本发明专利技术提供一种用于解决由滞留于贯通孔内的气体引起的问题，且可防止贯通孔内的填充物脱落的贯通电极基板。贯通电极基板具有：基板，具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔；以及填充物，配置于贯通孔内，第二开口大于第一开口，在第一开口与第二开口之间具有俯视时面积最小的最小开口部，上述贯通电极基板具有气体释放部，上述气体释放部配置成与在第一面及第二面的任一个面露出的填充物相接触。
【技术实现步骤摘要】
贯通电极基板及利用贯通电极基板的半导体装置(本申请是申请日为2014年11月19日、申请号为201480061865.7(国际申请号为PCT/JP2014/080649)的专利技术申请的分案申请。)
本专利技术涉及具有贯通基板的表面和背面的贯通电极的贯通电极基板，尤其涉及用作用于连接多个器件之间的内插件(interposer)基板的贯通电极基板。另外，本专利技术涉及利用贯通电极基板的半导体装置。
技术介绍
近来，作为大规模集成电路(LSI)芯片之间的内插器，正在开发具有使基板的表面和背面导通的导通部的贯通电极基板。在这种贯通电极基板中，通过在贯通孔内部利用电解镀等来填充导电材料而形成了贯通电极。具有窄间距、短尺寸布线的LSI芯片配置在贯通电极基板的上部面。另外，在贯通电极基板的下部面，可配置具有宽间距、长尺寸布线的半导体封装基板。贯通电极基板的现有技术有以下的文献。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1：日本特开2005-514386专利文献3：日本特开2003-513037专利文献4：日本特开2011-528851专利文献5：WO2010/087483专利文献6：WO2005/034594专利文献7：WO2003/007370专利文献7：WO2011/024921专利文献8：日本特许第4241202号专利文献9：日本特许第4203277号专利文献10：日本特许第4319831号专利文献11：日本特许第4022180号专利文献12：日本特许第4564342号专利文献13：日本特许第4835141号专利文献14：日本特许第5119623号专利文献15：日本特开2009-23341专利文献16：日本特许第2976955号专利文献17：日本特开2003-243396专利文献18：日本特开2003-198069专利文献19：日本特许第4012375号
技术实现思路
(专利技术所要解决的问题)在贯通电极中，如上所述，作为填充物，在贯通孔内填充导电材料，或者，沿着贯通孔的侧壁形成导电膜，而在贯通孔内的其余部分填充绝缘性树脂作为填充物。在贯通电极中，为了防止填充于贯通孔内的填充物脱落，已知有使贯通孔的内部具有锥度或在贯通孔内部形成有弹坑状的多个凹凸的技术(专利文献3、专利文献4)。但是，就算根据这种技术想要防止填充物脱落，在填充物与贯通孔的侧壁之间也会发生空隙，而在该处有可能发生气体滞留现象。若在这种状态下对基板进行加热，则在现有技术中，存在滞留的气体膨胀而使贯通孔或填充物破坏等，使填充物脱落的担忧。于是，本专利技术鉴于这种问题而提出，提供解决由滞留于贯通孔内的气体引起的问题，且可防止贯通孔内的填充物脱落的贯通电极基板及半导体装置。(用于解决问题的手段)根据本专利技术的一个实施方式，提供一种贯通电极基板，其特征在于，具有：基板，具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔；以及填充物，配置于上述贯通孔内，上述第二开口大于上述第一开口，在上述第一开口与上述第二开口之间具有俯视时面积最小的最小开口部，上述贯通电极基板具有气体释放部，上述气体释放部配置成与在上述第一面及上述第二面的任一个面露出的上述填充物相接触。另外，根据本专利技术的一个实施方式，提供一种贯通电极基板，其特征在于，具有：基板，具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔，上述贯通孔在上述第一开口与上述第二开口之间具有第一部分及第二部分，与上述第一部分及上述第一开口相比，上述第二部分的俯视时的面积大；以及填充物，配置于上述贯通孔内，上述贯通电极基板具有气体释放部，上述气体释放部配置成与在上述第一面及上述第二面的任一个面露出的上述填充物相接触。另外，剖视时上述贯通孔的侧壁的至少一部分可包括具有变曲点的曲线。上述气体释放部可以为用于使上述贯通孔内的气体向外部释放的绝缘性树脂。上述气体释放部的至少一部分还可配置在上述贯通孔的侧壁与上述填充物之间。上述气体释放部可具有开口，上述气体释放部的开口的俯视时的面积可随着从上述基板侧离开而变大。在上述贯通孔的侧壁与上述填充物之间可配置有导电膜。在上述贯通孔的侧壁与上述填充物之间，从上述贯通孔的侧壁侧起，可依次配置有绝缘膜及导电膜。上述导电膜还可配置在上述第一面及上述第二面上。上述填充物可以为导电性材料。上述填充物可以为绝缘性材料。上述基板可具有绝缘性。上述基板可具有导电性。上述气体释放部可具有开口，上述气体释放部的开口可与上述第一开口及上述第二开口相重叠。上述气体释放部可具有开口，上述气体释放部的开口可不与上述第一开口及上述第二开口相重叠。上述气体释放部可配置于上述第一面及上述第二面，上述第二面侧的上述气体释放部与上述填充物相接触的面积可大于上述第一面侧的上述气体释放部与上述填充物相接触的面积。另外，根据本专利技术的一个实施方式，提供一种半导体装置，具有：LSI基板；半导体芯片；以及本专利技术的贯通电极基板。(专利技术的效果)根据本专利技术，可提供一种解决由滞留于贯通孔内的气体引起的问题，可防止贯通孔内的填充物脱落，且可靠性高的贯通电极基板及半导体装置。附图说明图1为示出第一实施方式的本专利技术的贯通电极基板100的结构的图。图2为示出第二实施方式的本专利技术的贯通电极基板200的结构的图。图3为示出第三实施方式的本专利技术的贯通电极基板300的结构的图。图4为示出第四实施方式的本专利技术的贯通电极基板400的结构的图。图5为示出第五实施方式的本专利技术的贯通电极基板100的结构的图。图6为示出第六实施方式的本专利技术的贯通电极基板100的结构的图。图7为示出第七实施方式的本专利技术的贯通电极基板100的结构的图。图8示出第七实施方式的本专利技术的贯通电极基板100中填充物105上的开口(通路)110的对位错开的例子。图9为示出第七实施方式的本专利技术的贯通电极基板200的结构的图。图10为示出第七实施方式的本专利技术的贯通电极基板300的结构的图。图11为示出第七实施方式的本专利技术的贯通电极基板400的结构的图。图12为示出第八实施方式的本专利技术半导体装置1000的结构的图。图13为示出第八实施方式的本专利技术半导体装置1000的结构的图。图14为示出第八实施方式的本专利技术半导体装置1000的结构的图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的贯通电极基板。此外，本专利技术的贯通电极基板不局限于以下的实施方式，可进行各种变形。在所有的实施方式中，对于相同的结构要素，标注相同的附图标记来进行说明。(第一实施方式)参照图1，对第一实施方式的本专利技术的贯通电极基板100的结构进行说明。图1的(A)部分为从上部面观察本实施方式的本专利技术的贯通电极基板100的俯视图。图1的(B)部分为图1的(A)部分的A-A’线的剖视图。此外，为了便于说明，图1的(A)部分及图1的(B)部分都示出了本实施方式的本专利技术的贯通电极基板100的一部分。本实施方式的本专利技术的贯通电极基板100具有基板102、贯通孔104、填充物105、绝缘层106、108以及通路(via)110、112。此外，还可在基板102的第一面102a及第二面102b侧进一步分别搭载布线结构体、电子部件等。在本实施方式中，基板102具有绝缘性，例如，可使用玻璃、蓝宝石、树脂等。基板102的厚度没有特别的限制，例如可在10μm～1mm的范围内进行适当的设定。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种贯通电极基板，具有：基板，具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔；以及第一导电层，配置于上述贯通孔的内部，上述第二开口大于上述第一开口，在剖视时，上述贯通孔的侧壁具有变曲点。
【技术特征摘要】
2013.11.21 JP 2013-2413921.一种贯通电极基板，具有：基板，具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔；以及第一导电层，配置于上述贯通孔的内部，上述第二开口大于上述第一开口，在剖视时，上述贯通孔的侧壁具有变曲点。2.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其中，上述变曲点位于上述第一面与上述第二面的中间靠上述第一面侧。3.根据权利要求2所述的贯通电极基板，其中，在上述变曲点处，上述侧壁具有相对于与上述第一面正交的方向倾斜的倾斜面，上述倾斜面朝向上述第二面侧。4.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其中，上述贯通孔在上述第一开口与上述变曲点之间具有在俯视时面积最小的最小开口部。5.根据权利要求4所述的贯通电极基板，其中，上述贯通孔在上述变曲点与上述第二开口之间具有在俯视时面积最大的最大开口部。6.根据权利要求1所述的贯通电极基板，还具有：第二导电层，设置于上述基板的上述第一面侧，并与上述第一导电层相连；以及第一绝缘层，设置在上述第二导电层之上，并设置有开口，在俯视时，上述开口不与上述贯通孔重叠。7.根据权利要求1所述的贯通电极基板，还具有位于上述侧壁与上述第一导电层之间的第二绝缘层。8.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其中，上述基板具有绝缘性。9.一种贯通电极基板，具有：基板，具有将第一面的第一开口和第二面的第二开口贯通的贯通孔；第一导电层，配置于上述贯通孔的内壁；第二导电层，设置于上述基板的上述第一面侧，并与上述第一导电层相连；以及第...
【专利技术属性】
技术研发人员：仓持悟，小岩进雄，吉冈英范，
申请(专利权)人：大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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