一种兼容低压工艺的高压器件制作方法技术

本发明专利技术公开了一种兼容低压工艺的高压器件制作方法包括以下步骤：S1：材料准备：取用P型衬底硅片，且取用的P型衬底硅片的电阻率的范围为15～25Ω·cm；S2：AA沉积：将S1中所述的P型衬底硅片进行预氧化

【技术实现步骤摘要】
一种兼容低压工艺的高压器件制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种兼容低压工艺的高压器件制作方法。
技术介绍
半导体功率器件的结构离不开PN结。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。然而，扩散形成的PN结结深一般为几个微米，其曲率会导致电场集中，使击穿电压远比平面结的低。如平面结耐压超过1200V的器件，如使用5微米深的结，其曲率会导致电场集中使击穿电压低于400V，远低于平面结的击穿电压，因此在器件的外围需要保护环。经检索，申请号为201210404971.3的专利文件公开了一种半导体高压器件的保护环结构及其制造方法，其保护环结构包括第一N型单晶硅衬底、第二N型单晶硅衬底、间断的氧化层、金属场板、器件区、多个P+型注入扩散环和等位环；其中，第二N型单晶硅衬底为从第一N型单晶硅衬底上外延一层的N型单晶层；且其掺杂浓度低于第一N型单晶硅衬底。并且，在P+型注入扩散环的内侧，还嵌有零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环。因此，在相同的耐压值的情况下，该场板加场限环结构，不仅优化每一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种兼容低压工艺的高压器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：材料准备：取用P型衬底硅片，且取用的P型衬底硅片的电阻率的范围为15～25Ω·cm；S2：AA沉积：将S1中所述的P型衬底硅片进行预氧化

【技术特征摘要】
1.一种兼容低压工艺的高压器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：材料准备：取用P型衬底硅片，且取用的P型衬底硅片的电阻率的范围为15～25Ω·cm；S2：AA沉积：将S1中所述的P型衬底硅片进行预氧化氮化硅AA光刻、AA刻蚀和AA去胶处理，得到沉积完成的P型衬底硅片；S3：HNW注入：向S2中所述的沉积完成的P型衬底硅片上的HNW区域内注入杂质磷，且注入能量350KeV、注入剂量1.3E12atoms/cm2；S4：NW光刻：向S3中所述的注入完成的P型衬底硅片上的NW区域注入磷，且注入能量350KeV、注入角度7°后进行去胶处理；S5：P阱区光刻：向S4中所述的去胶处理后的P型衬底硅片上P阱区注入硼，且硼的注入剂量1.5E13atoms/cm2、注入角度7°并进行去胶处理；S6：场氧化：对5S中所述的去胶处理后的P型衬底硅片上进行场氧化处理，并去除P型衬底硅片上的SiN；S7：栅氧化：对S6中所述的去除SiN后的P型衬底硅片上进行栅氧化处理并进行Poly沉积Poly光刻、Poly刻蚀和去胶处理，得到栅氧化后的P型衬底硅片；S8：N+光刻：对S7中所述的栅氧化后的P型衬底硅片上的N+区域注入砷，且注入能量80KeV、注入角度7°并进行去胶处理；S9：P+光刻：对S8中所述的去胶处理后的P型衬底硅片上的P+...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑玉宁，方绍明，
申请(专利权)人：深圳元顺微电子技术有限公司，厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44