当在晶片的一个面附近形成了裂纹引导层之后，在与裂纹引导层同等的位置或比裂纹引导层靠另一个面侧的位置形成分割起点用改质层。当裂纹从分割起点用改质层延伸到晶片的一个面侧时，通过裂纹引导层的引导，可抑制裂纹的弯曲行进。由此，能够沿着分割预定线形成裂纹，即使是如非晶体等那样晶体取向无规则的晶片，也能够良好地进行分割。根据本专利技术，在分割起点用改质层的形成前，在晶片的一个面附近内部形成裂纹引导层，从而即使是非晶体等晶片，也能够不产生弯曲行进地进行分割。附图说明图1是本实施方式的激光加工装置的立体图。图2的(A)～(C)是比较例的激光加工的说明图。图3的(A)～(D)是本实施方式的晶片的加工方法的说明图。图4的(A)、(B)是示出实验例的晶片的背面的裂纹的图。标号说明61：晶片的背面(一个面)；62：晶片的正面(另一个面)；65：分割起点用改质层；66：裂纹引导层；68：裂纹；W：晶片。具体实施方式以下，参照附图对本实施方式的激光加工装置进行说明。图1是本实施方式的激光加工装置的立体图。图2是比较例的激光加工的说明图。另外，激光加工装置只要是能够实施本实施方式的晶片的加工方法的结构即可，不限于图1所示的结构。如图1所示，激光加工装置1构成为使照射激光束的加工头40和保持着晶片W的保持工作台30相对移动而对晶片W的内部进行激光加工。在晶片W的正面(另一个面)上呈格子状排列有多条分割预定线(未图示)，在由多条分割预定线划分的各区域形成有器件。晶片W借助划片带T而支承于环状框架F。另外，对于晶片W没有特别限定，只要是可通过激光束的照射形成改质层的晶片即可。在激光加工装置1的基台10上设置有工作台移动机构20，该工作台移动机构20使保持工作台30相对于加工头40在X轴方向和Y轴方向上移动。工作台移动机构20具有：与X轴方向平行的一对导轨21，它们配置在基台10上；以及电动机驱动的X轴工作台22，其以能够滑动的方式设置在一对导轨21上。另外，工作台移动机构20具有：与Y轴方向平行的一对导轨23，它们配设在X轴工作台22的上表面上；以及电动机驱动的Y轴工作台24，其以能够滑动的方式设置在一对导轨23上。在X轴工作台22和Y轴工作台24的背面侧分别形成有未图示的螺母部，在这些螺母部螺合有滚珠丝杠25、26。并且，通过对与滚珠丝杠25、26的一个端部连结的驱动电动机27、28进行旋转驱动，保持工作台30沿着导轨21、23在X轴方向和Y轴方向上移动。另外，在Y轴工作台24上设置有对晶片W进行保持的保持工作台30。在保持工作台30的上表面上形成有保持面31，在保持工作台30的周围设置有对晶片W的周围的环状框架F进行夹持固定的夹持部32。在保持工作台30的后方的立壁部11上突出设置有臂部12，在臂部12的前端设置有对保持工作台30上的晶片W进行激光加工的加工头40。加工头40从晶片W的背面(一个面)侧照射对于晶片W具有透过性的波长的激光而形成沿着分割预定线的改质层63(参照图2)。改质层63是指如下的区域，该区域由于激光的照射而成为晶片W的内部的密度、折射率、机械强度及其他物理特性与周围不同的状态，并且与周围相比强度降低。另外，改质层63例如是熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域，可以是这些区域混合存在的区域。另外，在激光加工装置1上设置有对装置各部进行集成控制的控制单元45。控制单元45由执行各种处理的处理器及存储器等构成。存储器根据用途由ROM(ReadOnlyMemory：只读存储器)、RAM(RandomAccessMemory：随机存取存储器)等一个或多个存储介质构成。在存储器中除了对装置各部进行控制的控制程序以外，还存储有激光加工的加工条件等。保持工作台30相对于加工头40在加工进给方向上移动，从而沿着分割预定线在晶片W的内部形成改质层63。如图2的(A)所示，通常在通过激光加工在晶片Wa中形成作为分割起点的改质层63时，通过使裂纹68沿着晶片Wa的晶体取向延伸而抑制弯曲行进。因此，通常需要与晶片Wa的晶体取向相对应地制定方案。若晶片W是晶体取向一致的硅晶片，则与晶体取向相对应地照射激光束而能够使裂纹68在晶片Wa的内部呈直线地延伸。但是，若晶片W是玻璃晶片等非晶体，则晶体取向是无规则的，因此无法与晶体取向相对应地进行激光加工。如图2的(B)所示，当利用通常的输出的激光束在非晶体的晶片Wb中形成改质层63时，从改质层63到达晶片Wb的背面61b的裂纹68弯曲行进，从而无法将晶片Wb良好地分割。如图2的(C)所示，当为了抑制裂纹68的弯曲行进而抑制激光束的输出时，裂纹68无法从改质层63延伸到晶片Wb的背面61b，无法使改质层63作为晶片Wb的分割起点发挥功能。这样，要求适合非晶体的晶片Wb的激光加工方法。因此，在本实施方式中，不仅形成作为分割起点的改质层的分割起点用改质层65(65a、65b)，还形成作为裂纹68的向导的改质层的裂纹引导层66(参照图3)。在分割起点用改质层65的形成之前，在比分割起点用改质层65的形成预定位置靠背面61侧的位置形成裂纹引导层66，从而通过裂纹引导层66对从分割起点用改质层65向晶片W的背面61侧延伸的裂纹68进行引导。裂纹68沿着裂纹引导层66延伸，从而对到达晶片W的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，对设定有交叉的多条分割预定线的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部，从晶片的一个面按照第一输出对与该分割预定线相对应的区域照射激光束，从而在晶片的内部形成分割起点用改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予外力而以该分割起点用改质层为起点将晶片沿着该分割预定线进行分割，该改质层形成步骤包含如下的子步骤：第一子步骤，在该分割起点用改质层的形成之前，按照该第一输出以下的输出照射激光束，在晶片的该一个面附近内部形成对裂纹延伸方向进行引导的裂纹引导层；以及第二子步骤，在实施了该第一子步骤之后，将聚光点定位于与该裂纹引导层同等的位置或比该裂纹引导层靠与该一个面相反的另一个面侧的位置，按照该第一输出照射激光束，从而形成该分割起点用改质层，并且形成从该分割起点用改质层连通到该一个面的裂纹。

【技术特征摘要】
2017.12.05 JP 2017-2333241.一种晶片的加工方法，对设定有交叉的多条分割预定线的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部，从晶片的一个面按照第一输出对与该分割预定线相对应的区域照射激光束，从而在晶片的内部形成分割起点用改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，对晶片赋予外力而以该分割起点...

【专利技术属性】
技术研发人员：深谷幸太，蔡龙，陈之文，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP