用于形成电阻的半导体结构制造技术

一种用于形成电阻的半导体结构。所述用于形成电阻的半导体结构包括位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。所述用于形成电阻的半导体结构能够提高所形成的电阻的尺寸精度。

【技术实现步骤摘要】
用于形成电阻的半导体结构
本技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种用于形成电阻的半导体结构。
技术介绍
集成电路根据不同的终端应用，需要的器件类型不同。但是，无论哪种应用都离不开电阻器件。电阻器件的尺寸精度是制作和使用电阻器件的重要考虑因素，因为，电阻器件的尺寸精度直接影响电阻阻值的精度。公开号为CN107331695A的中国技术专利公开了一种N阱电阻及其生成方法。然而，现有技术在对电阻的尺寸进行考虑和控制时，考虑的因素不够准确，采用的方案并没有能很好地控制相应的电阻尺寸精度。
技术实现思路
本技术解决的问题是提供一种用于形成电阻的半导体结构，精确控制电阻的尺寸，使电阻的实际尺寸与设计尺寸的误差减小。为解决上述问题，本技术提供了一种用于形成电阻的半导体结构，包括：位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。可选的，所述用于形成电阻的半导体结构还包括位于所述第一有源区长度第一侧上方的第三掩膜层；或者，还同时包括位于所述第一有源区长度第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，包括：位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，包括：位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。2.根据权利要求1所述的用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，还包括位于所述第一有源区长度第一侧上方的第三掩膜层；或者，还同时包括位于所述第一有源区长度第一侧上方的第三掩膜层和位于所述第一有源区长度第二侧上方的第四掩膜层，所述第三掩膜层和所述第四掩膜层之间的距离大于所述电阻的长度。3.根据权利要求1所述的用于形成电阻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑玉宁，方绍明，
申请(专利权)人：深圳元顺微电子技术有限公司，厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44