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本发明实施例公开了一种三维存储器及其制作方法。所述三维存储器包括：堆叠设置的至少两个栅极层；所述至少两个栅极层中的第一类栅极，包括：至少一个第一栅极单元，所述第一栅极单元包括由下至上依次层叠的第一个第一介质层、第二介质层、第二个第一介质层和...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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