晶片的加工方法技术

技术编号:42586490 阅读:24 留言:0更新日期:2024-09-03 18:03
本发明专利技术提供晶片的加工方法,能够抑制形成有圆形凹部的晶片的挠曲。晶片的加工方法包含如下的步骤:圆形凹部形成步骤,在晶片背面的中央形成圆形凹部,从而形成围绕圆形凹部的环状凸部;以及改质层形成步骤,在实施圆形凹部形成步骤之前或之后,向环状凸部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而形成改质层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片的加工方法


技术介绍

1、例如,为了容易进行薄化后的晶片的操作,采用对晶片背面的中央进行磨削而形成圆形凹部并且形成围绕圆形凹部的外周凸部的加工方法(例如,参照专利文献1)。

2、关于利用专利文献1所示的加工方法形成了圆形凹部的晶片,在将金属膜成膜于晶片的背面之后,将晶片分割成各个器件。

3、专利文献1:日本特开2007-19461号公报

4、但是,当对晶片进行磨削而薄薄地形成为例如100μm以下时,有时与圆形凹部相当的晶片会挠曲。当晶片挠曲时,难以向盒中收纳而且破损风险提高,因此期望改善。


技术实现思路

1、因此,本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法,能够抑制形成有圆形凹部的晶片的挠曲。

2、根据本专利技术的一个方面,提供晶片的加工方法,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:圆形凹部形成步骤,在晶片的背面的中央形成圆形凹部,从而形成围绕该圆形凹部的环状凸部;以及改质层形成步骤,在实施该圆形凹部形成步骤之前或之后,向该环状凸部照射对于晶片具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片的加工方法,其中,

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,

【技术特征摘要】

1.一种晶片的加工方法,其中,

2...

【专利技术属性】
技术研发人员:喜多直纪
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:

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