一种双向电平转换的装置及方法制造方法及图纸

一种双向电平转换的装置及方法，包括：第一转换单元，采用ＭＯＳ管，用于实现电压之间的双向电平转换；若所述第一转换单元不能单独实现电压的双向电平转换，则所述装置还包括：第二转换单元，采用二极管，用于提供合适的导通压降，以配合第一转换单元实现电压之间的双向电平转换；所述第二转换单元包括：肖特基二极管。本发明专利技术实施例方便的实现了更大范围电压之间的电平转换，具有电路简单，转换电压范围宽的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子通信
，尤其涉及。
技术介绍
目前，IC(集成电路)以其体积小、价格便宜的优势，广泛的应用于各种电子、通信设备中。电子、通信设备大量使用的IC有多种类型，常用的包括CMOS(互补金属氧化物半导体)电路、TTL(晶体管-晶体管逻辑电路)电路，这些不同类型的IC存在多种电平标准，例如，常见的CMOS电路的电压为3.3V、5V、9V等，常见的TTL电路的电压为5V、3.3V、1.5V等。 用于进行数据传输的各种分立电路，也存在各种不同的电压值。 由于实际应用中存在不同的电压值，因而在IC以及分立电路应用于数据传输的过程中，必然存在不同电平之间的通信，因此需要一种电平转换电路；由于大部分IC以及分立电路在数据传输过程中需要进行双向数据传输，因此需要所述电平转换电路能实现双向电平转换；同时，需要电平转换电路简单易用、成本较低廉。 现有技术中，存在1.8V到5V的电平转换方法，图1为现有技术中采用GTL2002(一种芯片型号)芯片实现1.8V到5V电平转换的典型应用电路。其中，GTL2002芯片为能实现2bit总线数据信息从1.8V到5V的电平转换的芯片。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向电平转换的装置，其特征在于，所述装置包括：第一转换单元，采用场效应ＭＯＳ管，用于实现电压之间的双向电平转换。

【技术特征摘要】
书的保护范围为准。权利要求1.一种双向电平转换的装置，其特征在于，所述装置包括第一转换单元，采用场效应MOS管，用于实现电压之间的双向电平转换。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第二转换单元，采用二极管，用于提供导通压降，以配合第一转换单元实现电压之间的双向电平转换。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述二极管包括肖特基二极管。4.如权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述二极管与MOS管并联连接；所述并联连接的方式为二极管的阳极与MOS管的源极相连，二极管的阴极与MOS管的漏极相连。5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述MOS管包括IRF7313；所述二极管包括HSMS2855。6.一种双向电平转换的方法，用以配合一种双向电平转换的装置，其特征在于，所述方法包括根据第一待转换电路或第二待转换电路输出电平的高低，控制第一转换单元的导通或截止。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括根据第一待转换电路或第二待转换电路输出电平的高低，控制第二转换单元的导通或截止。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据第一待转换电路或第二待转换电路输出电平的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周兴学，王运凯，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]