晶圆的接合方法技术

一种晶圆的接合方法，其特征在于，包含以下步骤。将第一晶圆耦接至接合装置的第一支撑座，并将第二晶圆耦接至接合装置的第二支撑座。在第一晶圆耦接至第一支撑座的情况下，将第二晶圆接合至第一晶圆。探测是否有气泡存在于接合装置中该第一晶圆与第二晶圆之间。

Wafer bonding method

A wafer bonding method is characterized in that the method comprises the following steps. The first wafer is coupled to the first support seat of the engagement device, and the second wafer is coupled to the second support seat of the engagement device. When the first wafer is coupled to the first support seat, the second wafer is joined to the first wafer. To detect whether bubbles exist between the first wafer and the second wafer in the bonding device.

【技术实现步骤摘要】
晶圆的接合方法
本专利技术实施例是关于一种晶圆的接合方法。
技术介绍
通过在半导体装置中增加所形成的集成电路的密度，已可达成制造集成电路(IC)的目的，且所进行的集成电路制程可通过更精密的设计规则达成，以允许形成布线密度更大的集成电路装置。尽管如此，在增加集成电路装置(例如像是晶体管)的密度的同时，由于减少了特征的尺寸，故亦会增加处理流程的复杂性。
技术实现思路
本揭露内容中的实施例是关于一种晶圆的接合方法，其特征在于，包含以下步骤。将第一晶圆耦接至接合装置的第一支撑座，并将第二晶圆耦接至接合装置的第二支撑座。在第一晶圆耦接至第一支撑座的情况下，将第二晶圆接合至第一晶圆。探测是否有气泡存在于接合装置中该第一晶圆与第二晶圆之间。附图说明图1为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合装置的方块图；图2为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合模块的侧视图；图3A绘示图2的第一晶圆座的第一晶圆设置侧的平面图；图3B绘示图2的第二晶圆座的第二晶圆设置侧的平面图；图4至图6绘示将晶圆透过图2的接合模块接合至一起的方法于不同阶段的侧视图；图7为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合装置中的晶圆所进行的步骤S10-S60的流程图；图8为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合模块的侧视图；图9为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合模块的侧视图；图10为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合装置的方块图；图11为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合装置的侧视图。具体实施方式以下揭示内容提供众多不同的实施例或实例以用于实施本揭露内容提供的标的物的不同特征。下文中描述组件及排列的特定实例以简化本揭露内容。此等组件及排列当然仅为实例，及不意欲进行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包含其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成的实施例，及亦可包含其中在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征无法直接接触的实施例。此外，本揭露内容在多个实例中可重复元件符号及/或字母。此重复用于实现简化与明晰的目的，及其自身并不规定所论述的多个实施例及/或配置之间的关系。此外，本揭露内容中可使用诸如“在...之下”，“在...之下”，“下方”，“在...之上”，“上方”等等的空间相对术语在以便于描述，以描述一个元件或特征与另一或更多个元件或特征的关系，如附图中所图示。空间相对术语意亦包含在使用或操作中的装置除附图中绘示的定向以外的不同定向。设备可经定向(旋转90度或其他定向)，及本揭露内容中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。图1为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合装置100A的方块图。接合装置100A包含至少一晶圆传送盒(frontopeningunifiedpod；FOUP)工作台202、电浆模块204、清洁模块205、接合模块206A、传送空间207以及传递模块208。于部分实施方式中，传递模块208包含移动装置，其可用以将晶圆自一模块移动至另一模块。于部分实施方式中，电浆模块204可透过传递模块208接收自晶圆传送盒工作台202上的晶圆传送盒传递过来的半导体晶圆W，以进行电浆程序。于部分实施方式中，于进行电浆程序之后，半导体晶圆W可透过传递模块208传递至清洁模块205，以进行清洁程序。于部分实施方式中，于进行清洁程序之后，半导体晶圆W可传递至接合模块206A。接合模块206A可用以进行对准程序以及接合程序，以将一个半导体晶圆接合至另一个晶圆上。于部分实施方式中，接合装置100A包含腔体102，其中腔体102位于接合模块206A内，且半导体晶圆W可传递至腔体102，以进行对准程序与接合程序。于部分实施方式中，传递模块208可用以将完成接合的晶圆自接合模块206A透过传送空间207移动至晶圆传送盒工作台202。于部分实施方式中，传递模块208为用以将完成接合的晶圆自接合模块206A透过传送空间207移动至晶圆承载台。图2为根据本揭露内容的部分实施方式绘示接合模块206A的侧视图。如图2所示，接合模块206A包含腔体102、第一阶台110、第一晶圆座112、第二阶台120、第二晶圆座122、第一镜头130、第二镜头132、显示单元134、调整装置140、测量装置142以及控制器160。第一阶台110、第一晶圆座112、第二阶台120、第二晶圆座122、第一镜头130、第二镜头132、调整装置140、测量装置142位于腔体102内。于部分实施方式中，腔体102可做为反应腔体使用，其可允许接合程序于其内进行。第一晶圆座112可固定在或附着至第一阶台110上，而第二晶圆座122可固定在或附着至第二阶台120上。第一阶台110与第一晶圆座112可共同做为第一晶圆支撑座114使用，其可用以固定晶圆。第二阶台120与第二晶圆座122可共同做为第二晶圆支撑座124使用，其可用以固定晶圆。第一晶圆支撑座114与第二晶圆支撑座124彼此相对。第一晶圆支撑座114在此也可称作为下晶圆支撑座，而第二晶圆支撑座124在此也可称作为上晶圆支撑座。第一晶圆座112可适于支撑第一晶圆(例如图4的第一晶圆150)，而第二晶圆座122可适于支撑第二晶圆(例如图4的第二晶圆152)。第二晶圆座122包含形成于其中的孔径126，其中孔径126自第二晶圆座122的一侧延伸至另一侧。孔径126的设置位置大致为第二晶圆座122中央区域。孔径126可适于容纳插销件(例如图4的插销件144)。在对第一晶圆与第二晶圆进行接合程序的期间，可使用插销件144透过孔径126施加压力在第二晶圆152上。于部分实施方式中，第一晶圆座112与第二晶圆座122可包含真空吸孔119与129(例如图3A与图3B的真空吸孔119与129)。于部分实施方式中，第一晶圆座112与第二晶圆座122实质上具可透光性。举例来说，第一晶圆座112与第二晶圆座122可包含玻璃、石英或其他类型的具可透光性材料。于部分实施方式中，第一晶圆座112与第二晶圆座122可包含半透光或不透光材料。于部分实施方式中，第一晶圆座112实质上具可透光性，而第二晶圆座122为半透光或不透光，反之亦然。于部分实施方式中，在第二晶圆座122至少实质上具可透光性的情况下，由于增加了第一晶圆与第二晶圆上的接合对准标记的可视性，故可提升第一晶圆与第二晶圆所进行的对准程序的良率。于部分实施方式中，第一晶圆座112与第二晶圆座122包含棋盘式图案于其上。棋盘式图案可位于第一晶圆座112的第一晶圆设置侧117上以及位于第二晶圆座122的第二晶圆设置侧127上，如图3A与图3B所示，图3A绘示图2的第一晶圆座112的第一晶圆设置侧117的平面图，而图3B绘示图2的第二晶圆座122的第二晶圆设置侧127的平面图。如图3A与图3B所示，棋盘式图案包含棋盘式格线118与128，其设置为阵列形式，像是XY格线图案。于部分实施方式中，棋盘式格线118与128可设置为其他形式或图案。于部分实施方式中，包含棋盘式格线118与128的棋盘式图案可便于施加均匀的真空予第一晶圆与第二晶圆。于部分实施方式中，所施加的真空可用于将第一晶圆与第二晶圆固定在第一晶圆座112与第二晶圆座122上，其中所施加的真空可透过接合装置100A的真空泵浦1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的接合方法，其特征在于，包含：将一第一晶圆耦接至一接合装置的一第一支撑座，并将一第二晶圆耦接至该接合装置的一第二支撑座；在该第一晶圆耦接至该第一支撑座的情况下，将该第二晶圆接合至该第一晶圆；以及探测是否有气泡存在于该接合装置中的该第一晶圆与该第二晶圆之间。

【技术特征摘要】
2017.11.14 US 62/585,969;2018.01.12 US 15/870,5691.一种晶圆的接合方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建置，杨宗毅，洪忠义，郑穆韩，陈慈信，叶书佑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71