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本发明提供晶片的加工方法，能够抑制形成有圆形凹部的晶片的挠曲。晶片的加工方法包含如下的步骤：圆形凹部形成步骤，在晶片背面的中央形成圆形凹部，从而形成围绕圆形凹部的环状凸部；以及改质层形成步骤，在实施圆形凹部形成步骤之前或之后，向环状凸部照射...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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