The embodiment of the present invention discloses a three-dimensional memory and its fabrication method. The three-dimensional memory includes at least two gate layers stacked; the first type of gate in at least two gate layers includes at least one first gate unit, the first gate unit includes the first first first dielectric layer, the second dielectric layer, the second first dielectric layer and the metal gate layer stacked sequentially from bottom to top; and the dielectric constant of the second dielectric layer is small. The dielectric constant of the first dielectric layer.
【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制作方法
本专利技术实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种三维存储器及其制作方法。
技术介绍
在集成电路产业中，三维存储器通过在衬底上设置层叠的堆叠结构，并对堆叠结构进行刻蚀等工艺，将存储单元在垂直于衬底的方向上堆叠，可在较小的面积上形成更多的存储单元。为了在单位芯片面积上获得更大的存储容量，要求堆叠结构的层叠数目越来越多，堆叠结构的厚度越来越大，这使得在三维存储器中刻蚀通孔，进而形成垂直堆叠的存储单元的难度越来越大，工艺成本越来越昂贵，严重制约了三维存储器技术的发展。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种三维存储器及其制作方法。本专利技术实施例第一方面提供一种三维存储器，包括：堆叠设置的至少两个栅极层；所述至少两个栅极层中的第一类栅极，包括：至少一个第一栅极单元，所述第一栅极单元包括由下至上依次层叠的第一个第一介质层、第二介质层、第二个第一介质层和金属栅极层；所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。可选地，所述至少两个所述栅极层中的第二类栅极，包括：至少一个第二栅极单元，所述第二栅极单元包括由下至上层叠的第一介质层和金属栅极层；...
【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠设置的至少两个栅极层；所述至少两个栅极层中的第一类栅极，包括：至少一个第一栅极单元，所述第一栅极单元包括由下至上依次层叠的第一个第一介质层、第二介质层、第二个第一介质层和金属栅极层；所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠设置的至少两个栅极层；所述至少两个栅极层中的第一类栅极，包括：至少一个第一栅极单元，所述第一栅极单元包括由下至上依次层叠的第一个第一介质层、第二介质层、第二个第一介质层和金属栅极层；所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述至少两个所述栅极层中的第二类栅极，包括：至少一个第二栅极单元，所述第二栅极单元包括由下至上层叠的第一介质层和金属栅极层；所述第二类栅极位于所述第一类栅极的下方。3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：通孔，贯穿所述第一类栅极和所述第二类栅极；外延层，位于所述通孔底部，用于防止所述三维存储器中发生栓锁效应；多层膜功能层，位于所述通孔侧壁，用于存储电荷。4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述外延层厚度小于所述第二类栅极的厚度。5.根据权利要求1至4任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述第二介质层为空气层。6.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：形成依次层叠的第一个第一介质层、第三介质层、第二个第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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