【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、在过去的几十年内，集成电路(integrated circuit，ic)中特征的缩放一直是不断增长的半导体工业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限基板面上增加功能单元的密度。例如，缩小晶体管大小允许在芯片上并入增加数量的存储器或逻辑器件，从而导致具有增加容量的产品的制造。然而，对不断增大的容量的努力并非没有问题。优化ic结构的每一个部分的必要性变得越来越重要。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路(IC)结构，包括：
2.根据权利要求1所述的IC结构，其中第二堆叠的纳米带的侧壁和NWF材料之间的PWF材料的一侧与第二堆叠的纳米带的侧壁接触，并且另一侧与NWF材料接触。
3.根据权利要求1所述的IC结构，其中在第一栅极区中，PWF材料不存在于第一堆叠的相邻纳米带之间。
4.根据权利要求1所述的IC结构，其中在第一栅极区中，NWF材料填充第一堆叠的相邻纳米带之间的区域。
5.根据权利要求4所述的IC结构，其中所述第一栅极区进一步包括在第一堆叠的相邻纳米带上的栅极电介质材料，并且其中所述NWF材料填充第...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路(ic)结构，包括：
2.根据权利要求1所述的ic结构，其中第二堆叠的纳米带的侧壁和nwf材料之间的pwf材料的一侧与第二堆叠的纳米带的侧壁接触，并且另一侧与nwf材料接触。
3.根据权利要求1所述的ic结构，其中在第一栅极区中，pwf材料不存在于第一堆叠的相邻纳米带之间。
4.根据权利要求1所述的ic结构，其中在第一栅极区中，nwf材料填充第一堆叠的相邻纳米带之间的区域。
5.根据权利要求4所述的ic结构，其中所述第一栅极区进一步包括在第一堆叠的相邻纳米带上的栅极电介质材料，并且其中所述nwf材料填充第一堆叠的相邻纳米带上的栅极电介质材料之间的区域。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的ic结构，其中在第二栅极区中，pwf材料填充第二堆叠的相邻纳米带之间的区域。
7.根据权利要求6所述的ic结构，其中所述第二栅极区进一步包括在第二堆叠的相邻纳米带上的栅极电介质材料，并且其中所述pwf材料填充第二堆叠的相邻纳米带上的栅极电介质材料之间的区域。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的ic结构，进一步包括栅极填充材料，所述栅极填充材料包括：
9.根据权利要求8所述的ic结构，其中所述第一部分和所述第二部分是第一栅极区和第二栅极区中栅极填充材料的材料上连续的部分。
10.根据权利要求8所述的ic结构，其中在第一栅极区中，第一堆叠的纳米带的侧壁与nwf材料的一侧接触，并且nwf材料的另一侧与栅极填充材料接触。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的ic结构，其中在与第二堆...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·徐，T·朱，CT·黄，R·赵，D·汤纳，O·阿克顿，O·萨达特，F·张，D·M·克拉姆，Y·张，B·古哈，O·戈隆兹卡，A·S·穆尔蒂，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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