半导体元件制造技术

半导体元件包含：位于基材上的鳍片结构；横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征；沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征；以及由钨形成的多个接触结构，其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之一耦合。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件
本专利技术实施例是关于半导体元件，更精确是关于半导体的互连结构。
技术介绍
根据摩尔定律(Moore'sLaw)的历史趋势，随着集成电路(integratedcircuit,IC)的尺度进展至深亚纳米状态(deepsub-nanometerregime)，高效能、高密度的集成电路中的晶体管数量是数以千万计的。因此需要缩小对应的集成电路的互连结构。特别的是，钨(W)已经被使用于相对更靠近集成电路的各个晶体管的互连结构(例如接触插塞、通孔及其他互连线等)。这一部分是因为铜(Cu)可能“污染(poison)”晶体管，铜一般用于相对更远离晶体管的互连结构的另一个主要部分。为了简洁起见，这样的钨互连结构在此统称为“钨接触”。这样的钨接触通常使用基于氟(F-based)的化学气相沉积(chemicalvapordeposition,CVD)技术且由基于钨的材料(例如钨原子)形成，并覆盖一般由硅形成的晶体管的主动特征。一般来说，基于氟的CVD技术不可避免的导致氟原子攻击由硅形成的主动特征。在这方面，一或多个阻障层由基于钛的材料或/和基于钽的材料或合金(例如钛、钽、氮化钛、氮化钽)形成，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一鳍片结构位于一基材上；一栅极特征横跨该鳍片结构，以覆盖该鳍片结构的一中间部分；一对源极/漏极特征沿着该鳍片结构配置于该栅极特征的相对侧；以及多个接触结构由钨形成，其中该栅极特征的一栅极电极及该对源极/漏极特征各自直接与对应的所述多个接触结构之一耦合。

【技术特征摘要】
2017.10.30 US 15/797,8691.一种半导体元件，其特征在于，包含：一鳍片结构位于一基材上；一栅极特征横跨该鳍片结构，以覆盖该鳍片结构的一中间部分；一对源极/漏极特征沿着该鳍片结构配置于该栅极特征的相对侧；以及多个接触结构由钨形成，其中该栅极特征的一栅极电极及该对源极/漏极特征各自直接与对应的所述多个接触结构之一耦合。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，至少一部分的所述接触结构是由一无氟化学气相沉积技术形成。3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该无氟化学气相沉积技术使用六羰基钨作为前驱物。4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该栅极特征还包含一栅极介电层配置于该鳍片结构的该中间部分及该栅极电极之间。5.一种半导体元件，其特征在于，包含：一鳍片结构配置于一基材上；一栅极特征横跨该鳍片结构，以覆盖该鳍片结构的一中间部分；一对源极/漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宏颖，吴正一，凃弘恩，程仲良，朱立轩，萧翔隆，宋慧琳，洪思远，罗盛永，邱丞伟，谢志威，李锦思，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71