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描述了一种装置，所述装置包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型和n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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