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本发明公开了一种兼容低压工艺的高压器件制作方法包括以下步骤：S1：材料准备：取用P型衬底硅片，且取用的P型衬底硅片的电阻率的范围为15～25Ω·cm；S2：AA沉积：将S1中所述的P型衬底硅片进行预氧化...
该专利属于深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司授权不得商用。

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