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本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括：提供一衬底，所述衬底上具有栅极结构；形成第一氮化硅层；去除所述第一氮化硅层中位于所述衬底表面的部分以形成内衬结构；形成氧化层；形成第二氮化硅层；去除所述氧化层和第二氮化硅层中位于所述内...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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