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本发明实施例涉及一种半导体结构，其包括第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括半导体衬底，其具有顶面和所述顶面处的掺杂有第一导电性掺杂剂的第一抗穿通区域。所述第一晶体管进一步包括位于所述半导体衬底的所述顶面上方第一距离处的第一沟道。所述第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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