半导体结构及其制造方法技术

本揭露实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。半导体装置包含第一衬底、至少一第一接合垫、以及至少一第二接合垫。所述第一衬底包含第一表面，所述第一接合垫位于所述第一衬底上，所述第二接合垫位于所述第一衬底上。所述第一接合垫包含第一宽度，所述第二接合垫包含第二宽度。所述第二宽度实质上不同于所述第一宽度。

Semiconductor Structure and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本揭露实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体装置使用于各种电子应用中，例如个人计算机、移动电话、数码相机以及其它电子设备。通过在半导体衬底上方依次沉积材料的绝缘或介电层、导电层以及半导电层，并使用光刻技术图案化各个材料层以在其上方形成电路组件及元件来典型地制造半导体装置。许多集成电路通常制造于单个半导体晶片上，并通过沿着集成电路间的划线锯切来分割晶片上的个别裸片。个别裸片通常分别封装，例如封装于多芯片模块或其它封装类型中。通过不断缩小最小构件尺寸来允许更多组件集成于给定区域中，半导体产业持续改进各种电子组件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积体密度。在一些应用中，这些较小的电子组件也需要较小的封装体，其使用相较于以往封装体更小的面积。三维集成电路(threedimensionintegratedcircuits，以下简称3DIC)，如堆叠式封装(package-on-package，以下简称PoP)及系统封装(system-in-package，以下简称SiP)，将多个半导体芯片彼此堆叠，为半导体封装的近期发展。举例来说，有些3DIC由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含：第一衬底，包含第一表面；至少一第一接合垫，位于所述第一表面的上方并包含第一宽度；以及至少一第二接合垫，位于所述第一表面的上方并包含第二宽度，其中所述第二宽度实质上不同于所述第一宽度。

【技术特征摘要】
2017.10.24 US 15/792,3461.一种半导体结构，包含：第一衬底，包含第一表面；至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明发，陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71