半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及一种半导体结构，其包括第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括半导体衬底，其具有顶面和所述顶面处的掺杂有第一导电性掺杂剂的第一抗穿通区域。所述第一晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第一距离处的第一沟道。所述第二晶体管包括所述半导体衬底的所述顶面处的掺杂有第二导电性掺杂剂的第二抗穿通区域。所述第二晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第二距离处的第二沟道，所述第二距离大于所述第一距离。本发明专利技术实施例还涉及一种用于制造本文中所描述的半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)用于存在于现今的半导体集成电路(IC)芯片产品中的超大型集成(ULSI)电路中。MOSFET的栅极长度不断缩小以获得更快电路速度、更高电路密度和增加功能性和更低单位功能成本。随着MOSFET的栅极长度缩小到小于20nm的范围内，源极和漏极越来越多与沟道相互作用以大体上影响沟道电位。因此，具有短栅极长度的晶体管通常存在与栅极无法大体上控制沟道的开/关状态相关的问题。与沟道电位的减少栅极控制相关的现象被称为短沟道效应。提高体相掺杂浓度、减小栅极氧化物厚度和结深度是抑制短沟道效应的一些方法。然而，为使装置完全缩小到小于20nm的范围内，体相掺杂浓度、栅极氧化物厚度和源极/漏极掺杂分布的要求越来越难以使用基于块硅衬底的常规装置结构来满足。因此，考量提供短沟道效应的更好控制的替代装置结构来实现晶体管大小的不断缩小。提供短沟道效应的极佳控制的可高度缩放装置结构是晶体管的回绕式栅极结构(也称为环绕式栅极或全环绕式栅极晶体管结构)。回绕式栅极结构通常具有环绕或回绕沟道区域的栅极。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其包含：第一晶体管，其包含：半导体衬底，其具有顶面和所述顶面处的掺杂有第一导电性掺杂剂的第一抗穿通区域；第一沟道，其位于所述半导体衬底的所述顶面上方第一距离处，其中所述第一沟道处的所述第一导电性掺杂剂的浓度低于所述半导体衬底的所述顶面处的所述第一导电性掺杂剂的浓度。

【技术特征摘要】
2017.10.31 US 62/579,422;2018.01.25 US 15/879,8881.一种半导体结构，其包含：第一晶体管，其包...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧孟轩，陈维宁，李东颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71