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本发明公开了一种锗晶体应力消除方法，包括如下步骤：首先对锗晶体进行清洗，然后放入退火炉，并抽真空至5Pa以内，然后充入惰性气体，最后控温退火，至室温，出炉。该工艺对产品应力消除良好，彻底解决了晶体加工成镜片后的面型变形问题，加工成镜片后的抗...
该专利属于吕远芳所有，仅供学习研究参考，未经过吕远芳授权不得商用。

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