存储装置及半导体器件制造方法及图纸

本公开提供一种存储装置及半导体器件，涉及半导体技术领域。本公开的半导体器件包括第一芯片、第二芯片、连接孔和导电体，第一芯片具有第一焊盘。第二芯片有多个且每个第二芯片均具有第二焊盘，各第二焊盘均设有穿孔。各第二芯片堆叠设置于第一芯片，且各第二焊盘与第一焊盘正对设置。任意相邻的两第二芯片中，靠近第一芯片的穿孔不大于远离第一芯片的穿孔。连接孔穿过正对于第一焊盘的各穿孔且露出第一焊盘，连接孔包括多个孔段，各孔段一一对应的位于各第二芯片内，孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的孔径相同。导电体配合设于连接孔内，第一焊盘和各第二焊盘均与导电体连接。本公开的半导体器件可简化工艺，降低成本。

【技术实现步骤摘要】
存储装置及半导体器件
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种存储装置及半导体器件。
技术介绍
随着半导体技术的发展，芯片堆叠技术已经广泛的应用于各类存储器，例如DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)等。目前，对于堆叠设置的多个芯片而言，需要通过TSV(ThroughSiliconVias，硅穿孔)以最短的路径将各个芯片连接，具体而言，在现有技术中，通常需要先在各个芯片上形成硅通道，并在硅通道内形成导电件，再将各个芯片堆叠设置，使各个硅通道内的导电件连接，从而将各个芯片连接起来。但是，对每个芯片都进行TSV工艺，会使得整个制造过程耗时较长，工序较多，且成本较高。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种存储装置及半导体器件，可简化工艺，降低成本。根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括：第一芯片，具有第一焊盘；多个第二芯片，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；连接孔，穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔且露出所述第一焊盘，所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的孔径相同；导电体，配合设于所述连接孔内，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。在本公开的一种示例性实施例中，分属不同第二焊盘的所述穿孔的大小不同，所述半导体器件还包括：隔离层，设于所述连接孔内壁与所述导电体之间，且所述隔离层露出所述第一焊盘和所述第二焊盘远离所述第一芯片的表面。在本公开的一种示例性实施例中，正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的中心与所述第一焊盘的中心共线设置。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料为金属。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种，所述第二焊盘的材料为铜、铝和钨中任一种。在本公开的一种示例性实施例中，所述导电体、所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料相同。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘嵌设于所述第一芯片靠近所述第二芯片的表面，且与其嵌设的表面平齐；任一所述第二焊盘嵌设于其所在的第二焊盘远离所述第一芯片的表面，且与其嵌设的表面平齐。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一焊盘和各所述第二焊盘的厚度相同。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一芯片包括：第一衬底；第一绝缘层，设于所述第一衬底一侧，所述第一焊盘嵌设于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的表面；所述第二芯片包括：第二衬底；第二绝缘层，设于所述第二衬底远离所述第一芯片的一侧，所述第二焊盘嵌设于所述第二绝缘层远离所述第二衬底的表面；距离所述第一芯片最近的第二芯片的第二衬底设于所述第一绝缘层远离所述第一衬底的表面，各所述第二芯片的第二衬底和第二绝缘层交替层叠设置。根据本公开的一个方面，提供一种存储装置，包括上述任意一项所述的半导体器件。本公开的存储装置及半导体器件，由于任意相邻的两第二芯片中，靠近第一芯片的穿孔不大于远离第一芯片的穿孔，因而，在制造时，可先将多个第二芯片堆叠设置在第一芯片，再沿靠近第一芯片的方向形成露出第一焊盘的连接孔，然后通过导电体连接第一芯片和各个第二芯片，可避免对每个第二芯片分别开孔，有利于减少开孔工艺的次数，使整个制造过程得以简化，减小耗时，使制造成本降低。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开实施方式半导体器件的示意图。图2为本公开实施方式半导体器件中第一芯片的示意图。图3为本公开实施方式半导体器件中第一芯片的第一焊盘的示意图。图4为本公开实施方式半导体器件中第二芯片的示意图。图5为本公开实施方式半导体器件中第二芯片的第二焊盘的示意图。图6为本公开实施方式半导体器件的制造方法的流程图。图7为本公开实施方式半导体器件制造方法中完成步骤S120后的示意图。图8为本公开实施方式半导体器件制造方法的步骤S130的流程图。图9为本公开实施方式半导体器件制造方法中完成步骤S1320后的示意图。图10为本公开实施方式半导体器件制造方法中完成步骤S1340后的示意图。图11为本公开实施方式半导体器件制造方法的步骤S140的流程图。图12为本公开实施方式半导体器件制造方法的步骤S1410的流程图。图13为本公开实施方式半导体器件制造方法中完成步骤S14110后的示意图。图14为本公开实施方式半导体器件制造方法中完成步骤S14120后的示意图。图15为本公开实施方式半导体器件制造方法的步骤S1420的流程图。图16为本公开实施方式半导体器件制造方法中完成步骤S14210后的示意图。图中：1、第一芯片；11、第一焊盘；12、第一衬底；13、第一绝缘层；2、第二芯片；21、第二焊盘；211、穿孔；22、第二衬底；23、第二绝缘层；3、连接孔；4、导电体；5、隔离层；100、光刻胶层；200、导电层。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。本公开实施方式提供一种半导体器件，该半导体器件可以是堆叠式芯片，例如DRAM等，在此不再一一列举。如图1所示，本公开实施方式的半导体器件可以包括第一芯片1、第二芯片2、连接孔3和导电体4，其中：第一芯片1可具有第一焊盘11。第二芯片2的数量为多个，每个第二芯片2均具有第二焊盘21，各第二焊盘21均设有穿孔211。各第二芯片2堆叠设置于第一芯片1，且各第二焊盘21与第一焊盘11正对设置；任意相邻的两第二芯片2中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一芯片，具有第一焊盘；多个第二芯片，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；连接孔，穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔且露出所述第一焊盘，所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的孔径相同；导电体，配合设于所述连接孔内，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一芯片，具有第一焊盘；多个第二芯片，每个所述第二芯片均具有第二焊盘，各所述第二焊盘均设有穿孔；各所述第二芯片堆叠设置于所述第一芯片，且各所述第二焊盘与所述第一焊盘正对设置；任意相邻的两所述第二芯片中，靠近所述第一芯片的穿孔不大于远离所述第一芯片的穿孔；连接孔，穿过正对于所述第一焊盘的各所述穿孔且露出所述第一焊盘，所述连接孔包括多个孔段，各所述孔段一一对应的位于各所述第二芯片内，所述孔段与其所在的第二芯片的第二焊盘的穿孔的孔径相同；导电体，配合设于所述连接孔内，所述第一焊盘和各所述第二焊盘均与所述导电体连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，分属不同第二焊盘的所述穿孔的大小不同，所述半导体器件还包括：隔离层，设于所述连接孔内壁与所述导电体之间，且所述隔离层露出所述第一焊盘和所述第二焊盘远离所述第一芯片的表面。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，正对于所述第一焊盘的各所述穿孔的中心与所述第一焊盘的中心共线设置。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一焊盘和所述第二焊盘的材料为金属。5.根据权利要求4所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34