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半导体元件包含:位于基材上的鳍片结构;横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征;沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征;以及由钨形成的多个接触结构,其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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半导体元件包含:位于基材上的鳍片结构;横跨鳍片结构以覆盖鳍片结构的中心部分的栅极特征;沿着鳍片结构且配置于栅极特征的相对侧的一对源极/漏极特征;以及由钨形成的多个接触结构,其中栅极特征的栅极电极及此对源极/漏极特征各自直接与对应的接触结构之...