包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法制造方法及图纸

提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。

A storage device including a circuit for detecting word line defects and its operation method

【技术实现步骤摘要】
包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0140000的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。
技术介绍
存储装置是可以存储数据并且可以在需要时读取数据的贮存装置。存储装置可以粗略地分类为非易失性存储器(NVM)和易失性存储器(VM)，在非易失性存储器中，即使在未被供电时，所存储的数据也不消失，在易失性存储器中，当未被供电时，所存储的数据消失。为了控制在存储装置中设置的多个存储单元，可以在存储装置内部设置并使用各种布线。这些布线的示例可以包括与存储单元连接的位线和字线。随着存储装置的尺寸越来越小型化，在其中布置的布线之间的间隔也变窄。因此，可能发生各种缺陷，比如将彼此绝缘的布线发生电连接的桥接缺陷。由于这些缺陷导致存储装置的操作性能劣化，因此需要进行改善缺陷的研究。
技术实现思路
本公开的一方面提供了一种具有改善的数据存储可靠性和操作性能的存储装置。本公开的另一方面提供了一种用于操作具有改善的数据存储可靠性和操作性能的存储装置的方法。根据本公开的一些方面，提供了一种存储装置。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元和在第一存储单元上方的第二存储单元；连接到所述第一存储单元的第一字线和连接到所述第二存储单元的第二字线，所述第二字线设置在所述第一字线上方；时钟发生器，所述时钟发生器被配置为当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；电压发生器，所述电压发生器被配置为响应于所述泵激时钟信号生成所述泵激电压，并基于泵激电压生成第一电压和与所述第一电压不同的第二电压；以及字线缺陷检测电路，所述字线缺陷检测电路被配置为在将所述第一电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。所述电压发生器被配置为当所述泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时将所述第二电压施加到所述第二字线以对所述第二存储单元进行编程。根据本公开的一些方面，提供了一种用于操作存储装置的方法。用于操作存储装置的所述方法包括：提供存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元、连接到所述第一存储单元的第一字线、设置在所述第一存储单元上方的第二存储单元、以及设置在所述第一字线上方并连接到所述第二存储单元的第二字线；当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；响应于所述泵激时钟信号生成泵激电压，基于所述泵激电压生成第一电压且生成与所述第一电压不同的第二电压；通过在将所述第一电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目来检测第一字线的缺陷；当所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目小于第一基准值时，通过将所述第二电压施加到所述第二字线来对第二存储单元进行编程。根据本公开的一些方面，提供了一种存储装置。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元、设置在所述第一存储单元上方的第二存储单元、以及设置在所述第二存储单元上方的第三存储单元；连接到所述第一存储单元的第一字线、连接到所述第二存储单元的第二字线和连接到所述第三存储单元的第三字线，所述第二字线设置在所述第一字线上方，所述第三字线设置在所述第二字线上方；时钟发生器，所述时钟发生器被配置为当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；电压发生器，所述电压发生器被配置为响应于所述泵激时钟信号生成所述泵激电压，并基于所述泵激电压生成第一编程电压和与所述第一编程电压不同的第二编程电压；字线缺陷检测电路，所述字线缺陷检测电路被配置为在将所述第一编程电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目以检测所述第一字线的缺陷。当所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目小于第一基准值时，所述字线缺陷检测电路被配置为在将所述第一编程电压施加到所述第二字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的第二数目以检测所述第二字线的缺陷。所述电压发生器被配置为当所述泵激时钟信号的脉冲的第二数目小于第一基准值时，将所述第二编程电压施加到所述第三字线以对所述第三存储单元进行编程。附图说明通过参考附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其他方面及特征将变得更加明显，其中：图1是示出了根据一些实施例的非易失性存储系统的框图；图2是用于说明根据一些实施例的图1的非易失性存储装置的框图；图3是用于说明根据一些实施例的图2的电压发生器的框图；图4是用于说明根据一些实施例的图2和图3的泵激时钟信号的图；图5是用于说明根据一些实施例的图2的通过-失败判定电路的框图；图6和图7是用于说明图2的存储单元阵列的图；图8和图9是用于说明根据一些实施例的非易失性存储装置的字线缺陷检测操作的图；图10是示出了根据一些实施例的非易失性存储装置的操作的流程图；图11和图12是用于具体说明根据一些实施例的在图10中示出的非易失性存储装置的操作的图；图13是用于说明根据一些实施例的非易失性存储装置的操作的流程图；图14和图15是用于具体说明根据一些实施例的在图13中示出的非易失性存储装置的操作的图；图16是用于说明根据一些实施例的非易失性存储装置的操作的流程图；图17和图18是用于具体说明根据一些实施例的在图16中示出的非易失性存储装置的操作的图；图19是用于说明根据特定实施例的在图16中示出的非易失性存储装置的操作的效果的图。具体实施方式通过参考以下对优选实施例的详细描述和附图，可以更容易理解本公开的优点和特征以及实现它们的方法。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。在附图中，为了清楚起见，放大了层和区域的厚度。图1是示出了根据一些实施例的非易失性存储系统的框图。参考图1，非易失性存储系统包括存储器控制器200和非易失性存储装置100。图1所示的非易失性存储系统的示例可以包括基于闪存的数据存储介质，例如存储卡、USB存储器和SSD(固态硬盘)，但不限于这些示例。存储器控制器200可以连接到主机(HOST)和非易失性存储装置100。如图所示的，存储器控制器200可以被配置为响应于来自主机(HOST)的请求来访问非易失性存储装置100。存储器控制器200可以被配置为在非易失性存储装置100和主机(HOST)之间提供接口。此外，存储器控制器200可以被配置为驱动用于控制非易失性存储装置100的固件。存储器控制器200可以控制非易失性存储装置100的操作。具体地，存储器控制器200可以沿着连接到非易失性存储装置100的输入/输出线提供命令(CMD)、地址(ADDR)、控制信号(CTRL)和数据(DATA)。由存储器控制器200提供给非易失性存储装置100的控制信号(CTRL)可以包括例如但不限于芯片使能(chipenable)(CE)、光使能(lightenable)(WE)、读取使能(readenable)(RE)等。存储器控制器200还可以包括校正非易失性存储装置100的错误位的纠错码(ECC)电路。ECC电路可以校正数据中包括的错误位。然而，本公开不限于此，ECC电路可以根据需要被提供为非易失性存储装置100的一部分。存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元和位于所述第一存储单元上方的第二存储单元；连接到所述第一存储单元的第一字线和连接到所述第二存储单元的第二字线，所述第二字线设置在所述第一字线上方；时钟发生器，所述时钟发生器被配置为当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；电压发生器，所述电压发生器被配置为响应于所述泵激时钟信号生成所述泵激电压，并基于所述泵激电压生成第一电压和与所述第一电压不同的第二电压；以及字线缺陷检测电路，所述字线缺陷检测电路被配置为在将所述第一电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的数目，以检测所述第一字线的缺陷，其中，所述电压发生器被配置为当所述泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时将所述第二电压施加到所述第二字线以对所述第二存储单元进行编程。

【技术特征摘要】
2017.10.26 KR 10-2017-01400001.一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元和位于所述第一存储单元上方的第二存储单元；连接到所述第一存储单元的第一字线和连接到所述第二存储单元的第二字线，所述第二字线设置在所述第一字线上方；时钟发生器，所述时钟发生器被配置为当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；电压发生器，所述电压发生器被配置为响应于所述泵激时钟信号生成所述泵激电压，并基于所述泵激电压生成第一电压和与所述第一电压不同的第二电压；以及字线缺陷检测电路，所述字线缺陷检测电路被配置为在将所述第一电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的数目，以检测所述第一字线的缺陷，其中，所述电压发生器被配置为当所述泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时将所述第二电压施加到所述第二字线以对所述第二存储单元进行编程。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述电压发生器被配置为在完成了对所述第二存储单元的编程之后将所述第二电压施加到所述第一字线以对所述第一存储单元进行编程。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一电压小于所述第二电压。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一字线包括第三字线和设置在所述第三字线上方的第四字线，其中，所述第二字线包括第五字线和设置在所述第五字线上方的第六字线，其中，所述第三字线和所述第四字线之间的第一间隔与所述第五字线和所述第六字线之间的第二间隔不同。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述第一间隔小于所述第二间隔。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述字线缺陷检测电路包括：计数器，所述计数器被配置为对所述泵激时钟信号的脉冲的数目进行计数；以及比较器，所述比较器被配置为将所述泵激时钟信号的脉冲的数目与所述基准值进行比较，以判定所述第一字线是否存在缺陷。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述电压发生器包括：判定信号发生器，所述判定信号发生器被配置为将所述泵激电压与基准泵激电压进行比较以输出判定信号，其中，所述时钟发生器被配置为基于所述判定信号和系统时钟信号生成所述泵激时钟信号。8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述字线缺陷检测电路被配置为在完成了对包括所述第一存储单元和所述第二存储单元的存储块的擦除操作之后监测所述泵激时钟信号的脉冲的数目。9.一种用于操作存储装置的方法，所述方法包括：提供存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在衬底上的第一存储单元、连接到所述第一存储单元的第一字线、设置在所述第一存储单元上方的第二存储单元以及设置在所述第一字线上方并连接到所述第二存储单元的第二字线；当泵激电压低于基准泵激电压时生成泵激时钟信号；响应于所述泵激时钟信号生成所述泵激电压，并基于所述泵激电压生成第一电压和与所述第一电压不同的第二电压；通过在将所述第一电压施加到所述第一字线时监测所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目来检测所述第一字线的缺陷；以及当所述泵激时钟信号的脉冲的第一数目小于第一基准值时，通过将所述第二电压施加到所述第二字线来对所述第二存储单元进行编程。10.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在润，权俊秀，金炳秀，金水龙，朴商秀，朴一汉，李康斌，李宗勋，崔那荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR