在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法技术

本发明专利技术提供一种在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法，它利用磁控溅射技术，并控制工作气体压强、温度、溅射功率等工艺条件，在非晶体材料上生长锗晶体薄膜，且能快速生长出大面积的锗晶体薄膜，从而开辟了一条在非晶材料上生长锗晶体薄膜的新途径，使用本方法能大大提高生产效率，减少投资，降低生产成本，并能取得较好的经济效益，使锗晶体薄膜形成产业化。因此，实为新一代生产锗晶体薄膜的方法。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制备锗晶体薄膜的方法，尤其是一种利用磁控溅射技术在基底材料上生长锗晶体薄膜的方法。锗(Ge)晶体薄膜是一种很好的近红外窄带半导体材料，可用来制作半导体晶体管、半导体芯片。锗晶体薄膜还是很好的红外光学材料，可用来制备近红外控测器、锗透镜等，因而锗晶体薄膜的制备将对半导体工业和近红外控制技术起着极其重要的作用。另外，锗/硅异质材料是近年来兴起的一种新型半导体材料，在光电器件应用方面有着广阔的前景。但由于锗和硅(Si)的晶格失配高达4.2％，因此很难获得无失配位错异质界面。现有技术有用分子束外延技术和汽相沉积技术在单晶硅衬底上生长锗晶体薄膜，但这两种技术不仅存在设备参数要求高，设备价格昂贵(分子束外延技术所用设备价格为100美元，汽相沉积技术所用设备为50美元)，而且还存在锗晶体薄膜生长速度慢、薄膜面积小等不足，难于实现产业化生产，满足不了半导体材料日益扩大的需求，因此，如何开发和利用高效、快速生产锗/硅异质材料和技术，是当前半导体材料急需解决的问题。本专利技术的目的在于克服现有技术之不足，提供一种能高效、快速生产锗晶体薄膜的方法。本专利技术通过锗的自组织形成晶体机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在非晶体材料上溅射锗晶体薄膜的方法，它包括低真空溅射，并使用氩（Ａｒ）气体作为工作气体，其特征在于它采用非晶体材料作为外延生长锗晶体的基底，并在工作气体压强为０．５－４．５Ｐａ，温度为３００－５００℃，溅射功率为１００－３００Ｗ时进行磁控溅射，直接生长锗晶体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1，一种在非晶体材料上溅射锗晶体薄膜的方法，它包括低真空溅射，并使用氩(Ar)气体作为工作气体，其特征在于它采用非晶体材料作为外延生长锗晶体的基底，并在工作气体压强为0.5-4.5Pa，温度为300-500℃，溅射功率为100-300W时进行磁控溅射，直接生长锗晶体。2，根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述非晶体材料为非晶体硅或者玻璃，或者在硅单晶材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宇，周湘萍，毛旭，周桢来，刘焕林，张洁，吴兴惠，
申请(专利权)人：云南大学，
类型：发明
国别省市：53[中国|云南]