基于隧穿场效应晶体管（TFET）的高密度和低功率时序制造技术

描述了一种装置，所述装置包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型和n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第二TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于隧穿场效应晶体管(TFET)的高密度和低功率时序优先权声明本申请要求于2015年10月23日提交的题为“TUNNELFIELD-EFFECTTRANSISTOR(TFET)BASEDHIGH-DENSITYANDLOW-POWERSEQUENTIAL(基于隧穿场效应晶体管(TFET)的高密度和低功率时序)”的美国专利申请序列号14/922,072的优先权，并且所述申请通过引用以其全文结合在此。
技术介绍
诸如触发器(FF)和锁存器之类的时序电路是钟控存储器元件，所述钟控存储器元件将逻辑状态存储在数字逻辑电路内。FF和锁存器消耗逻辑区域的主要部件。例如，对于一些重要的逻辑块，此部件可以是总面积的40％。功率(特别是动态时钟功率)是FF的重要属性。动态时钟功率不仅包括时钟树上的负载，而且更重要的是包括随着时钟切换在FF内耗散的功率。对于FF电路拓扑而言，最小化(即减少)内部时钟功率并实现电路鲁棒性是重要的考虑因素。附图说明通过以下给出的具体实施方式以及通过本公开的各实施例的附图将更加全面地理解本公开的实施例，然而，本公开的实施例不应被视为将本公开限制于特定实施例，而是仅用于解释和理解。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一p型TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第一n型TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.23 US 14/922,0721.一种装置，包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一p型TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第一n型TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。2.如权利要求1所述的装置，包括：第一TFET反相器，所述第一TFET反相器具有分别耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的漏极端子的输入端、以及输出端。3.如权利要求2所述的装置，包括：第二p型TFET，所述第二p型TFET具有耦合至所述第二时钟节点的源极端子以及耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子；以及第二n型TFET，所述第二n型TFET与所述第二p型TFET串联耦合，所述第二n型TFET具有耦合至所述第一时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子。4.如权利要求3所述的装置，其中，所述第二p型TFET和所述第二n型TFET的漏极端子耦合至所述第一p型TFET和所述第一n型TFET的漏极端子。5.如权利要求3所述的装置，包括：第三p型TFET，所述第三p型TFET具有耦合至所述第二时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子；以及第三n型TFET，所述第三n型TFET与所述第三p型TFET串联耦合，所述第三n型TFET具有耦合至所述第一时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第一TFET反相器的输出端的栅极端子。6.如权利要求5所述的装置，包括：第二TFET反相器，所述第二TFET反相器具有分别耦合至所述第三p型TFET和所述第三n型TFET的漏极端子的输入端、以及输出端。7.如权利要求6所述的装置，包括：第四p型TFET，所述第四p型TFET具有耦合至所述第一时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第二TFET反相器的输出端的栅极端子；以及第四n型TFET，所述第四n型TFET与所述第四p型TFET串联耦合，所述第四n型TFET具有耦合至所述第二时钟节点的源极端子，并且具有耦合至所述第二TFET反相器的输出端的栅极端子。8.如权利要求7所述的装置，其中，所述第四p型TFET和所述第四n型TFET的漏极端子耦合至所述第三p型TFET和所述第三n型TFET的漏极端子。9.如权利要求7所述的装置，包括：第三TFET反相器，所述第三TFET反相器具有分别耦合至所述第三p型TFET和所述第三n型TFET的漏极端子的输入端、以及输出端。10.如权利要求1所述的装置，包括一对反相器，所述一对反相器用于从时钟源生成所述第一时钟和所述第二时钟。11.如权利要求1所述的装置，其中，所述第二时钟是所述第一时钟的反相。12.一种装置，包括：第一时钟节点，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；第二时钟节点，所述第二时钟节点用于提供第二时钟，所述第二时钟将是所述第一时钟的反相；第一对隧穿场效应晶体管(TFET)，所述第一对TFET包括：p型TFET，所述p型TFET具有耦合至所述第一时钟节点的源极端子；n型TFET，所述n型TFET与所述p型TFET串联耦合，所述n型TFET具有耦合至所述第二时钟节点的源极端子；以及节点，所述节点耦合至所述p型TFET和所述n型TFET的栅极端子，所述第一节点用于接收输入信号；以及第二对TFET，所述第二对TFET包括：p型TFET，所述p型TFET具有耦合至所述第二时钟的源极端子；以及n型TFET，所述n型TFET与所述第二对中的p型TFET串联耦合，所述第二对中的n型TFET具有耦合至所述第一时钟的源极端子；其中，所述第二对中的p型TFET和n型TFET的栅极端子耦合至所述节点。13.如权利要求12所述的装置，包括：第...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·H·莫里斯，U·E·阿维齐，I·A·杨，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US