【技术实现步骤摘要】
一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装
,尤其涉及一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体封装技术的发展,多芯片集成封装成为芯片封装的趋势。常规的多芯片封装可采用金线焊线或者芯片焊锡倒装互连的方式,其中倒装贴片省去了金线焊线的工艺产能瓶颈,为当前主流的多芯片高密集成封装方式。传统的多芯片倒装贴片封装产品堆叠方式为两种:一种为芯片多次倒装到基板;另一种为芯片先互相倒装堆叠后,再整体贴装到基板,无论哪种方式均需要对多芯片分别做凸点制作处理,并且需要多次回流作业。这样就直接导致封装的工艺制程步骤较多,封装结构可靠性降低,并相应的降低了良率。针对传统的多芯片倒装贴片封装产品堆叠方式存在的需要对多芯片分别做凸点和多次回流焊导致的工艺步骤多、封装结构可靠性低以及产品良率低等问题,本专利技术提出了一种新型的多芯片一次倒装贴片结构和方法,至少部分的克服了上述问题。
技术实现思路
针对传统的多芯片倒装贴片封装产品堆叠方式存在的需要对多芯片分别做凸点和多次回流焊导致的工艺步骤多、封装结构可靠性低以及产品良率低等问题,根 ...
【技术保护点】
1.一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构,包括:封装基板;第一芯片,所述第一芯片正装设置在所述封装基板的对应位置;第二芯片,所述第二芯片倒装焊接至所述封装基板并覆盖所述第一芯片;塑封层,所述塑封层包覆所述第一芯片、第二芯片,且填充所述封装基板、第一芯片、第二芯片之间的间隙;以及外接焊盘,所述外接焊盘设置在所述封装基板的外表面。
【技术特征摘要】
1.一种多芯片倒装贴片三维集成封装结构,包括:封装基板;第一芯片,所述第一芯片正装设置在所述封装基板的对应位置;第二芯片,所述第二芯片倒装焊接至所述封装基板并覆盖所述第一芯片;塑封层,所述塑封层包覆所述第一芯片、第二芯片,且填充所述封装基板、第一芯片、第二芯片之间的间隙;以及外接焊盘,所述外接焊盘设置在所述封装基板的外表面。2.如权利要求1所述的多芯片倒装贴片三维集成封装结构,其特征在于,所述第二芯片通过设置在其上的第一凸点倒装焊至所述第一芯片正面的焊盘。3.如权利要求1所述的多芯片倒装贴片三维集成封装结构,其特征在于,所述第二芯片通过设置在其上的第二凸点倒装焊至所述封装基板上的焊盘。4.如权利要求1所述的多芯片倒装贴片三维集成封装结构,其特征在于,所述第一芯片通过贴片层设置到所述封装基板的对应位置。5.如权利要求1或2或3或4所述的多芯片倒装贴片三维集成封装结构,其特征在于,所述第二凸点的高度等于第一凸点高度、第一芯片厚度以...
【专利技术属性】
技术研发人员:金国庆,孙鹏,
申请(专利权)人:华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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