In one embodiment, the voltage level converter (810) includes a first p-type metal oxide semiconductor transistor (835) with a gate configured to receive an input signal (D) in the first power domain and a second PMOS transistor (840), where the first PMOS transistor and the second PMOS transistor are coupled in series between the power supply voltage (vddout) and the node (820) in the second power domain. The voltage level converter also includes a inverter (850), which has input coupled to a node and gate output coupled to a second PMOS transistor (Z), and a first n-type metal oxide semiconductor transistor (830), with a gate configured to receive input signals in the first power domain, where the first NMOS transistor is coupled between the node and the ground.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高速电压电平转换器相关申请的交叉引用本申请要求于2016年6月30日在美国专利商标局提交的临时申请序号62/357,164和2016年12月2日在美国专利商标局提交的非临时申请序号15/367,751的优先权，这些申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开的各方面总体涉及电平转换器，并且更具体地，涉及电压电平转换器。
技术介绍
芯片可以包括不同的功率域(也称为电压域)，其中每个功率域可以对应于不同的电源电压。例如，第一功率域可以具有较低的电源电压以降低第一功率域中的电路的功耗，并且第二功率域可以具有较高的电源电压以提高第二功率域中的电路的性能和/或为第二功率域中的输入/输出(I/O)设备供电。可以使用一个或多个电压电平转换器来促进不同功率域中的电路之间的通信。例如，电平转换器可以通过对信号的电压电平进行转换，来允许该信号从一个功率域跨越到另一个功率域。
技术实现思路
以下给出一个或多个实施例的简要概述，以便提供对这些实施例的基本理解。本
技术实现思路
部分不是所有预期实施例的广泛概览，并且既无意标识所有实施例的关键或重要元素，也无意描绘任何或所有实施例的范围。本
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种电压电平转换器，包括：第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，具有被配置为接收在第一功率域中的输入信号的栅极；第二PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管串联耦合在第二功率域的电源电压与节点之间；反相器，所述反相器具有耦合到所述节点的输入和耦合到所述第二PMOS晶体管的栅极的输出；以及第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，具有被配置为接收在所述第一功率域中的所述输入信号的栅极，其中所述第一NMOS晶体管被耦合在所述节点与地之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 US 62/357,164;2016.12.02 US 15/367,7511.一种电压电平转换器，包括：第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，具有被配置为接收在第一功率域中的输入信号的栅极；第二PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管串联耦合在第二功率域的电源电压与节点之间；反相器，所述反相器具有耦合到所述节点的输入和耦合到所述第二PMOS晶体管的栅极的输出；以及第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，具有被配置为接收在所述第一功率域中的所述输入信号的栅极，其中所述第一NMOS晶体管被耦合在所述节点与地之间。2.根据权利要求1所述的电压电平转换器，其中，所述反相器由所述第二功率域的所述电源电压供电。3.根据权利要求1所述的电压电平转换器，其中，所述输入信号具有比所述第二功率域的所述电源电压至少低20％的电压范围。4.根据权利要求1所述的电压电平转换器，还包括使能电路，所述使能电路被配置为接收所述第二功率域中的使能信号，以当所述使能信号具有第一逻辑状态时启用所述电压电平转换器，并且当所述使能信号具有第二逻辑状态时禁用所述电压电平转换器。5.根据权利要求4所述的电压电平转换器，其中，所述使能电路被配置为：当所述使能信号具有所述第二逻辑状态时，将所述节点拉到所述第二功率域的所述电源电压。6.根据权利要求4所述的电压电平转换器，其中，所述使能电路包括第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管具有被配置为接收所述使能信号的栅极，其中所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管串联耦合在所述节点与所述地之间。7.根据权利要求6所述的电压电平转换器，其中，所述使能信号的所述第一逻辑状态为逻辑1，并且所述使能信号的所述第二逻辑状态为逻辑0。8.根据权利要求7所述的电压电平转换器，其中，所述使能电路还包括第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管具有被配置为接收所述使能信号的栅极，其中所述第三PMOS晶体管被耦合在所述第二功率域的所述电源电压与所述节点之间。9.根据权利要求4所述的电压电平转换器，其中，所述输入信号具有第一电压范围，所述使能信号具有第二电压范围，并且所述第二电压范围比所述第一电压范围至少高20％。10.根据权利要求1所述的电压电平转换器，其中，所述反相器用与非门实现。11.一种用于使用电压电平转换器将输入信号从第一功率域电平转换到第二功率域的方法，所述电压电平转换器包括串联耦合在所述第二功率域的电源电压与节点之间的第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管和第二PMOS晶体管，以及耦合在所述节点与地之间的第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，所述方法包括：将在所述第一功率域中的所述输入信号输入到所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极；对所述节点处的信号进行反相，以获得反相...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·纳拉亚南，R·瓦蒂科达，鲁德，R·维兰谷迪皮查，S·辛哈罗伊，陈锐，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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