半导体结构的制造方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层；去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分以形成内衬结构；形成氧化层；形成第二氮化硅层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分以形成侧墙结构；及在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。所述半导体结构的制造方法增大了第一氮化硅层的膜层厚度，使去除第一氮化硅层工艺中的刻蚀时间加长，从而机台终点检测的信号更加稳定且易于操作；同时简化了侧墙膜层结构，易于控制所述半导体结构的生产尺寸，同时提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体集成电路制造
，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。
技术介绍
随着半导体制造技术的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小(目前已经达到纳米级)，随着半导体器件尺寸的缩小，各种微观效应凸显出来，为适应器件发展的需要，本领域技术人员一直在积极探索新的半导体制造工艺。其中，侧墙(Spacer)制造是互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)器件形成的关键工艺，在现有技术中，侧墙的制造工艺中往往会出现终点检测信号不稳定，不易操作，同时，由于侧墙的制造工艺步骤较多，从而出货周期较长，机台利用率下降，工艺成本上升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，以解决现有侧墙结构的制造工艺中由于侧墙膜层太薄而刻蚀时间太短，导致的终点检测信号不稳定，不易操作，以及侧墙膜层结构复杂，不易控制所述半导体结构的生产尺寸的问题。为解决上述技术问题，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分，保留所述第一氮化硅层中位于所述栅极结构表面的部分以形成内衬结构；形成氧化层，所述氧化层覆盖所述内衬结构以及所述衬底的表面；形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述氧化层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分，保留所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构侧面的部分以形成侧墙结构；及在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述侧墙结构包括：通过刻蚀工艺去除部分所述第二氮化硅层；及通过预清洗工艺去除部分所述氧化层以形成所述侧墙结构。3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺去除部分所述第一氮化硅层。4.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴森，许鹏凯，王一，孙文彦，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31