【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别是涉及一种开放型的集成式隔离电源芯片。
技术介绍
1、容隔型隔离电源芯片，在能量隔离传输的实现原理上，较集成隔离变压器的隔离电源模块，具备以下优势：不经过磁场转换能量，emc效果好，实现方式更清洁。
2、在容隔型隔离电源芯片的实现方式中，受集成电路集成的分压电容的容值大小和整流电感的感量大小的限制，其传输的功率受限十分明显。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种开放型的集成式隔离电源芯片，能够解决上述问题。
2、本专利技术提供的技术方案如下：
3、在一些实施方式中，本专利技术提供一种开放型的集成式隔离电源芯片，包括：
4、pwm调制模块，与直流输入电压输入端的正极连接，用于对直流输入电压进行pwm调制，输出pwm调制信号；
5、升压模块，与所述pwm调整模块连接，用于接收所述pwm调制信号，输出升压后的pwm调制信号；
6、电容模块，与所述升压模块连接，用于对所述升压后的pwm调制信号进行隔离分压，输出隔离分压后的pwm调制信号；
7、整流输出模块，与所述电容模块连接，用于接收所述隔离分压后的pwm调制信号，并输出整流后的直流输出电压。
8、在一些实施方式中，所述电容模块，包括：第一电容、第二电容、第三电容、第四电容；
9、所述第一电容与所述升压模块的输出端、所述整流输出模块的输入端连接；
10、所述第二电容与所述直流输入电压输
11、所述第三电容的一端位于所述第一电容和所述整流输出模块的输入端之间，所述第三电容的另一端位于所述第二电容和所述直流输出电压的输入端之间；
12、所述第四电容的一端位于所述第三电容和所述整流输出模块的输入端之间，所述第四电容的另一端位于所述第二电容和所述直流输出电压的输入端之间；其中，所述第三电容和所述第四电容并联。
13、在一些实施方式中，所述第三电容和所述第四电容并联电容两端有效正电平幅值电压等效计算为：vc＝c节点正向电平幅值/(2*(1-pwm占空比))，c节点为所述第一电容和所述第三电容的连接节点。
14、在一些实施方式中，所述电容模块，还包括：功率管，与所述第三电容、所述第四电容连接。
15、在一些实施方式中，所述升压模块输出节点为高电平，正半周期内的电压幅值电平为所述第三电容和外置的所述第四电容并联后，再同所述第一电容串联分压得到的正电压电平幅值；
16、所述升压模块输出节点为低电平，负半周期内的电压幅值电平为所述第三电容和外置的所述第四电容并联后，再同所述第二电容串联分压得到的负电压电平幅值。
17、在一些实施方式中，所述pwm调制模块包括：第五电容、第六电容、第一二极管、pmos管；
18、所述pmos管的漏极与所述第五电容的第一端连接，所述pmos管的源极与所述第一二极管的第一端、所述第六电容的第一端连接，并与所述直流输入电压输入端的正极连接；所述pmos管的栅极与原边侧时钟控制端连接；
19、所述第五电容的第二端、所述第一二极管的第二端和所述第六电容的第二端连接与所述直流输入电压输入端的负极连接。
20、在一些实施方式中，还包括：
21、原边反馈模块，与所述pwm调制模块、所述升压模块连接，用于采集所述升压模块输出节点的电压，控制所述原边侧时钟控制端的工作占空比或频率。
22、在一些实施方式中，所述原边反馈模块包括：放大器、参考电压源、第一电阻、第二电阻、滤波处理模块；
23、所述放大器，与所述pwm调制模块、所述参考电压源连接，还经过并联后的所述第一电阻和所述第二电阻与滤波处理模块连接。
24、在一些实施方式中，所述整流输出模块，包括：电感、稳压管、第六电容；
25、所述电感，与所述电容模块连接，还与并联后的所述稳压管的第一端和所述第六电容的第一端连接于所述直流输入电压输入端的正极，所述稳压管的第二端和所述第六电容的第二端连接于所述直流输入电压输入端的负极。
26、在一些实施方式中，所述电感两侧的压降为：(vcd-δv)*ton＝vd*toff；vcd为所述电感的输入节点正周期正向电平幅值电压；ton，toff＝td-ton均为初始的芯片内部原边侧时钟设定值，vd为目标设定值电压电平，δv＝l*(δi/ton)，δi为所述电感整流导通时流过所述电感的变化量。
27、本专利技术提供的一种开放型的集成式隔离电源芯片至少具有以下有益效果：
28、本专利技术提供一种开放型的集成式隔离电源实现方式，通过内部集成y电容和功能线路，外置并联分压电容和整流线路，有效解决如上限制问题，提升集成式隔离电源芯片整体方案的性价比和系统用户使用的灵活性。
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1.一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述电容模块包括：第一电容、第二电容、第三电容、第四电容；
3.根据权利要求2所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述第三电容和所述第四电容并联电容两端有效正电平幅值电压等效计算为：VC＝C节点正向电平幅值/(2*(1-PWM占空比))，C节点为所述第一电容和所述第三电容的连接节点。
4.根据权利要求2所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述电容模块，还包括：功率管，与所述第三电容、所述第四电容连接。
5.根据权利要求2所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述PWM调制模块包括：第五电容、第六电容、第一二极管、PMOS管；
7.根据权利要求6所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于
9.根据权利要求8所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述整流输出模块，包括：电感、稳压管、第六电容；
10.根据权利要求9所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述电感两侧的压降为：(VCD-ΔV)*ton＝VD*toff；VCD为所述电感的输入节点正周期正向电平幅值电压；ton，toff＝TD-ton均为初始的芯片内部原边侧时钟设定值，VD为目标设定值电压电平，ΔV＝L*(Δi/ton)，Δi为所述电感整流导通时流过所述电感的变化量。
...【技术特征摘要】
1.一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述电容模块包括：第一电容、第二电容、第三电容、第四电容；
3.根据权利要求2所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述第三电容和所述第四电容并联电容两端有效正电平幅值电压等效计算为：vc＝c节点正向电平幅值/(2*(1-pwm占空比))，c节点为所述第一电容和所述第三电容的连接节点。
4.根据权利要求2所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述电容模块，还包括：功率管，与所述第三电容、所述第四电容连接。
5.根据权利要求2所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的一种开放型的集成式隔离电源芯片，其特征在于，所述pwm调制模块包括：第五...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳鹏阁，
申请(专利权)人：荣湃半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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