半导体结构的制造方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层；去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分以形成内衬结构；形成氧化层；形成第二氮化硅层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分以形成侧墙结构；及在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。所述半导体结构的制造方法增大了第一氮化硅层的膜层厚度，使去除第一氮化硅层工艺中的刻蚀时间加长，从而机台终点检测的信号更加稳定且易于操作；同时简化了侧墙膜层结构，易于控制所述半导体结构的生产尺寸，同时提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体集成电路制造
，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。
技术介绍
随着半导体制造技术的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小(目前已经达到纳米级)，随着半导体器件尺寸的缩小，各种微观效应凸显出来，为适应器件发展的需要，本领域技术人员一直在积极探索新的半导体制造工艺。其中，侧墙(Spacer)制造是互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)器件形成的关键工艺，在现有技术中，侧墙的制造工艺中往往会出现终点检测信号不稳定，不易操作，同时，由于侧墙的制造工艺步骤较多，从而出货周期较长，机台利用率下降，工艺成本上升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，以解决现有侧墙结构的制造工艺中由于侧墙膜层太薄而刻蚀时间太短，导致的终点检测信号不稳定，不易操作，以及侧墙膜层结构复杂，不易控制所述半导体结构的生产尺寸的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，所述半导体结构制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分，保留所述第一氮化硅层中位于所述栅极结构面的部分以形成内衬结构；形成氧化层，所述氧化层覆盖所述内衬结构以及所述衬底的表面；形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述氧化层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分，保留所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构侧面的部分以形成侧墙结构；及在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。可选的，在所述半导体结构的制造方法中，形成所述侧墙结构包括：通过刻蚀工艺去除部分所述第二氮化硅层；及通过预清洗工艺去除部分所述氧化层以形成所述侧墙结构。可选的，在所述半导体结构的制造方法中，通过干法刻蚀工艺去除部分所述第一氮化硅层。可选的，在所述半导体结构的制造方法中，所述第二氮化硅层较所述第一氮化硅层厚。可选的，在所述半导体结构的制造方法中，所述第一氮化硅层较所述氧化层厚。可选的，在所述半导体结构的制造方法中，形成所述第一氮化硅层、所述氧化层与所述第二氮化硅层的方法包括热氧化法或化学气相淀积法。本专利技术还提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上具有栅极结构；内衬结构，所述内衬结构覆盖所述栅极结构表面，所述内衬结构包括第一氮化硅层，所述第一氮化硅层的膜层厚度为侧墙结构，所述侧墙结构包括氧化层和第二氮化硅层，所述氧化层覆盖所述第一氮化硅层的侧面，所述第二氮化层覆盖所述氧化层的侧面；外延层，所述外延层覆盖所述衬底。可选的，在所述半导体结构中，所述第二氮化硅层较所述第一氮化硅层厚。可选的，在所述半导体结构中，所述第一氮化硅层较所述氧化层厚。可选的，在所述半导体结构中，所述外延层位于所述侧墙结构侧并与所述侧墙结构相连。在本专利技术提供的一种半导体结构的制造方法中，包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分，保留所述第一氮化硅层中位于所述栅极结构表面的部分以形成内衬结构；形成氧化层，所述氧化层覆盖所述内衬结构以及所述衬底的表面；形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述氧化层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分，保留所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构侧面的部分以形成侧墙结构；及在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。所述半导体结构的制造方法简化了侧墙膜层结构，将所述第一氮化硅层的膜层厚度增大至使去除第一氮化硅层工艺中的刻蚀时间加长，终点检测的信号就能够稳定，易于操作。从而易于控制所述半导体结构的生产尺寸，同时提高生产效率。附图说明图1是本专利技术实施例的半导体结构的制造方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例的半导体结构的制造方法中形成侧墙结构的流程示意图；图3-图8是本专利技术实施例的半导体结构的制造方法的流程剖面示意图；其中，110-衬底；111-栅极结构；120-内衬结构；121-第一氮化硅层；130-侧墙结构；131-氧化层；132-第二氮化硅层；140-外延层。具体实施方式本专利技术的核心思想在于提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，改善现有制造侧墙工艺中出现的终点检测信号不稳定且不易操作的情况。进一步，减少半导体结构的制造工艺步骤，降低出货周期，提高机台利用率，减少工艺制作成本。为实现上述思想，本专利技术提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，所述半导体结构的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分，保留所述第一氮化硅层中位于所述栅极结构表面的部分以形成内衬结构；形成氧化层，所述氧化层覆盖所述内衬结构以及所述衬底的表面；形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述氧化层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分，保留所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构侧面的部分以形成侧墙结构；及在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的半导体结构的制造方法及半导体结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。首先，请参考图1，本实施例提供一种半导体结构的制造方法，所述半导体结构制造方法包括：步骤S20：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；步骤S21：形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为步骤S22：去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分，保留所述第一氮化硅层中位于所述栅极结构表面的部分以形成内衬结构；步骤S23：形成氧化层，所述氧化层覆盖所述内衬结构以及所述衬底的表面；步骤S24：形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述氧化层；步骤S25：去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分，保留所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构侧面的部分以形成侧墙结构；及步骤S26：在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。通过上述步骤制造所述半导体结构，具体请参考图3至图8，优选的，所述衬底110可以为硅衬底、锗衬底，本实施例选取硅衬底。所述栅极结构111可以为多晶硅栅极结构或金属栅极结构。所述第一氮化硅层121覆盖所述栅极结构111及所述衬底110的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层覆盖所述栅极结构及所述衬底的表面，其中，所述第一氮化硅层的膜层厚度为去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分，保留所述第一氮化硅层中位于所述栅极结构表面的部分以形成内衬结构；形成氧化层，所述氧化层覆盖所述内衬结构以及所述衬底的表面；形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖所述氧化层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构顶面的部分以及位于所述衬底表面的部分，保留所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内衬结构侧面的部分以形成侧墙结构；及在所述衬底上进行外延生长以形成外延层。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述侧墙结构包括：通过刻蚀工艺去除部分所述第二氮化硅层；及通过预清洗工艺去除部分所述氧化层以形成所述侧墙结构。3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀工艺去除部分所述第一氮化硅层。4.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴森，许鹏凯，王一，孙文彦，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31