一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法技术

本发明专利技术提供了一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法，属于晶圆检测技术领域。本嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：1、利用紫外线UV箱对含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆做UV擦除，扫除OTP存储单元的残留电子；2、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP存储单元以插花方式写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型；3、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP剩余存储单元全部写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型。本发明专利技术通用性好，适用所有类型的含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆。

A Test Method for 8-bit MCU Chip of Embedded OTP

The invention provides a test method for an embedded OTP 8-bit MCU chip, which belongs to the field of wafer detection technology. The testing method of the embedded OTP 8-bit MCU chip is characterized by the following steps: 1. Ultraviolet UV box is used to erase the wafer of the 8-bit MCU chip containing embedded OTP, and remove the residual electrons of the OTP storage unit; 2. The OTP storage unit is written in the form of flower arrangement by using the high-voltage pin provided by the wafer tester. \0\ data can be used to detect whether there are disturb and Diag failure models. 3. Using the high-voltage pins provided by wafer tester, the OTP residual storage units are all written into \0\ data, so as to detect whether there are disturb and Diag failure models. The invention has good versatility and is suitable for wafers of all types of 8-bit MCU chips containing embedded OTP.

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法
本专利技术属于晶圆检测
，涉及一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法。
技术介绍
嵌入式OTP的8位MCU芯片是一种通用芯片，主要应用微小电子系统上，市场占有率很高。因为它自带的存储体是OTP(只有一次电可编程机会，再次编程必须要使用紫外线照射擦除后才可以)，所以在晶圆级测试实现难度大，主要性能和功能参数无法简单的直接测试，必须通过一些特殊的流程和方法来实现。中低端的MCU芯片所限于成本，较大部分的芯片都没有做DFT模块(用于辅助测试的模块)，所以可测试性差。并且，1、在晶圆级只做简单的测试，牺牲测试覆盖率，在芯片的系统板级再做补充测试，不但测试效率低而且成本高；2、利用MCU自身特点，将测试软体写入到MCU芯片来测试，再使用紫外线擦除，那必然会增加测试工序增加成本。所以，对于本领域内的技术人员，还有待研发出一种改进的测试方法，以提高晶圆的测试效率，同时控制测试的成本，还能提高测试的准确性。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法，本专利技术所要解决的技术问题是如何实现晶圆中嵌入式OTP的8位MCU芯片的失效检测。本专利技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：1、准备待测的含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆，备用；2、准备紫外线UV箱和晶圆测试机，备用；3、利用紫外线UV箱对含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆做UV擦除，扫除OTP存储单元的残留电子；4、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP存储单元以插花方式写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型；5、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP剩余存储单元全部写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型；6、读OTP所有存储单元是否为“1”，以检验所有存储单元的读功能；7、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机向嵌入式OTP的8位MCU芯片发送指令，使得MCU输出内部模拟IP的参数，再利用晶圆测试机的高精度测量单元对其测量和调校；8、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机向嵌入式OTP的8位MCU芯片发送指令，让MCU完成对自身的数字单元的测试和检测；9、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机模拟嵌入式OTP的8位MCU芯片现场应用环境，以达到检验MCU是否具备行为级的应用功能；10、最后再次使用紫外线对晶圆做UV擦除，恢复出厂状态，以保证客户端应用。所述的步骤4中对检测到失效的disturb和diag失效模型进行标记。所述的步骤5中对检测到失效的disturb和diag失效模型进行标记。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：1、本专利技术解决了嵌入式OTP的8位MCU芯片在晶圆级的可测试问题，用最优化的步骤测试了嵌入式OTP的8位MCU芯片几乎所有的功能和性能，测试覆盖率达到98％以上，并且控制晶圆测试的成本。2、本专利技术通用性较好，适用所有类型的含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆。具体实施方式以下是本专利技术的具体实施例，对本专利技术的技术方案作进一步的描述，但本专利技术并不限于这些实施例。一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法，包括以下步骤：1、准备待测的含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆，备用；2、准备紫外线UV箱和晶圆测试机，备用；3、利用紫外线UV箱对含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆做UV擦除，扫除OTP存储单元的残留电子；4、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP存储单元以插花方式写入“0”数据，即每2个相邻的存储单元只将其中一个写入“0”，写完数据后整个存储体里为“55AA”，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型，以检验所有存储单元的写功能，同时对检测到失效的disturb和diag失效模型进行标记；5、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP剩余存储单元全部写入“0”数据，写完数据后整个存储体里为“AA55”，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型，以检验所有存储单元的写功能，同时对检测到失效的disturb和diag失效模型进行标记；6、读OTP所有存储单元是否为“1”，以检验所有存储单元的读功能；7、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机向MCU发送指令，使得MCU输出内部模拟IP的参数，再利用晶圆测试机的高精度测量单元对其测量和调校；8、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机向MCU发送指令，让MCU完成对自身的数字单元的测试和检测；9、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机模拟MCU现场应用环境，以达到检验MCU是否具备行为级的应用功能；10、最后再次使用紫外线对晶圆做UV擦除，恢复出厂状态，以保证客户端应用。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本专利技术精神作举例说明。本专利技术所属
的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本专利技术的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：1、准备待测的含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆，备用；2、准备紫外线UV箱和晶圆测试机，备用；3、利用紫外线UV箱对含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆做UV擦除，扫除OTP存储单元的残留电子；4、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP存储单元以插花方式写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型；5、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP剩余存储单元全部写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型；6、读OTP所有存储单元是否为“1”，以检验所有存储单元的读功能；7、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机向嵌入式OTP的8位MCU芯片发送指令，使得MCU输出内部模拟IP的参数，再利用晶圆测试机的高精度测量单元对其测量和调校；8、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机向嵌入式OTP的8位MCU芯片发送指令，让MCU完成对自身的数字单元的测试和检测；9、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机模拟嵌入式OTP的8位MCU芯片现场应用环境，以达到检验MCU是否具备行为级的应用功能；10、最后再次使用紫外线对晶圆做UV擦除，恢复出厂状态，以保证客户端应用。...

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式OTP的8位MCU芯片的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：1、准备待测的含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆，备用；2、准备紫外线UV箱和晶圆测试机，备用；3、利用紫外线UV箱对含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圆做UV擦除，扫除OTP存储单元的残留电子；4、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP存储单元以插花方式写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型；5、利用晶圆测试机提供的高压管脚，将OTP剩余存储单元全部写入“0”数据，这样可以检测是否存在disturb和diag失效模型；6、读OTP所有存储单元是否为“1”，以检验所有存储单元的读功能；7、利用MCU外部总线扩展技术，晶圆测试机向嵌入式OTP的8位MCU芯片发送指令，使得MCU...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐四九，
申请(专利权)人：嘉兴威伏半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33