【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种锗晶体应力消除方法。
技术介绍
锗晶体是一种重要的红外光学材料，在生产中发现原有的国内生产工艺在产品应力消除上既不能满足大批量产品生产需求，又不能达到后期光学加工的工艺要求，使加工成型的光学镜片抛光面产生面型变化，导致部分产品报废。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种锗晶体应力消除方法，有效消除锗晶体应力，以满足大批量产品生产需求。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术一种锗晶体应力消除方法，包括如下步骤：A、对锗晶体进行清洗；采用30℃的纯水进行表面清洗，然后用清洗机再次清洗，待锗晶体表面温度达到20-30℃时，用酒精擦拭锗晶体表面；B、将晶体放入晶体退火炉内的坩埚，用真空泵将退火炉内的气压抽至5Pa以内，然后给退火炉充入惰性气体；C、采用欧陆表对对退火炉内温度进行升温和降温控制，首先从常温以每分钟0.45℃的升温速度升至500℃，然后在500℃下恒温保持10小时，然后再以每分钟0.4℃的降温速度降至常温。进一步的，所述惰性气体为氩气。进一步的，所述退火炉包括设置于所述退火炉内的采用圆柱形石墨加热器形成的环形热场，所述热场直径为600mm,高度为510mm。进一步的，所述坩埚为石墨承托坩埚，其直径为530mm，高为210mm，放置于热场中心。与现有技术相比，本专利技术的有益技术效果：大大缩短了产品生产时间，特别是退火过程时间减少了三分之一；产品应力消除良好，彻底解决了晶体加工成镜片...
【技术保护点】
一种锗晶体应力消除方法，其特征在于，包括如下步骤：A、对锗晶体进行清洗；采用30℃的纯水进行表面清洗，然后用清洗机再次清洗，待锗晶体表面温度达到20‑30℃时，用酒精擦拭锗晶体表面；B、将晶体放入晶体退火炉内的坩埚，用真空泵将退火炉内的气压抽至5Pa以内，然后给退火炉充入惰性气体；C、采用欧陆表对退火炉内温度进行升温和降温控制，首先从常温以每分钟0.45℃的升温速度升至500℃，然后在00℃下恒温保持10小时，然后再以每分钟0.4℃的降温速度降至常温。
【技术特征摘要】
1.一种锗晶体应力消除方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、对锗晶体进行清洗；采用30℃的纯水进行表面清洗，然后用清洗机再次清洗，待锗晶体表面温度达到20-30℃时，用酒精擦拭锗晶体表面；
B、将晶体放入晶体退火炉内的坩埚，用真空泵将退火炉内的气压抽至5Pa以内，然后给退火炉充入惰性气体；
C、采用欧陆表对退火炉内温度进行升温和降温控制，首先从常温以每分钟0.45℃的升温速度升至500℃，然后在00℃下恒温保持10小时，然后再以每...
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