一种高速模拟锁存器制造技术

本发明专利技术提供了一种高速模拟锁存器，包括：第一驱动级、第二驱动级、第三驱动级和若干负载电阻；第一负载电阻和第三负载电阻串接在第一驱动级的正向输入端与第一端口之间，第一负载电阻和第三负载电阻之间的连接点与第一驱动级的正向输出端之间串接第六负载电阻；第二负载电阻和第四负载电阻串接在第一驱动级的反向输入端与第一端口之间，第二负载电阻和第四负载电阻之间的连接点与第一驱动级的反向输出端之间串接第五负载电阻；第二驱动级的输出端和第一驱动级的输出端按相同的极性相连；第三驱动级的输出端和第一驱动级的输入端按相反的极性相连。本发明专利技术可以实现小幅度差分模拟信号的状态锁存，提高锁存器的速度。

A High Speed Analog Latch

【技术实现步骤摘要】
一种高速模拟锁存器
本专利技术涉及集成电路领域，尤指一种高速模拟锁存器，实现高速小幅度差分模拟信号的状态锁存。
技术介绍
锁存器作为一种存储器件，可以将输入的高低电压转化为数字信号进行存储。锁存器是一种双稳态电路，包含两个稳定的工作点，对应锁存器的两个稳定状态，同时还包含一个平衡的工作点，是不稳定的状态，两个稳定工作点的电压和平衡工作点的电压差为锁存器的稳态电压差，平衡工作点锁存器的小信号增益定义为平衡态增益。当输入电压变化，锁存器从一个稳定工作点过渡到另一个稳定工作点，即锁存状态翻转，从而实现输入电平锁存。另外，锁存器要实现两个稳定的工作点，需要满足锁定条件，通常是要求锁存器具有足够大的平衡态增益。锁存器广泛用于数字和模拟集成电路中，数字电路中最简单的锁存器由两个首尾相连的反相器组成，在其基础上拓展有带清零或置位端的S-R锁存器。应用在数字电路中的锁存器，其两个稳定的工作点分别是电源和地电压，两个稳定工作点之间电压差很大，容易满足锁定条件，缺点是需要很大的输入电压变化才能完成锁存状态的翻转，由于这个原因，数字电路中应用的锁存器很难直接应用到模拟电路中。模拟锁存器是在数字锁存器基础上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高速模拟锁存器，其特征在于，包括：第一驱动级，是一差分输入、差分输出的驱动电路；第二驱动级，是另一差分输入、差分输出的驱动电路；所述第二驱动级的正向输入端和所述第一驱动级的正向输出端相连，所述第二驱动级的负向输入端和所述第一驱动级的负向输出端相连，所述第二驱动级的正向输出端和所述第一驱动级的正向输出端相连，所述第二驱动级的负向输出端和所述第一驱动级的负向输出端相连；第三驱动级，是另一差分输入、差分输出的驱动电路；所述第三驱动级的正向输入端和所述第二驱动级的正向输出端相连，所述第三驱动级的负向输入端和所述第二驱动级的负向输出端相连，所述第三驱动级的正向输出端和所述第一驱动级的负向输入端相...

【技术特征摘要】
1.一种高速模拟锁存器，其特征在于，包括：第一驱动级，是一差分输入、差分输出的驱动电路；第二驱动级，是另一差分输入、差分输出的驱动电路；所述第二驱动级的正向输入端和所述第一驱动级的正向输出端相连，所述第二驱动级的负向输入端和所述第一驱动级的负向输出端相连，所述第二驱动级的正向输出端和所述第一驱动级的正向输出端相连，所述第二驱动级的负向输出端和所述第一驱动级的负向输出端相连；第三驱动级，是另一差分输入、差分输出的驱动电路；所述第三驱动级的正向输入端和所述第二驱动级的正向输出端相连，所述第三驱动级的负向输入端和所述第二驱动级的负向输出端相连，所述第三驱动级的正向输出端和所述第一驱动级的负向输入端相连，所述第三驱动级的负向输出端和所述第一驱动级的正向输入端相连；第一负载电阻、第三负载电阻和第六负载电阻，所述第一负载电阻和所述第三负载电阻串接在所述第一驱动级的正向输入端与第一端口之间，所述第一负载电阻和所述第三负载电阻之间的连接点与所述第一驱动级的正向输出端之间串接所述第六负载电阻；第二负载电阻、第四负载电阻、第五负载电阻，所述第二负载电阻和所述第四负载电阻串接在所述第一驱动级的反向输入端与所述第一端口之间，所述第二负载电阻和所述第四负载电阻之间的连接点与所述第一驱动级的反向输出端之间串接所述第五负载电阻。2.根据权利要求1所述的高速模拟锁存器，其特征在于：所述第一驱动级包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管的栅极作为所述第一驱动级的正向输入端，所述第一场效应晶体管的漏极作为所述第一驱动级的负向输出端；所述第二场效应晶体管的栅极作为所述第一驱动级的负向输入端，所述第二场效应晶体管的漏极作为所述第一驱动级的正向输出端；所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为NMOS管，或，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为PMOS管。3.根据权利要求2所述的高速模拟锁存器，其特征在于：所述第一场效应晶体管的源极和所述第二场效应晶体管的源极共同连接到第一电流源的一个端口；当所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为NMOS管时，所述第一电流源的另一个端口连接到地；或者，当所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为PMOS管时，所述第一电流源的另一个端口连接到电源。4.根据权利要求1所述的高速模拟锁存器，其特征在于：所述第二驱动级包括第三场效应晶体管和第四场效应晶体管；所述第三场效应晶体管的栅极作为所述第二驱动级的负向输入端，所述第三场效应晶体管的漏极作为所述第二驱动级的正向输出端；所述第四场效应晶体管的栅极作为所述第二驱动级的正向输入端，所述第四场效应晶体管的漏极作为所述第二驱动级的负向输出端；所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管为NMOS管，或，所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管为PMOS管。5.根据权利要求4所述的高速模拟锁存器，其特征在于：所述第三场效应晶体管的源极和所述第四场效应晶体管的源极共同连接到第二电流源的一个端口；当所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管为NMOS管时，所述第二电流源的另一个端口连接到地；或者，当所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管为PMOS管时，所述第二电流源的另一个端口连接到电源。6.根据权利要求1所述的高速模拟锁存器，其特征在于：所述第三驱动级包括第五场效应晶体管和第六场效应晶体管；所述第五场效应晶体管的栅极作为所述第三驱动级的负向输入端，所述第五场效应晶体管的漏极作为所述第三驱动级的正向输出端；所述第六场效应晶体管的栅极作为所述第三驱动级的正向输入端，所述第六场效应晶体管的漏极作为所述第三驱动级的负向输出端；所述第五场效应晶体管和所述第六场效应晶体管为NMOS管，或，所述第五场效应晶体管和所述第六场效应晶体管为PMOS管。7.根据权利要求6所述的高速模拟锁存器，其特征在于：所述第五场效应晶体管的源极和所述第六场效应晶体管的源极共同连接到第三电流源的一个端口；当所述第五场效应晶体管和所述第六场效应晶体管为NMOS管时，所述第三电流源的另一个端口连接到地；或者，当所述第五场效应晶体管和所述第六场效应晶体管为PMOS管时，所述第三电流源的另一个端口连接到电源。8.根据权利要求6所述的高速模拟锁存器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小龙，
申请(专利权)人：荣湃半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31