一种半导体器件的制造方法和半导体器件技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有虚拟铝焊盘；在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层。根据本发明专利技术的半导体器件的制造方法，在半导体晶圆上形成虚拟铝焊盘，在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层，所述虚拟铝焊盘上的吸氟层作为清洁点能够均匀的吸收残留氟，避免残留氟与芯片铝焊盘发生反应，从而防止芯片铝焊盘上结晶的发生。根据本发明专利技术的半导体器件的制造方法和半导体器件可以大大提升晶圆的抗腐蚀能力和存储条件，有效减少晶圆表面缺陷产生的几率，防止晶圆报废，提高了产品在封装过程中的使用性能。

A Manufacturing Method of Semiconductor Devices and Semiconductor Devices

The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device. The method includes: providing a semiconductor wafer on which a virtual aluminum pad is formed; and forming a fluoride absorbing layer on the virtual aluminum pad. According to the manufacturing method of the semiconductor device according to the present invention, a virtual aluminium pad is formed on the semiconductor wafer, and a fluorine absorbing layer is formed on the virtual aluminium pad. The fluorine absorbing layer on the virtual aluminium pad as a cleaning point can uniformly absorb the residual fluorine, avoid the reaction between the residual fluorine and the chip aluminium pad, and thus prevent the occurrence of crystallization on the chip aluminium pad. The manufacturing method and the semiconductor device according to the present invention can greatly improve the corrosion resistance and storage conditions of the wafer, effectively reduce the probability of wafer surface defects, prevent wafer scrap, and improve the service performance of the product in the packaging process.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法和半导体器件
本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法和半导体器件。
技术介绍
半导体芯片的封装通过在芯片上形成电路导通的接触焊盘连接到芯片封装的外部元件。目前，半导体领域采用的接触焊盘多采用铝焊盘(Alpad)。在半导体工艺过程中，随着晶圆半导体工艺的进行，在晶圆封装切割芯片之前，铝焊盘往往在其表面形成有结晶缺陷。随着时间的延长，产生结晶的现象越严重，这些结晶往往影响后续封装工艺的进行，更严重的引起晶圆报废。为了避免结晶对晶圆品质的影响，往往需要花费很大的人力物力进行重复的检验。为此，本专利技术提供了一种新的半导体器件的制造方法和半导体器件，用以解决现有技术中的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有虚拟铝焊盘；在所述虚拟铝焊盘上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有虚拟铝焊盘；在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有虚拟铝焊盘；在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述虚拟铝焊盘与芯片铝焊盘位于同一层并在同一工艺中形成。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体晶圆上形成有切割道，所述虚拟铝焊盘设置在所述切割道上。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层的步骤包括：在所述半导体晶圆上形成图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层露出拟形成所述吸氟层的区域；执行氧处理工艺，以在所述虚拟铝焊盘上形成所述吸氟层。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述吸氟层包含Al2O3。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧处理工艺包括在氧气气氛下对所述半导体晶圆进行热处理工艺。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述热处理工艺的温度小于等于90℃。8.如权利要求3所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴娜，钱洪涛，赵九洲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31